公开(公告)号：WO2018196071A1

公开(公告)日：2018-11-01

申请号：PCT/CN2017/085839

申请日：2017-05-25

申请人： 武汉华星光电技术有限公司

发明人： 刘思洋

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C23C14/3492 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/52 ,  C23C14/54 ,  C23C14/56 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3476

摘要： 一种物理溅射成膜装置，包括真空的腔体（1）；设于真空的腔体（1）内的基板台（2），其上设有待成膜的基板（21）；设于真空的腔体（1）内的靶材（3），其与基板（21）相对设置；至少一个方阻计（4），其与靶材（3）相接以用于实时测定靶材的实际电阻值；激发源，其用于轰击靶材（3）使其溅射出靶材原子；控制系统（6），其与所述方阻计（4）相接。物理溅射成膜装置结构简单，能够实时监测靶材（3）的消耗情况，有效避免靶材（3）击穿造成背板（31）损伤及产品异常，提高产品良率，同时还可以提高靶材（3）使用效率，避免靶材（3）未使用完成造成材料浪费。

公开(公告)号：WO2017128471A1

公开(公告)日：2017-08-03

申请号：PCT/CN2016/074612

申请日：2016-02-26

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 刘扬 ,  刘亚伟

IPC分类号： C23C14/26

CPC分类号： C23C14/26 ,  C23C14/12 ,  C23C14/243 ,  C23C14/54 ,  H01L51/001 ,  H01L51/56

摘要： 一种真空蒸镀加热装置，包括加热装置外壁(3)、设于加热装置外壁(3)内部的坩埚(1)、及设于坩埚(1)上的坩埚盖(2)；坩埚(1)与加热装置外壁(3)之间对应坩埚(1)与坩埚盖(2)的外围设有第一加热线圈(11)；坩埚盖(2)的中心设有贯通坩埚盖(2)上下表面的喷口(20)，坩埚盖(2)上对应喷口(20)的外围设有第二加热线圈(21)；第一加热线圈(11)、第二加热线圈(21)分别与电源电性连接并可单独控制进行加热。

公开(公告)号：WO2017112352A1

公开(公告)日：2017-06-29

申请号：PCT/US2016/063840

申请日：2016-11-28

申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.

发明人： CHEN, Tsung-Liang ,  HAUTALA, John ,  LIANG, Shurong ,  OLSON, Joseph

IPC分类号： H01J37/32 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C14/54 ,  C23C14/221 ,  C23C14/48 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32422 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274

摘要： Approaches herein increase a ratio of reactive ions to a neutral species in a plasma processing apparatus. Exemplary approaches include providing a processing apparatus having a plasma source chamber including a first gas inlet, and a deposition chamber coupled to the plasma source chamber, wherein the deposition chamber includes a second gas inlet for delivering a point of use (POU) gas to an area proximate a substrate disposed within the deposition chamber. Exemplary approaches further include generating an ion beam for delivery to the substrate, and modifying a pressure within the deposition chamber in the area proximate the substrate to increase an amount of reactive ions present for impacting the substrate when the ion beam is delivered to the substrate.

摘要翻译： 本文的方法增加等离子体处理设备中反应离子与中性物种的比率。 示例性方法包括提供具有等离子体源室的处理设备，该等离子体源室包括第一气体入口和耦合到等离子体源室的沉积室，其中该沉积室包括第二气体入口，用于将使用点（POU）气体输送到 区域靠近设置在沉积室内的衬底。 示例性方法进一步包括生成用于递送到衬底的离子束并且修改靠近衬底的区域中的沉积室内的压力以增加当离子束被递送到衬底时用于冲击衬底的反应离子的量。

公开(公告)号：WO2017029771A1

公开(公告)日：2017-02-23

申请号：PCT/JP2016/002814

申请日：2016-06-10

申请人： 株式会社アルバック

发明人： 中村　真也 ,  藤井　佳詞

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/00

CPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/081 ,  C23C14/35 ,  C23C14/52 ,  C23C14/54 ,  G01L13/00 ,  H01J37/32798 ,  H01J37/32816 ,  H01J37/34

摘要： 真空チャンバ内の雰囲気が成膜に適した状態かを確実に判別できるスパッタリング装置及びその状態判別方法を提供する。　ターゲット２をスパッタリングしてこのターゲットに対向配置される基板Ｗに成膜するスパッタリング装置ＳＭにて、基板への成膜に先立って真空チャンバ内の雰囲気が成膜に適した状態かを判別する本発明のスパッタリング装置の状態判別方法は、スパッタリング装置として、隔絶手段６，７１～７３によってターゲットと基板とが臨む、真空チャンバ内と隔絶された隔絶空間を真空チャンバ内に設け、真空チャンバ内の真空引きに伴って隔絶空間が真空引きされるようにしたものを用い、真空チャンバ内を予め設定された圧力まで真空引きし、この状態でガスを導入し、このときの隔絶空間内の圧力を取得し、所定の膜厚・膜質面内分布で成膜したときに予め求めた前記隔絶空間内の圧力を基準圧力とし、この基準圧力と前記取得した隔絶空間内の圧力とを比較してスパッタリング装置の状態を判別する第１の判別工程を含む。

