公开(公告)号：WO2010018864A1

公开(公告)日：2010-02-18

申请号：PCT/JP2009/064338

申请日：2009-08-14

Applicant: 株式会社神戸製鋼所 ,  大西 隆 ,  三木 綾 ,  後藤 裕史 ,  水野 雅夫 ,  伊藤 弘高 ,  富久 勝文

Inventor： 大西　隆 ,  三木　綾 ,  後藤　裕史 ,  水野　雅夫 ,  伊藤　弘高 ,  富久　勝文

IPC: C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  G02F1/1343 ,  G09F9/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L23/53233 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/265 ,  H01L2924/00

Abstract: 　本発明は、Ｃｕ系材料の特徴である低電気抵抗を維持しつつ、ガラス基板との密着性に優れた、表示装置用Ｃｕ合金膜を提供する。本発明は、基板上にて、ガラス基板と直接接触する配線である表示装置用Ｃｕ合金膜であって、該Ｃｕ合金膜は、Ｔｉ、ＡｌおよびＭｇよりなる群から選択される１種以上の元素を合計で０．１～１０．０原子％含有する表示装置用Ｃｕ合金膜に関する。本発明は、前記表示装置用Ｃｕ合金膜を含む薄膜トランジスタを備える表示装置も含むものである。該表示装置としては、該薄膜トランジスタがボトムゲート型構造を有し、該薄膜トランジスタのゲート電極および走査線が前記表示装置用Ｃｕ合金膜を含み、ガラス基板に直接接触されている態様が好ましい。

Abstract translation: 公开了一种用于显示装置的Cu合金膜，其具有与玻璃基板的高粘合性，同时保持Cu基材料的低电阻特性。 Cu合金膜是与板上的玻璃基板直接接触的布线，并且含有0.1〜10.0原子％的一种以上选自Ti，Al，Mg的元素。 还公开了包括包含Cu合金膜的薄膜晶体管的显示装置。 在显示装置的优选实施例中，薄膜晶体管具有底栅型结构，并且薄膜晶体管中的栅电极和扫描线包括Cu合金膜并与玻璃基板直接接触。

公开(公告)号：WO2009054466A1

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：PCT/JP2008/069256

申请日：2008-10-23

Applicant: 株式会社神戸製鋼所 ,  大西 隆 ,  三木 綾 ,  後藤 裕史 ,  水野 雅夫 ,  伊藤 弘高 ,  富久 勝文

Inventor： 大西 隆 ,  三木 綾 ,  後藤 裕史 ,  水野 雅夫 ,  伊藤 弘高 ,  富久 勝文

IPC: G09F9/00 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414 ,  H01L23/53233 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　本発明は、電気抵抗率が従来のＣｕ合金膜よりも低く、且つ、バリアメタルを形成せずとも透明導電膜との間で低コンタクト抵抗の直接接続を実現でき、液晶ディスプレイなどに適用した場合に高い表示品質を与えることのできる表示装置用Ｃｕ合金膜を提供する。本発明は、基板上にて、透明導電膜に直接接続する表示装置用Ｃｕ合金膜であって、Ｇｅを０．１～０．５原子％含有し、かつＮｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、及びＣｏよりなる群から選択される１種以上を合計で０．１～０．５原子％含有することを特徴とする表示装置用Ｃｕ合金膜に関する。

Abstract translation: 本发明提供一种用于显示装置的Cu合金膜，其具有比常规Cu合金膜更低的电阻，可以实现低接触电阻与透明导电膜的直接连接，而不形成任何阻挡金属，并且当应用于液体 水晶显示器等可以提供高显示质量。 用于显示装置的Cu合金膜直接连接到基板上的透明导电膜上，其特征在于包含0.1至0.5原子％的Ge和0.1至0.5原子％的总计的至少一种选自以下的金属： 镍，锌，铁和钴

公开(公告)号：WO2010084698A1

公开(公告)日：2010-07-29

申请号：PCT/JP2009/071799

申请日：2009-12-28

Applicant: 株式会社神戸製鋼所 ,  水野 雅夫

Inventor： 水野　雅夫

IPC: C09K11/56 ,  C09K11/02 ,  C09K11/08 ,  C09K11/84

CPC classification number: C09K11/7721 ,  C03C17/008 ,  C03C2217/452 ,  C03C2217/475 ,  C03C2217/48 ,  H05B33/14

