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公开(公告)号：WO2006022127A1
公开(公告)日：2006-03-02
申请号：PCT/JP2005/014175
申请日：2005-08-03
IPC: H01L21/322 , H01L21/308
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/3225
Abstract: A silicon single crystal substrate (1) is manufactured by CZ method and is doped with boron to have a resistivity of 0.02 O·cm or less. On the silicon single crystal substrate, a silicon epitaxial layer (2) is vapor-phase grown, and low-temperature heat treatment is performed in an oxidizing atmosphere at a temperature of 450°C or higher but not higher than 750°C for a time that permits the thickness (t1) of a silicon oxide film (3) formed on the silicon epitaxial layer (2) to be 2nm or less, and an oxygen precipitation nucleus (11) is formed in the silicon single crystal substrate (1). Then, the silicon oxide film (3) formed by first cleaning after the low-temperature heat treatment is etched by a cleaning solution composed of a mixed solution of ammonia, hydrogen peroxide and water. Thus, the final thickness of the remaining silicon oxide film formed during heat treatment in the oxidizing atmosphere for forming the oxygen precipitation nucleus can be kept at a level of a native oxide even without employing fluorinated acid cleaning, and furthermore, particle increase after the cleaning can be suppressed.
Abstract translation: 硅单晶衬底（1）通过CZ法制造，并掺杂有电阻率为0.02O·cm以下的硼。 在硅单晶衬底上，气相生长硅衬底（2），在氧化气氛中，在450℃以上但不高于750℃的温度下进行低温热处理 在硅单晶衬底（1）中形成允许形成在硅外延层（2）上的氧化硅膜（3）的厚度（t1）为2nm以下的氧析出核（11）的时间， 。 然后，通过由氨，过氧化氢和水的混合溶液构成的清洗溶液来蚀刻在低温热处理之后通过第一次清洗形成的氧化硅膜（3）。 因此，即使不使用氟化酸清洗，在用于形成氧沉淀核的氧化气氛中的热处理期间形成的剩余氧化硅膜的最终厚度也可以保持在天然氧化物的水平，此外，清洁后颗粒增加 可以抑制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2009048056A1
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：PCT/JP2008/068229
申请日：2008-10-07
IPC: H01L33/00 , C23C16/30 , C30B25/18 , C30B29/40 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/16 , H01L21/02395 , H01L21/02433 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02543 , H01L21/0262 , H01L33/0062 , H01L33/30
Abstract: ＜１００＞方向を基準方向として、オフアングルが１０゜以上２０゜以下の主軸を有するＧａＡｓ単結晶基板１上に、２種以上のＩＩＩ族元素を含む（Ａｌ ｘ Ｇａ １－ｘ ） ｙ Ｉｎ １－ｙ Ｐ（ただし、０≦ｘ≦１，０＜ｙ≦１）にて構成される発光層部２４と、第一ＧａＰ層７ａとをこの順序にて有機金属気相成長法により形成し、第一ＧａＰ層７ａ上に第二ＧａＰ層７ｂ，７ｃをハイドライド気相成長法により形成する。第二ＧａＰ層７ｂ，７ｃは、第一成長速度による低速成長領域７ｂと、該第一成長速度よりも高い第二成長速度による高速成長領域７ｃとの２段成長とし、成長工程全体で１０μｍ／ｈｒ以上４０μｍ／ｈｒ以下にする。これにより、ハイドライド気相成長法を用いて厚い窓層を形成する際に発生するヒロックの高さが抑制された化合物半導体エピタキシャルウェーハと、その製造方法を提供する。
Abstract translation: 根据有机金属气相生长技术，顺序地，含有两个或更多个III族元素的（Al x Ga 1-x）y In 1-y P（其中0 = x = 1,0
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公开(公告)号：WO2006008957A1
公开(公告)日：2006-01-26
申请号：PCT/JP2005/012379
申请日：2005-07-05
IPC: H01L21/322 , C30B29/06 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/3225 , C30B25/20 , C30B29/06 , C30B33/02 , Y10T428/24992
Abstract: シリコンエピタキシャルウェーハ１００は、ＣＺ法により製造され、かつ、抵抗率が０．００９Ω・ｃｍ以上０．０１２Ω・ｃｍ以下となるようにボロンがドープされたシリコン単結晶基板１上に、シリコンエピタキシャル層２を形成してなる。シリコンエピタキシャルウェーハ１００を構成するシリコン単結晶基板１中には、密度１×１０ １０ ｃｍ －３ 以上の酸素析出核を有する。また、シリコン単結晶基板１のシリコンエピタキシャル層２との界面をなす表層部に形成された酸素析出核の非形成領域１５の幅が０μｍより大きく１０μｍ未満である。これにより、ボロンドープによるｐ ＋ ＣＺ基板を使用するとともに、酸素析出核非形成領域の形成幅を十分縮小しつつ、ＩＧ効果発現には十分な密度の酸素析出物を形成可能なシリコンエピタキシャルウェーハを提供する。