摘要翻译： 提供了一种溅射装置和用于确定其状态的方法，其可以可靠地确定真空室中的气氛是否适于成膜。 用于确定溅射装置的状态的方法对于通过溅射目标而设置在与靶2相对的基板W上形成膜的溅射装置SM确定真空室中的气氛是否处于适当的状态 用于在基底上形成膜之前的成膜。 该方法中使用的溅射装置是一种溅射装置，其在真空室中包括通过分离装置6,71-73与真空室隔离的空间。 隔离空间包括目标和基板彼此面对，并且由于真空室的排空而被排空。 在该状态下，将真空室抽真空至预定压力并将气体引入真空室。 此时，获得隔离空间的压力。 作为参考压力，在形成具有预定的面内厚度和质量分布的膜的情况下，预先确定隔离空间的压力。 该方法包括第一确定步骤，比较分离空间的参考压力和获得的压力，以确定溅射装置的状态。

公开(公告)号：WO2016188191A1

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：PCT/CN2016/076133

申请日：2016-03-11

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

发明人： 王建强 ,  马群 ,  修海志 ,  吕玉武 ,  闵天圭

IPC分类号： C23C14/26 ,  C23C14/54

CPC分类号： C23C14/26 ,  C23C14/243 ,  C23C14/54 ,  C23C14/542

摘要： 一种蒸镀装置（100），包括：第一加热部（110）；导热部（120），导热部（120）包括第一导热构件（121）以及环绕第一导热构件（121）并与第一导热构件（121）间隔预定距离的第二导热构件（122），第一导热构件（121）与第二导热构件（122）之间的空间用于放置蒸镀材料，导热部（120）用于将第一加热部（110）散发的热量传导至蒸镀材料并使蒸镀材料升华；喷射部（130），喷射部（130）用于将通过导热部（120）加热升华的蒸镀材料喷出。以及一种包括蒸镀装置（100）的蒸镀系统。

公开(公告)号：WO2016155150A1

公开(公告)日：2016-10-06

申请号：PCT/CN2015/084309

申请日：2015-07-17

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 袁广才

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C23C14/54 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/542 ,  C23C14/562

摘要： 一种溅射装置(10)，包括真空腔，真空腔中设有衬底背板(11)，以及与衬底背板(11)相对的多根可旋转的靶材(12)，任意相邻的两根靶材(12)之间的距离(D)为160mm～220mm。

公开(公告)号：WO2016141673A1

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：PCT/CN2015/086857

申请日：2015-08-13

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥京东方光电科技有限公司

发明人： 井杨坤

IPC分类号： C23C14/24 ,  C23C14/12

CPC分类号： C23C14/12 ,  C23C14/228 ,  C23C14/24 ,  C23C14/54 ,  H01L51/0003

摘要： 一种有机材料蒸汽的增压喷射沉积装置，包括混合匀压腔室(9)、有机材料蒸汽源(8)、高压载气供给装置(10)、压电增压装置(12)及喷嘴(13)，有机材料蒸汽源(8)、高压载气供给装置(10)均与混合匀压腔室(9)连接，混合匀压腔室(9)的出口通过压电增压装置(12)与喷嘴(13)连接，有机材料蒸汽源(8)中有机材料蒸汽进入混合匀压腔室(9)内，与通入的载气混合形成载流混合气。在压电增压装置(12)的作用下，载流混合气经过压电增压装置(12)从喷嘴(13)高速喷出，形成高度准直的射流。射流撞击沉积基板(3)，从而沉积基板(3)选择性物理吸收有机材料分子，载气则逸出，形成分辨率较高的有机膜。以及一种有机材料蒸汽的增压喷射沉积方法。

公开(公告)号：WO2016114225A1

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：PCT/JP2016/050441

申请日：2016-01-08

申请人： 日東電工株式会社

发明人： 飯塚　金吾 ,  肥田　加奈子 ,  垣内　良平

IPC分类号： C23C14/12 ,  C23C14/24 ,  C23C14/54 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC分类号： C23C14/12 ,  C23C14/24 ,  C23C14/54 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

摘要： 【課題】　基材に対する各有機蒸着材料の蒸着量を正確に制御できる有機蒸着膜の製造方法を提供する。 【解決手段】　本発明は、内部を真空状態に保持したチャンバー２と、前記チャンバー２内に放出する有機蒸着材料３１を含むｎ個の蒸着源３と、前記ｎ個の蒸着源３に対応して前記有機蒸着材料３の放出レートを測定するｎ個の放出レートセンサ４と、を有する蒸着膜製造装置１を準備する準備工程と、前記蒸着膜製造装置１を用いて各放出レートセンサ４に対する各有機蒸着材料３１の混入率を算出する前工程と、全ての有機蒸着材料３１を同時に前記チャンバー２内に放出することにより前記チャンバー２内に導入した基材５の表面に有機蒸着膜を形成する蒸着工程と、を有する。

