公开(公告)号：WO2004079828A1

公开(公告)日：2004-09-16

申请号：PCT/JP2003/002443

申请日：2003-03-03

Applicant: 富士通株式会社 ,  小川 隆興 ,  冨田 和広 ,  青木 考樹

Inventor： 小川 隆興 ,  冨田 和広 ,  青木 考樹

IPC: H01L29/94

CPC classification number: H01L29/0684 ,  H01L27/0808 ,  H01L29/42312 ,  H01L29/93 ,  H01L29/94

Abstract: 　ｐ型半導体基板２中にｎウェル３を形成する。ｐ型半導体基板２およびｎウェル３にゲート絶縁膜４を形成し、ゲート絶縁膜４上にゲート電極６を形成する。ｐ型半導体基板２、ｎウェル３および両者をまたぐ領域の表面にゲート絶縁膜４と隣接して高濃度のｎ型不純物が選択的に拡散されたソース層８が形成される。また、このソース層８と離間して、高濃度のｐ型不純物が選択的に拡散されたコンタクト層１１が形成される。ソース層８とゲート電極６との間に端子間電圧ＶＴを印加することにより、端子間電圧ＶＴに対して広範囲で線形性の良い容量特性を得ることができる。端子間電圧ＶＴに対して広範囲で線形性の良い特性を得られ、ＶＣＯ回路等の性能改善に寄与すると共に、構造が簡単でマスクおよび工程の追加の必要なく製造できる、ＭＯＳ型可変容量素子を提供することができる。

Abstract translation: n型阱（3）形成在p型半导体衬底（2）中。 在p型半导体衬底（2）和n阱（3）上形成栅极绝缘膜（4）。 栅电极（6）形成在栅极绝缘膜（4）上。 在p型半导体衬底（2）和p型半导体衬底（2）上延伸的区域的表面中形成与栅绝缘膜（4）相邻的源极层（8），其中高浓度的n型杂质被选择性地扩散到其中 n井（3）。 隔开源极层（8），形成有选择性扩散高浓度p型杂质的接触层（11）。 当在源极层（8）和栅电极（6）之间施加端子间电压VT时，实现了相对于端子间电压VT的宽范围内良好线性度的电容特性， 从而有助于例如VCO电路的性能改进。 可以在不使用任何掩模并且添加制造步骤的情况下制造具有简单结构的该MOS可变电容性器件。