Abstract translation: 硅外延晶片（100），其包含通过CZ工艺制造并掺杂有硼的硅单晶衬底（1），以显示电阻率为0.009至0.012O·cm，并且在其上提供硅外延层（2）。 在构成硅外延晶片（100）的硅单晶衬底（1）中，存在密度为= 1×10
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公开(公告)号：WO2007114033A1
公开(公告)日：2007-10-11
申请号：PCT/JP2007/055476
申请日：2007-03-19
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L21/02395 , H01L21/02433 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02505 , H01L21/02543 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/0066
Abstract: 成長用単結晶基板１上に、第一のＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体からなる発光層部２４と電流拡散層７とをこの順序でエピタキシャル成長する発光素子の製造方法において、成長用単結晶基板１上に発光層部２４を有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長させる有機金属気相成長工程と、発光層部２４上に電流拡散層７をハイドライド気相成長法によりエピタキシャル成長するハイドライド気相成長工程とをこの順序で実施する。そして、電流拡散層７を発光層部２４に近い側に位置する低速成長層７ａと該低速成長層７ａに続く高速成長層７ｂとを有するものとして、ハイドライド気相成長工程において低速成長層７ａの成長速度を高速成長層７ｂの成長速度よりも小さく設定して成長する。これにより、ハイドライド気相成長法を用いて厚い電流拡散層を形成する際に、ヒロックの発生を抑制することができる発光素子の製造方法を提供する。
Abstract translation: 本发明提供一种通过在单晶衬底（1）上外延生长第一组III-V族化合物半导体的发光层部分（24）和依次设置的电流扩散层（7）来制造发光元件的方法， 为增长。 制造发光元件的方法包括依次进行金属有机气相外延生长步骤和氢化物气相外延生长步骤。 金属有机气相外延生长步骤包括在单晶衬底（1）上外延生长用于通过金属有机气相外延生长生长的发光层部分（24）。 氢化物气相外延生长步骤包括通过氢化物气相外延生长在发光层部分（24）上外延生长电流扩散层（7）。 在氢化物气相外延生长步骤中，电流扩散层（7）生长为具有位于发光层部分（24）附近的低速生长层（7a）和高速生长层（7b） ）以低速生长层（7a）的生长速度低于高速生长层（7b）的生长速度的方式从低速生长层（7a）继续。 根据上述结构，可以提供一种制造发光元件的方法，其可以通过氢化物气相外延生长来抑制形成厚电流扩散层中的小丘的发生。
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公开(公告)号：WO2006080264A1
公开(公告)日：2006-08-03
申请号：PCT/JP2006/300928
申请日：2006-01-23
Inventor： 久米 史高
IPC: H01L21/66 , C30B29/06 , C30B33/10 , H01L21/306
Abstract: 容量組成が、０．０２以上０．１以下のフッ酸と、０．５以上０．６以下の硝酸と、０．２以上０．２５以下の酢酸と、水とを少なくとも含有する選択エッチング液を用いて、電気抵抗率が１０ｍΩ・ｃｍ未満のシリコン単結晶基板を０．１μｍ／ｍｉｎより大きな速度でエッチングし、前記シリコン単結晶基板の表面にＢＭＤを顕在化させることを特徴とする選択エッチング方法。これにより、従来容易には検出することができなかった電気抵抗率が１０ｍΩ・ｃｍ未満である超低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥、特にＢＭＤの特性を、有害なクロムを含有しないクロムレスのエッチング液を用いて選択エッチングすることにより評価し、利用することを可能にする、選択エッチング方法が提供される。
Abstract translation: 一种选择性蚀刻的方法，其特征在于，使用选择性蚀刻剂蚀刻具有<10mO·cm电阻率的硅单晶衬底，至少包含体积组成为0.02至0.1的氢氟酸，0.5至 0.6的硝酸，0.2-0.25的乙酸和水以大于0.1μm/ min的速率，以便在硅单晶衬底的表面上显示出BMD。 因此，可以提供一种选择性蚀刻的方法，其中可以评估和利用晶体缺陷特性，特别是容易检测不可行的<10mO·cm电阻率的超低电阻率硅单晶衬底的BMD 通过使用不含有铬的无铬蚀刻剂进行选择性蚀刻。
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公开(公告)号：WO2006008915A1
公开(公告)日：2006-01-26
申请号：PCT/JP2005/011749
申请日：2005-06-27
IPC: H01L21/322
CPC classification number: H01L21/3225 , C30B25/20 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/02381 , H01L21/02532
Abstract: シリコンエピタキシャルウェーハ１００は、ＣＺ法により製造され、かつ、抵抗率が０．０１８Ω・ｃｍ以下となるようにボロンがドープされたシリコン単結晶基板１上に、シリコンエピタキシャル層２を形成してなる。シリコンエピタキシャルウェーハ１００を構成するシリコン単結晶基板１中には、密度１×１０ ８ ｃｍ －３ 以上３×１０ ９ ｃｍ －３ 以下のバルク積層欠陥１３を有する。これにより、ボロンドープによる抵抗率０．０１８Ω・ｃｍ以下のｐ ＋ ＣＺ基板を使用するとともに、酸素析出物が観察困難な寸法となっているにも関わらず、ＩＧ効果は十分に確保でき、かつ、基板の反りや変形などの問題も生じ難くなるよう、該酸素析出物の形成状態を適性化できるシリコンエピタキシャルウェーハを提供する。
Abstract translation: 硅外延晶片（100）包括通过CZ工艺制造并掺杂有硼的硅单晶衬底（1），以显示电阻率= 0.018O·cm，并且叠加在硅外延层（2）上。 在作为硅外延晶片（100）的组成部分的硅单晶衬底（1）中，存在1×10
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