Abstract: 　本発明は、高温の熱処理を行うことなく、発光色の制御が可能な蛍光体を提供する。本発明は、硫化物の微粒子がアモルファス酸化物中に微細分散した薄膜蛍光体である。前記硫化物はＺｎ、Ｃｅ及びＳで形成され、前記酸化物はＳｉ及びＯで形成される。前記硫化物に含まれるＺｎ、Ｃｅ及びＳは、前記硫化物を形成するＺｎ、Ｃｅ、Ｓの原子数の合計を１００とした場合に、Ｚｎが５．０以上５５．０以下であり、Ｃｅが０．５以上５５．０以下であり、かつＺｎとＣｅの合計が４０．０以上６０．０以下であることが好ましい。前記酸化物に含まれるＳｉ及びＯは、前記硫化物を形成するＺｎ、Ｃｅ、Ｓの原子数の合計を１００とした場合に、Ｓｉが５．０以上１００．０以下であり、Ｏが８．０以上１２０．０以下であることが好ましい。

Abstract translation: 公开了一种荧光体，其中可以在不进行高温热处理的情况下控制发光的颜色。 具体公开了一种薄膜荧光体，其中硫化物的细颗粒细分散在无定形氧化物中。 硫化物由Zn，Ce和S组成，氧化物由Si和O组成。当构成硫化物的Zn，Ce和S原子的总数为100时，硫化物最好不小于 5.0但不高于55.0的Zn，不小于0.5但不大于55.0的Ce，并且总计不小于40.0但不大于60.0的Zn和Ce。 当构成硫化物的Zn，Ce和S原子的总数为100时，优选氧化物含有不小于5.0且不大于100.0的Si，并且不小于8.0，但不大于120.0。

公开(公告)号：WO2010007951A1

公开(公告)日：2010-01-21

申请号：PCT/JP2009/062618

申请日：2009-07-10

Applicant: 株式会社神戸製鋼所 ,  大西 隆 ,  水野 雅夫 ,  伊藤 弘高 ,  小濱 和之 ,  伊藤 和博 ,  着本 享 ,  村上 正紀

Inventor： 大西　隆 ,  水野　雅夫 ,  伊藤　弘高 ,  小濱　和之 ,  伊藤　和博 ,  着本　享 ,  村上　正紀

IPC: H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76867 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　本発明は、絶縁膜とＣｕ配線の界面に、Ｃｕ配線の電気抵抗率を高めることなく、ＴｉＯ ２ 層とは異なるバリア層を形成した半導体配線を提供する。本発明は、半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部に、Ｔｉを含有するＣｕ配線が埋め込まれた半導体配線であり、前記絶縁膜と前記Ｃｕ配線の間にはＴｉＣ層が形成される。前記絶縁膜は、ＳｉＣＯまたはＳｉＣＮであるとよい。前記ＴｉＣ層の厚みは、３～３０ｎｍであるとよい。

Abstract translation: 提供一种半导体布线，其中在不增加Cu布线的电阻率的情况下，在绝缘膜和Cu布线之间的界面上形成不同于TiO 2层的阻挡层。 在半导体布线中，将包含Ti的Cu布线嵌入在半导体基板上布置在绝缘膜上的凹部中，并且在绝缘膜和Cu布线之间形成TiC层。 绝缘膜优选由SiCO或SiCN构成。 TiC层的厚度优选为3-30nm。

公开(公告)号：WO2010084844A1

公开(公告)日：2010-07-29

申请号：PCT/JP2010/050514

申请日：2010-01-18

Applicant: 株式会社神戸製鋼所 ,  大西 隆 ,  水野 雅夫 ,  坂本 真之 ,  佐藤 大樹 ,  小濱 和之 ,  伊藤 和博 ,  村上 正紀

Inventor： 大西　隆 ,  水野　雅夫 ,  坂本　真之 ,  佐藤　大樹 ,  小濱　和之 ,  伊藤　和博 ,  村上　正紀

IPC: H01L21/3205 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/53233 ,  C23C14/185 ,  C23C14/5806 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　本発明は、半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部にＣｕ－Ｔｉ合金が直接埋め込まれてなる半導体装置のＣｕ系配線の製造方法であって、前記Ｃｕ－Ｔｉ合金が、Ｔｉを０．５原子％以上３．０原子％以下含むものであり、かつ、前記Ｃｕ－Ｔｉ合金をスパッタリング法で形成し、該Ｃｕ－Ｔｉ合金を前記凹部に埋め込む時または埋め込み後に、該Ｃｕ－Ｔｉ合金を下記加熱条件で加熱する工程を含むことを特徴とする。これにより、例えばＵＬＳＩ（超大規模集積回路）等に代表されるＳｉ半導体デバイス等の半導体装置において、高性能（低電気抵抗率）かつ高信頼性（高ＥＭ耐性）を示すＣｕ系配線を提供することができる。 （加熱条件）　加熱温度：３５０～６００℃　加熱時間：１０～１２０ｍｉｎ　室温から上記加熱温度までの昇温速度：１０℃／ｍｉｎ.以上　加熱雰囲気における酸素分圧：１×１０ －７ ～１×１０ －４ ａｔｍ

