公开(公告)号：WO2023059827A1

公开(公告)日：2023-04-13

申请号：PCT/US2022/045941

申请日：2022-10-06

申请人： ENTEGRIS, INC.

发明人： BATTLE, Scott L. ,  THOMAS, Jacob ,  OLSON, Benjamin H. ,  GREGG, John N.

IPC分类号： C23C16/448 ,  C23C16/45544

摘要： A modular tray for an ampoule of a delivery system of solid precursor materials used in Atomic Layer Deposition (ALD) processes, Chemical Vapor Deposition (CVD) processes or both. The modular tray is configured with separate components which can enhance the ease of which the modular tray can be inserted into the ampoule, and the tray is configured to make improved contact with inner wall surfaces of the ampoule to provide improved heat transfer from the inner wall to the modular tray and ultimately to the solid precursor materials disposed on the modular tray.

公开(公告)号：WO2023010001A1

公开(公告)日：2023-02-02

申请号：PCT/US2022/074140

申请日：2022-07-26

申请人： VERSUM MATERIALS US, LLC

发明人： PILTZ, Thomas W. ,  SEIDEL, Mason ,  ESCHBACH, Robert ,  BAILEY, Wade Hampton ,  EBELING, David B. ,  FATIMA, Syedah Yusra ,  RIDER, David M. ,  CABLE, Shawn S.

IPC分类号： C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

摘要： A heated enclosure for optimized sublimation of solid-phase semiconductor process materials and subsequent delivery of the resultant vapor. The enclosure has a hollow housing which is insulated to retain heat within the enclosure. The enclosure further has at least two independent heated zones with independent temperature controls and dedicated overtemperature protection defining an upper heated zone and a lower heated zone and being located in the housing. The lower heated zone is configured to accept a container storing a solid-phase semiconductor process material. The enclosure still further has a removable and height-adjustable divider plate being made of an insulation material, separating the upper heated zone and the lower heated zone, and minimizing heat transfer between the upper heated zone and the lower heated zone.

公开(公告)号：WO2022270019A1

公开(公告)日：2022-12-29

申请号：PCT/JP2022/009512

申请日：2022-03-04

申请人： 株式会社堀場エステック

发明人： 志水　徹

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/304 ,  C23C16/448

摘要： 本発明は、迂回動作から原料ガス生成動作に切り替える際に生じる原料ガスの濃度のオーバーシュートを抑えるものであり、原料を収容したタンク内にキャリアガスを導入し、原料をバブリングによって気化して原料ガスを導出する原料ガス生成動作、及び、キャリアガスをバイパス路に流して、タンクから迂回させる迂回動作を行う原料気化装置に用いられる濃度制御モジュールであって、原料ガス生成動作においては濃度制御を行い、迂回動作においては圧力制御を行う。

公开(公告)号：WO2022247633A1

公开(公告)日：2022-12-01

申请号：PCT/CN2022/092128

申请日：2022-05-11

申请人： 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司

发明人： 宗坚

IPC分类号： C23C16/513 ,  C23C16/50 ,  C23C16/448 ,  C23C14/48 ,  C09D183/04 ,  C23C16/42 ,  C23C16/30 ,  B05D7/24 ,  B05D3/14 ,  B05D5/08

摘要： 本发明具体实施方式提供一种等离子体聚合涂层，所述等离子体聚合涂层由基材接触包含具有芳香基或环氧基的有机硅烷单体的等离子体沉积形成，由包含该单体的等离子体沉积形成的涂层，可有效提升其涂层的耐磨性。

公开(公告)号：WO2022181885A1

公开(公告)日：2022-09-01

申请号：PCT/KR2021/006602

申请日：2021-05-27

申请人： (주)지오엘리먼트

发明人： 김대현 ,  이영종 ,  이희준 ,  정근태 ,  윤성한 ,  오진욱 ,  신은영 ,  신현국

IPC分类号： G01F23/00 ,  G01F23/04 ,  G01K7/02 ,  G01D7/00 ,  C23C16/448 ,  H01L21/02 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

摘要： 일 실시예에 따르면, 기화 가스 배관(OL)을 통해서 이동되는 기화 가스의 양을 측정하고 조절하기 위해 기화 가스 배관(OL)과 동작적으로 결합된 고온 질량유량제어기(400); 및 기화 가스 배관(OL)을 통해서 이동되는 기화 가스의 온도를 조절하기 위해서, 기화 가스 배관(OL)과 열적으로 결합된 제1 가스온도부스터(300);를 포함하며, 제1 가스온도부스터(300)는 고온 질량유량제어기(400)와 캐니스터(10)와의 사이의 배관에 위치된 것인, 고순도 전구체를 위한 기화 시스템이 개시된다.

