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公开(公告)号：WO2020241164A1
公开(公告)日：2020-12-03
申请号：PCT/JP2020/018204
申请日：2020-04-29
Applicant: 信越化学工業株式会社
IPC: C08K5/00 , C08K5/1545 , C08L83/04 , C09K3/00 , C08L71/08
Abstract: 本発明は、下記（Ａ）～（Ｅ）成分を含有し、平均粒径２００ｎｍ以下であるものであることを特徴とするプラスチック用離型剤である。これにより、希釈安定性、機械安定性に優れ、濡れ性が良好、かつプラスチックに対してクラックが生じにくいオルガノポリシロキサンのエマルジョンであるプラスチック用離型剤を提供する。 （Ａ）２５℃における粘度が１００～１００，０００ｍｍ ２ ／ｓのオルガノポリシロキサン：１００質量部、 （Ｂ）１種又は２種以上のアニオン界面活性剤：０．１～１５．０質量部、 （Ｃ）ポリオキシエチレンアルキルエーテル：１．０～３０．０質量部、 （Ｄ）ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル：０．５～１５．０質量部、 （Ｅ）水：５０～１００，０００質量部。
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公开(公告)号：WO2020202800A1
公开(公告)日：2020-10-08
申请号：PCT/JP2020/005048
申请日：2020-02-10
Applicant: 信越化学工業株式会社
IPC: H01L23/36 , H01L23/373 , C08L83/06 , C08K3/28
Abstract: 本発明は、（Ａ）アルコキシシリル基を有する加水分解性オルガノポリシロキサン、（Ｂ）平均粒子径が０．５μｍ以上２．０μｍ以下であり、かつレーザー回折型粒度分布測定法による粒子中の粒子径１０μｍ以上の粗粉の含有量が全体の１．０体積％以下である窒化アルミニウム粒子：５０～７０体積％を含み、ホットディスク法での熱伝導率が１．３Ｗ／ｍＫ以上のものである熱伝導性シリコーン組成物である。本発明により、高い熱伝導率を有し、１０μｍ以下に圧縮可能である熱伝導性シリコーン組成物及びその製造方法が提供される。
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公开(公告)号：WO2020179284A1
公开(公告)日：2020-09-10
申请号：PCT/JP2020/002800
申请日：2020-01-27
Applicant: 信越半導体株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/324 , H01L21/66 , C30B29/06 , G01N27/04
Abstract: 本発明は、四探針法でシリコン単結晶の抵抗率を測定するシリコン単結晶の抵抗率測定方法において、前記シリコン単結晶の少なくとも前記抵抗率の測定を行う面を研削する第１の研削工程と、前記第１の研削工程を行ったシリコン単結晶を洗浄する洗浄工程と、前記洗浄工程を行ったシリコン単結晶を熱処理するドナーキラー熱処理工程と、前記ドナーキラー熱処理工程を行ったシリコン単結晶の少なくとも前記抵抗率の測定を行う面を研削する第２の研削工程を有し、前記第２の研削工程を行った後に四探針法で前記シリコン単結晶の抵抗率を測定するシリコン単結晶の抵抗率測定方法である。これにより、ドナーキラー熱処理後、長期間安定して測定可能なシリコン単結晶の抵抗率測定方法が提供される。
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公开(公告)号：WO2020158210A1
公开(公告)日：2020-08-06
申请号：PCT/JP2019/048847
申请日：2019-12-13
Applicant: 信越半導体株式会社
IPC: H01L21/308
Abstract: 本発明は、エッチング液をウェーハの表面に滴下し、かつ前記ウェーハを回転させることで、前記ウェーハの表面のエッチングを行うエッチング方法において、前記エッチング前の前記ウェーハの表面形状を測定し、前記エッチングにおいて、前記エッチング液の滴下とともに、前記エッチング液による前記ウェーハの表面のエッチングを抑制するリンス液を前記ウェーハの表面に滴下し、前記エッチング液を滴下する位置と前記リンス液を滴下する位置を、前記測定されたエッチング前の前記ウェーハの表面形状に基づき決定して、前記ウェーハの表面のエッチングを行うことを特徴とするエッチング方法である。これにより、どのような表面形状を持つウェーハであっても、スピンエッチングにより表面形状の改善を図ることが可能なエッチング方法が提供される。
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公开(公告)号：WO2020129540A1
公开(公告)日：2020-06-25
申请号：PCT/JP2019/045893
申请日：2019-11-25
Applicant: 信越半導体株式会社
Abstract: 本発明は、シリコン単結晶基板より上に気相成長により窒化物半導体薄膜を成長させる窒化物半導体ウェーハの製造方法であって、前記シリコン単結晶基板として、窒素濃度が５×１０ １４ ａｔｏｍｓ／ｃｍ ３ 以上であり、抵抗率が１０００Ω・ｃｍ以上のシリコン単結晶基板を用いる窒化物半導体ウェーハの製造方法である。これにより、窒化物半導体ウェーハ製造時の塑性変形による反り不良、接合不良を抑制できる窒化物半導体ウェーハの製造方法が提供される。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2020100512A1
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：PCT/JP2019/040814
申请日：2019-10-17
Applicant: 信越半導体株式会社