Abstract translation: 公开了一种在半导体器件中制造Cu基布线的方法，其中Cu-Ti合金直接埋在形成在半导体衬底上的绝缘膜中的凹槽中。 该方法的特征在于，通过溅射形成Cu-Ti合金，并且含有不小于0.5原子％但不大于3.0原子％的Ti，并且其中在加热下加热Cu-Ti合金 在Cu-Ti合金埋入凹部中或之后进行下述规定的条件。 因此，例如可以在例如以半导体器件（例如以ULSI为代表的半导体器件）中获得表现出高性能（低电阻率）和高可靠性（高EM电阻）的Cu基布线。 大规模集成电路）。 （加热条件）加热温度：350-600℃加热时间：10-120分钟从室温到上述加热温度的升温速度：10℃/分钟以上加热气氛中的氧分压：1× 10-7〜1×10-4个原子

公开(公告)号：WO2009022649A1

公开(公告)日：2009-02-19

申请号：PCT/JP2008/064303

申请日：2008-08-08

Applicant: 東亜ディーケーケー株式会社 ,  奥村 剛人 ,  小澤 一夫 ,  石飛 毅 ,  嶋田 耕一 ,  大野 壱永 ,  水野 雅夫

Inventor： 奥村 剛人 ,  小澤 一夫 ,  石飛 毅 ,  嶋田 耕一 ,  大野 壱永 ,  水野 雅夫

IPC: G01N21/47 ,  G02B26/10

CPC classification number: G01N21/94 ,  G01N2021/1797 ,  G02B26/105

Abstract: 【課題】機械的な駆動機構を持たず、構造が簡単で小型化、低コスト化が可能であって、油膜を高精度に検出することができる油膜検出装置を提供する。 【解決手段】光源から水面等の検出対象面にレーザ光を照射し、検出対象面からの反射光を受光して検出対象面に存在する油膜を検出する油膜検出装置において、Ｘ方向駆動電圧、Ｙ方向駆動電圧を印加してそれぞれ発生させたＸ方向変位、Ｙ方向変位によりレーザ光を２次元的に走査し、検出対象面におけるレーザ光の照射範囲として所望の平面を形成する２次元走査部２０を備える。

Abstract translation: [问题]为了提供一种具有简单的小尺寸结构而不需要任何机械驱动机构的油膜检测装置，可以降低制造成本，并能够精确地检测油膜。 解决问题的手段油膜检测装置将来自光源的激光施加到诸如水面的检测对象。 接收来自检测对象的反射光，以检测检测对象上存在的油膜。 油膜检测装置包括二维扫描单元（20），其施加X方向驱动电压和Y方向驱动电压以产生X方向位移和Y方向位移，以二维扫描 激光，并且在检测对象表面上形成作为激光照射范围的期望平面。

公开(公告)号：WO2008065925A1

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：PCT/JP2007/072417

申请日：2007-11-19

Applicant: 株式会社神戸製鋼所 ,  伊藤 弘高 ,  大西 隆 ,  武田 実佳子 ,  水野 雅夫

Inventor： 伊藤 弘高 ,  大西 隆 ,  武田 実佳子 ,  水野 雅夫

IPC: H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/53233 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　本発明に係る半導体装置のＣｕ配線は、半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝または層間接続路に埋め込まれたＣｕ配線であって、前記Ｃｕ配線は、配線溝側または層間接続路側に形成されたＴａＮからなるバリア層と、Ｐｔ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｂ、Ｆｅ、Ｖ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｒｕ、ＲｅおよびＯｓよりなる群から選ばれる１種以上の元素を合計で０．０５～３．０原子％含有するＣｕからなる配線本体部で構成されている。本発明に係る半導体装置のＣｕ配線は、配線本体部とバリア層との密着性が良好である。

Abstract translation: 半导体器件Cu布线嵌入在形成在半导体衬底上的绝缘膜上的布线槽或层间连接路径中。 Cu布线由形成在布线槽或层间连接路径一侧的由TaN制成的阻挡层和由Cu构成的布线主体部分构成，所述布线主体部分包含选自以下的一种或多种元素： 一组Pt，In，Ti，Nb，B，Fe，V，Zr，Hf，Ga，Tl，Ru，Re和Os总计为0.05-3.0atm％。 半导体器件Cu布线在布线主体部分和阻挡层之间具有优异的粘附性。