公开(公告)号：WO2022163988A1

公开(公告)日：2022-08-04

申请号：PCT/KR2021/017450

申请日：2021-11-25

申请人： 엠케이피 주식회사

发明人： 박성준 ,  이희재 ,  전석환

IPC分类号： H01L21/67 ,  G05D7/06 ,  C23C16/448

摘要： 본 발명은 액체 소스를 기화시켜 프로세스 챔버로 공급하는 액체 소스 공급 시스템을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 액체 소스 공급 시스템은 내부로 유입되는 액체 소스의 유량을 제어하도록 구성되는 액체 질량 유량 제어기와, 액체 소스를 기화시키도록 구성되는 기화기와, 액체 질량 유량 제어기와 기화기를 서로 연결하여 액체 질량 유량 제어기에서 토출된 액체 소스를 기화기로 안내하도록 구성되는 연결관을 포함하고, 액체 질량 유량 제어기는 연결관에서 기화기로 유입되는 액체 소스의 유입량에 비례하여, 내부로 유입되는 액체 소스의 유량을 제어한다.

公开(公告)号：WO2022031485A1

公开(公告)日：2022-02-10

申请号：PCT/US2021/043376

申请日：2021-07-28

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： WANG, Huiyuan ,  KUSTRA, Rick ,  QI, Bo ,  MALLICK, Abhijit Basu ,  ALAYAVALLI, Kaushik ,  PINSON, Jay D.

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  C23C16/30 ,  C23C16/448 ,  C23C16/505 ,  C23C16/32 ,  C23C16/342 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/401 ,  C23C16/50 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262

摘要： Examples of the present technology include semiconductor processing methods to form boron-containing materials on substrates. Exemplary processing methods may include delivering a deposition precursor that includes a boron-containing precursor to a processing region of a semiconductor processing chamber. A plasma may be formed from the deposition precursor within the processing region of the semiconductor processing chamber. The methods may further include depositing a boron-containing material on a substrate disposed within the processing region of the semiconductor processing chamber, where the substrate is characterized by a temperature of less than or about 50 °C. The as-deposited boron-containing material may be characterized by a surface roughness of less than or about 2 nm, and a stress level of less-than or about -500 MPa. In some embodiments, a layer of the boron-containing material may function as a hardmask.

公开(公告)号：WO2022018965A1

公开(公告)日：2022-01-27

申请号：PCT/JP2021/020190

申请日：2021-05-27

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 小森　栄一 ,  岡部　庸之 ,  大倉　成幸

IPC分类号： C23C16/448 ,  H01L21/31

摘要： 液体原料を気化する気化器は、その中で液体原料が気化される容器と、容器内に液体原料を噴霧しミストを生成するノズルと、容器内に加熱光を照射する加熱ランプと、容器内に設けられ、加熱ランプからの加熱光で加熱可能な材料で構成され、加熱ランプからの加熱光が裏面側に照射されて加熱されるとともに、表面側にミストが供給され、ミストを加熱して気化させる加熱部材と、加熱部材の温度を制御する温度制御部と、ミストが気化して生成された原料ガスを前記容器から排出する原料ガス排出口とを有する。

公开(公告)号：WO2021231115A1

公开(公告)日：2021-11-18

申请号：PCT/US2021/030414

申请日：2021-05-03

申请人： TOKYO ELECTRON LIMITED ,  TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC.

发明人： DIP, Anthony

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/448

摘要： A layer is deposited on a substrate using atomic oxygen in an atomic layer deposition (ALD) process. The gases used to generate atomic oxygen are mixed and heated within a gas activation chamber. In one embodiment, the gas activation chamber is positioned beneath a showerhead of a spatial ALD system for receiving one or more gases injected from the showerhead. The gases are mixed within the gas activation chamber and passed over a hot surface to produce reaction byproducts, including atomic oxygen. The hot surface heats the gas mixture to a high temperature (e.g., above 550C) sufficient to produce meaningful concentrations of atomic oxygen. The gas activation chamber then transports the heated gas mixture containing the atomic oxygen to the substrate surface at an elevated temperature to minimize recombination of the atomic oxygen, the high temperature of the gas activation chamber being higher than the temperature of the substrate.

公开(公告)号：WO2021193114A1

公开(公告)日：2021-09-30

申请号：PCT/JP2021/009855

申请日：2021-03-11

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 関戸　幸一

IPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/14 ,  C23C16/448

摘要： 成膜装置において固体原料容器の誤接続を抑制できる技術を提供する。　成膜用の固体原料を収容する固体原料容器と、前記固体原料容器に機械的に接続され、かつ、電気的な状態を変更な可能な複数の端子と、前記複数の端子の電気的な状態を検出し、検出された電気的な状態に基づいて、前記固体原料の種類を判定する制御部と、を含む、成膜装置が提供される。