摘要翻译： [问题]提供一种制造有机气相沉积膜的方法，由此能够精确地控制沉积在基板上的有机气相沉积材料的量。 [方案]本发明具有：制备具有保持真空状态的室2的蒸镀膜制造装置1的制备工序，n包含有机气相沉积材料31的气相沉积源3被排放到室2中 ，以及n个发射率传感器4，用于测量与n个蒸镀源3对应的有机气相沉积材料31的排出速率; 使用蒸镀膜制造装置1计算各有机气相沉积材料31相对于每个排放速率传感器4的混合比的前置步骤; 以及将所有有机气相沉积材料31同时发射到室2中并由此在引入室2的基板5的表面上形成有机气相沉积膜的气相沉积步骤。

公开(公告)号：WO2016095975A1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：PCT/EP2014/078056

申请日：2014-12-16

申请人： APPLIED MATERIALS, INC. ,  SEVERIN, Daniel ,  BENDER, Marcus ,  HANIKA, Markus ,  LINDENBERG, Ralph

发明人： SEVERIN, Daniel ,  BENDER, Marcus ,  HANIKA, Markus ,  LINDENBERG, Ralph

IPC分类号： C23C14/50 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35 ,  C23C14/56 ,  C23C14/54 ,  H01J37/34 ,  C23C14/00 ,  H01J37/32

CPC分类号： C23C14/562 ,  C23C14/0063 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/352 ,  C23C14/54 ,  C23C14/542 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/347

摘要： According to embodiments, an apparatus and a method for coating a substrate are provided. The apparatus includes a vacuum process chamber. The vacuum process chamber includes a gas inlet assembly and a sputter assembly. The gas inlet assembly includes at least one connector for connecting to one or more process gas sources. The sputter assembly includes a sputter source. The sputter assembly is movable in the vacuum process chamber. The apparatus further includes a controller. The controller is configured for controlling, in dependence of a current position of the sputter source in the vacuum process chamber, at least one of: a flow of a process gas introduced through the gas inlet assembly into the vacuum process chamber, a composition of the process gas introduced through the gas inlet assembly into the vacuum process chamber, and a distribution of the process gas introduced through the gas inlet assembly into the vacuum process chamber. The controller may additionally or alternatively be configured for controlling a gas flow pumped out of the vacuum process chamber.

摘要翻译： 根据实施例，提供了一种用于涂覆基板的装置和方法。 该装置包括真空处理室。 真空处理室包括气体入口组件和溅射组件。 气体入口组件包括用于连接到一个或多个处理气体源的至少一个连接器。 溅射组件包括溅射源。 溅射组件可在真空处理室中移动。 该装置还包括控制器。 控制器被配置为根据真空处理室中的溅射源的当前位置来控制以下中的至少一个：通过气体入口组件引入真空处理室的工艺气体的流动， 通过气体入口组件引入真空处理室的工艺气体，以及通过气体入口组件引入到真空处理室中的工艺气体的分布。 控制器可以附加地或替代地被配置为用于控制从真空处理室抽出的气流。

公开(公告)号：WO2016060952A1

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：PCT/US2015/054892

申请日：2015-10-09

申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.

发明人： EVANS, Morgan D. ,  ANGLIN, Kevin ,  DISTASO, Daniel ,  HAUTALA, John ,  SHERMAN, Steven Robert ,  OLSON, Joseph C.

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32009 ,  C23C14/221 ,  C23C14/48 ,  C23C14/54 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32752 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/336 ,  H01J2237/3365

摘要： A system and method for processing a workpiece is disclosed. A plasma chamber is used to create a ribbon ion beam, extracted through an extraction aperture. A workpiece is translated proximate the extraction aperture so as to expose different portions of the workpiece to the ribbon ion beam. As the workpiece is being exposed to the ribbon ion beam, at least one parameter associated with the plasma chamber is varied. The variable parameters include extraction voltage duty cycle, workpiece scan velocity and the shape of the ion beam. In some embodiments, after the entire workpiece has been exposed to the ribbon ion beam, the workpiece is rotated and exposed to the ribbon ion beam again, while the parameters are varied. This sequence may be repeated a plurality of times.

摘要翻译： 公开了一种用于处理工件的系统和方法。 使用等离子体室来产生通过提取孔提取的带状离子束。 工件靠近提取孔平移，以使工件的不同部分暴露于带状离子束。 当工件暴露于带状离子束时，与等离子体室相关联的至少一个参数是变化的。 可变参数包括提取电压占空比，工件扫描速度和离子束的形状。 在一些实施例中，在整个工件已经暴露于带状离子束之后，工件被旋转并再次暴露于带状离子束，同时改变参数。 该序列可以重复多次。