Abstract:
Способ относится к области пучково-плазменных технологий и основан на использовании воздействия на материал (изделие) катодных пятен вакуумного дугового разряда, возбуждаемого в условиях вакуума между анодом и катодом, которым служит обрабатываемое изделие. Способ включает загрузку материалов (изделий) в камеру, вакуумную откачку камеры, плазменную обработку материалов (изделий) и их выгрузку из камеры. Модификация поверхностных свойств материалов (изделий) осуществляется при инициации в условиях вакуума на их поверхности катодных пятен 1 и/или 2 и/или 3 типа вакуумного дугового разряда и обработкой ими модифицируемой поверхности с поверхностным переплавом. Для реализации этого режима величина давления в камере должна быть не более 1 Па, постоянное или импульсно-периодическое напряжение вакуумного дугового разряда не менее 10 В, ток вакуумного дугового разряда не менее 1 А. Возбуждение и поддержание вакуумного дугового разряда проводят в остаточном газе, либо в среде нейтрального и/или рабочего газа,а локализацию катодных пятен на обрабатываемой поверхности и управление их перемещением по поверхности осуществляют магнитным полем.