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公开(公告)号：WO2004079828A1
公开(公告)日：2004-09-16
申请号：PCT/JP2003/002443
申请日：2003-03-03
IPC: H01L29/94
CPC classification number: H01L29/0684 , H01L27/0808 , H01L29/42312 , H01L29/93 , H01L29/94
Abstract: ｐ型半導体基板２中にｎウェル３を形成する。ｐ型半導体基板２およびｎウェル３にゲート絶縁膜４を形成し、ゲート絶縁膜４上にゲート電極６を形成する。ｐ型半導体基板２、ｎウェル３および両者をまたぐ領域の表面にゲート絶縁膜４と隣接して高濃度のｎ型不純物が選択的に拡散されたソース層８が形成される。また、このソース層８と離間して、高濃度のｐ型不純物が選択的に拡散されたコンタクト層１１が形成される。ソース層８とゲート電極６との間に端子間電圧ＶＴを印加することにより、端子間電圧ＶＴに対して広範囲で線形性の良い容量特性を得ることができる。端子間電圧ＶＴに対して広範囲で線形性の良い特性を得られ、ＶＣＯ回路等の性能改善に寄与すると共に、構造が簡単でマスクおよび工程の追加の必要なく製造できる、ＭＯＳ型可変容量素子を提供することができる。
Abstract translation: n型阱（3）形成在p型半导体衬底（2）中。 在p型半导体衬底（2）和n阱（3）上形成栅极绝缘膜（4）。 栅电极（6）形成在栅极绝缘膜（4）上。 在p型半导体衬底（2）和p型半导体衬底（2）上延伸的区域的表面中形成与栅绝缘膜（4）相邻的源极层（8），其中高浓度的n型杂质被选择性地扩散到其中 n井（3）。 隔开源极层（8），形成有选择性扩散高浓度p型杂质的接触层（11）。 当在源极层（8）和栅电极（6）之间施加端子间电压VT时，实现了相对于端子间电压VT的宽范围内良好线性度的电容特性， 从而有助于例如VCO电路的性能改进。 可以在不使用任何掩模并且添加制造步骤的情况下制造具有简单结构的该MOS可变电容性器件。
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公开(公告)号：WO2008114455A1
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：PCT/JP2007/055773
申请日：2007-03-21
Applicant: 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 , 冨田 和広
Inventor： 冨田 和広
CPC classification number: H03B5/04 , H03H19/004
Abstract: スイッチ素子のオン抵抗及び寄生容量を小さくして、スイッチ素子の動作特性を向上させ得るスイッチング容量生成回路（１２ａ）。第一及び第二出力端子を有するスイッチング容量生成回路（１２ａ）は、前記第一出力端子に接続された第一容量（Ｃ１ａ）と、前記第二出力端子に接続された第二容量（Ｃ１ｂ）と、前記第一及び第二容量間に接続された一つのスイッチ素子（Ｔ５）とを備える。
Abstract translation: 一种用于通过降低开关元件的导通电阻和寄生电容来增强开关元件的操作特性的开关量产生电路（12a）。 具有第一和第二输出端的开关量产生电路（12a）包括与第一输出端子连接的第一电容器（C1a），与第二输出端子连接的第二电容器（C1b）和连接在第二输出端子之间的一个开关元件（T5） 第一和第二电容器。
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公开(公告)号：WO2006006239A1
公开(公告)日：2006-01-19
申请号：PCT/JP2004/010030
申请日：2004-07-14
Inventor： 冨田 和広
IPC: H03H7/21
CPC classification number: H03H7/21
Abstract: 略４５度の位相差を有し、互いに振幅が等しい複数組の９０度の位相補正が施された直交位相信号の中で位相差が４５度とされる信号をベクトル合成し、当該ベクトル合成により得られる信号を出力する４５度位相補正器（４）を移相回路に設け、異なる組の直交位相信号間の位相誤差をベクトル合成して除去し、その位相差を４５度に正確に補正することができるようにする。
Abstract translation: 一种相移电路，具有45°相位校正器（4），对具有大约45°的相位差并相互相等的幅度的多组正交相位信号中具有45°相位差的信号执行矢量合成，并且分别是 进行90°相位校正，并输出通过矢量合成产生的信号。 通过矢量合成可以消除不同组的正交相位信号之间的相位误差，可以将相位差准确地校正为45°。
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