Abstract: 本発明は、原料結晶棒を誘導加熱コイルで加熱溶融して浮遊帯域を形成し、誘導加熱コイルに対して上側の原料結晶棒及び下側の単結晶棒を回転させながら相対的に下降させ、浮遊帯域を移動させることで単結晶棒を育成するＦＺ法による単結晶の製造方法であって、結晶成長途中で成長を停止し、単結晶の製造を終了した場合に、残りの原料結晶棒の重量を測定する測定工程と、残りの原料結晶棒から製造できる単結晶直胴部の理論歩留りを計算し、再び製造できる単結晶の最大直径を決定する、又は、単結晶の製造をしないことを決定する判定工程と、再び製造できる単結晶の最大直径を決定した場合には、再び単結晶を製造する再製造工程とを有することを特徴とする単結晶の製造方法である。これにより、途中で結晶成長を停止させた場合に、残りの原料結晶棒を有効に利用することで歩留り低下を抑制した単結晶の製造方法が提供される。
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公开(公告)号：WO2020090209A1
公开(公告)日：2020-05-07
申请号：PCT/JP2019/033677
申请日：2019-08-28
Applicant: 信越化学工業株式会社
IPC: C08L83/07 , C08K5/5435 , C08L83/05 , C09D5/02 , C09D7/63 , C09D183/05 , C09D183/07
Abstract: 本発明は、水溶性シランカップリング剤（Ｉ）と、１分子中にアルケニル基を少なくとも２個持つオルガノポリシロキサン（ＩＩ）とを含む付加反応硬化型シリコーンエマルジョン組成物であって、前記水溶性シランカップリング剤（Ｉ）が、無水コハク酸基、４級アンモニウム基およびウレイド基のうち少なくとも１つを有するものであり、かつ、前記オルガノポリシロキサン（ＩＩ）１００質量部に対し前記水溶性シランカップリング剤（Ｉ）を１質量部以上含むものであることを特徴とする付加反応硬化型シリコーンエマルジョン組成物である。これにより、プラスチックフィルム基材に対してはその種類に関わらず良好に密着する一方で、粘着剤に対しては適度な剥離性を持つ硬化皮膜を与えるシリコーンエマルジョン組成物、及び該シリコーンエマルジョン組成物の硬化皮膜が形成されてなる剥離フィルムを提供する。
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公开(公告)号：WO2020070966A1
公开(公告)日：2020-04-09
申请号：PCT/JP2019/030408
申请日：2019-08-02
Applicant: 信越化学工業株式会社
Inventor： 秦 龍ノ介
IPC: C08F283/12 , C08G77/38 , C08G77/48
Abstract: 本発明は、下記式（Ｉ）で表される（メタ）アクリルグラフトシリコーンである。Ｍ １ ａ Ｍ ２ ｂ Ｄ １ ｃ Ｄ ２ ｄ Ｔ １ ｅ Ｔ ２ ｆ Ｑ ｇ （Ｉ） Ｍ １ ＝ Ｒ １ ３ ＳｉＯ １／２ Ｍ ２ ＝ Ｒ １ ２ Ｒ ２ ＳｉＯ １／２ Ｄ １ ＝ Ｒ １ ２ ＳｉＯ ２／２ Ｄ ２ ＝ Ｒ １ Ｒ ２ ＳｉＯ ２／２ Ｔ １ ＝ Ｒ １ ＳｉＯ ３／２ Ｔ ２ ＝ Ｒ ２ ＳｉＯ ３／２ Ｑ ＝ ＳｉＯ ４／２ ［Ｒ １ は水素原子、アルキル基、又は、アリール基である。Ｒ ２ は、下記式（ＩＩ）で表される（メタ）アクリル系ポリマー構造を有する基である。ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇは０又は正の整数であり、ｂ＋ｄ＋ｆ≧１である。各シロキサン単位の結合順序は任意である。（Ａは２価の有機基、Ｒ ３ は水素原子又はアルキル基、Ｒ ４ は水素原子又はアルキル基、Ｒ ５ は一価炭化水素基、アミノ基、シロキシ基、ハロゲン原子、又は、水酸基である。ｎは正の整数である。）］これにより、純度が高く、耐熱性が高い（メタ）アクリルグラフトシリコーンが提供される。
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公开(公告)号：WO2020044730A1
公开(公告)日：2020-03-05
申请号：PCT/JP2019/023396
申请日：2019-06-13
Applicant: 信越化学工業株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/448
Abstract: 本発明は、成膜部でミストを熱処理して成膜を行う成膜方法であって、ミスト化部において、原料溶液をミスト化してミストを発生させる工程と、前記ミスト化部と前記成膜部とを接続する搬送部を介して、前記ミスト化部から前記成膜部へと、前記ミストをキャリアガスにより搬送する工程と、前記成膜部において、前記ミストを熱処理して基体上に成膜を行う工程とを含み、前記キャリアガスの流量をＱ（Ｌ／分）、前記キャリアガスの温度をＴ（℃）としたとき、７＜Ｔ＋Ｑ＜６７となるように、前記キャリアガスの流量及び前記キャリアガスの温度の制御を行う成膜方法である。これにより、成膜速度に優れた成膜方法が提供される。
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公开(公告)号：WO2020039761A1
公开(公告)日：2020-02-27
申请号：PCT/JP2019/026401
申请日：2019-07-03
Applicant: 信越化学工業株式会社
Abstract: 本発明は、母材となるオルガノポリシロキサン成分１００質量部、熱伝導性フィラー４００～２５００質量部、及び、気体を内包した中空粒子５～３００質量部を含有する熱伝導性シリコーン組成物である。好ましい熱伝導性シリコーン組成物は、（Ａ）１分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、（Ｂ）ケイ素原子に直接結合した水素原子を少なくとも２つ以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、（Ｃ）白金系硬化触媒、及び（Ｄ）付加反応制御剤を含む。これにより、熱伝導性が高く、かつ、比重が小さい、放熱材料として有効な高熱伝導性シリコーン組成物及び高熱伝導性シリコーン硬化物が提供される。
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