公开(公告)号：WO2010084844A1

公开(公告)日：2010-07-29

申请号：PCT/JP2010/050514

申请日：2010-01-18

Applicant: 株式会社神戸製鋼所 ,  大西 隆 ,  水野 雅夫 ,  坂本 真之 ,  佐藤 大樹 ,  小濱 和之 ,  伊藤 和博 ,  村上 正紀

Inventor： 大西　隆 ,  水野　雅夫 ,  坂本　真之 ,  佐藤　大樹 ,  小濱　和之 ,  伊藤　和博 ,  村上　正紀

IPC: H01L21/3205 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/53233 ,  C23C14/185 ,  C23C14/5806 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　本発明は、半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部にＣｕ－Ｔｉ合金が直接埋め込まれてなる半導体装置のＣｕ系配線の製造方法であって、前記Ｃｕ－Ｔｉ合金が、Ｔｉを０．５原子％以上３．０原子％以下含むものであり、かつ、前記Ｃｕ－Ｔｉ合金をスパッタリング法で形成し、該Ｃｕ－Ｔｉ合金を前記凹部に埋め込む時または埋め込み後に、該Ｃｕ－Ｔｉ合金を下記加熱条件で加熱する工程を含むことを特徴とする。これにより、例えばＵＬＳＩ（超大規模集積回路）等に代表されるＳｉ半導体デバイス等の半導体装置において、高性能（低電気抵抗率）かつ高信頼性（高ＥＭ耐性）を示すＣｕ系配線を提供することができる。 （加熱条件）　加熱温度：３５０～６００℃　加熱時間：１０～１２０ｍｉｎ　室温から上記加熱温度までの昇温速度：１０℃／ｍｉｎ.以上　加熱雰囲気における酸素分圧：１×１０ －７ ～１×１０ －４ ａｔｍ

Abstract translation: 公开了一种在半导体器件中制造Cu基布线的方法，其中Cu-Ti合金直接埋在形成在半导体衬底上的绝缘膜中的凹槽中。 该方法的特征在于，通过溅射形成Cu-Ti合金，并且含有不小于0.5原子％但不大于3.0原子％的Ti，并且其中在加热下加热Cu-Ti合金 在Cu-Ti合金埋入凹部中或之后进行下述规定的条件。 因此，例如可以在例如以半导体器件（例如以ULSI为代表的半导体器件）中获得表现出高性能（低电阻率）和高可靠性（高EM电阻）的Cu基布线。 大规模集成电路）。 （加热条件）加热温度：350-600℃加热时间：10-120分钟从室温到上述加热温度的升温速度：10℃/分钟以上加热气氛中的氧分压：1× 10-7〜1×10-4个原子

公开(公告)号：WO2010007951A1

公开(公告)日：2010-01-21

申请号：PCT/JP2009/062618

申请日：2009-07-10

Applicant: 株式会社神戸製鋼所 ,  大西 隆 ,  水野 雅夫 ,  伊藤 弘高 ,  小濱 和之 ,  伊藤 和博 ,  着本 享 ,  村上 正紀

Inventor： 大西　隆 ,  水野　雅夫 ,  伊藤　弘高 ,  小濱　和之 ,  伊藤　和博 ,  着本　享 ,  村上　正紀

IPC: H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76867 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　本発明は、絶縁膜とＣｕ配線の界面に、Ｃｕ配線の電気抵抗率を高めることなく、ＴｉＯ ２ 層とは異なるバリア層を形成した半導体配線を提供する。本発明は、半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部に、Ｔｉを含有するＣｕ配線が埋め込まれた半導体配線であり、前記絶縁膜と前記Ｃｕ配線の間にはＴｉＣ層が形成される。前記絶縁膜は、ＳｉＣＯまたはＳｉＣＮであるとよい。前記ＴｉＣ層の厚みは、３～３０ｎｍであるとよい。

Abstract translation: 提供一种半导体布线，其中在不增加Cu布线的电阻率的情况下，在绝缘膜和Cu布线之间的界面上形成不同于TiO 2层的阻挡层。 在半导体布线中，将包含Ti的Cu布线嵌入在半导体基板上布置在绝缘膜上的凹部中，并且在绝缘膜和Cu布线之间形成TiC层。 绝缘膜优选由SiCO或SiCN构成。 TiC层的厚度优选为3-30nm。