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公开(公告)号：WO2012056715A1
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：PCT/JP2011/006047
申请日：2011-10-28
CPC classification number: H01L31/0463 , Y02E10/50
Abstract: 【課題】ホットスポット対策用のセル分離構造と絶縁耐圧確保のための周縁分離構造とを共通の装置で形成することができる薄膜太陽電池モジュールの製造装置を提供する。 【解決手段】上記製造装置５０は、第１のレーザ照射源１００と、第２のレーザ照射源２００とを具備する。第１のレーザ照射源１００は、第１の赤外線レーザＬ１を生成し、セル集積基板１５に周縁分離部Ｖ１を形成する。第２のレーザ照射源２００は、第２の赤外線レーザＬ２を生成し、セル集積基板１５上の個々の発電セルを分断するためのセル分離線を形成する。セル集積基板１５を支持するステージ５１に対して、１のレーザ照射源１００及び第２のレーザ照射源２００を相対移動させながら、周縁分離部Ｖ１及びセル分離線Ｖ２をそれぞれ形成する。
Abstract translation: 本发明提供一种薄膜太阳能电池模块制造装置，通过该薄膜太阳能电池模块制造装置，可以形成用于确保单个装置的电介质强度的反热点电池拆卸结构和边缘拆卸结构。 制造装置（50）包括第一激光束源（100）和第二激光束源（200）。 第一激光束源（100）产生第一红外激光器（L1）并且在单元集成基板（15）中形成边缘分离部分（V1）。 第二激光束源（200）产生第二红外激光器（L2），并且形成用于分离电池集成基板（15）的每个发电单元的电池分离线。 在第一激光光源（100）和第二激光光源（200）相对于支撑电池的台（51）相互移动的同时分别形成边缘拆卸部（V1）和电池剥离线（V2） 集成基板（15）。
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公开(公告)号：WO2010023991A1
公开(公告)日：2010-03-04
申请号：PCT/JP2009/057976
申请日：2009-04-22
Applicant: 株式会社アルバック , 朝比奈 伸一 , 内田 寛人 , 浅利 伸 , 橋本 征典 , 藤長 徹志 , 小林 忠正 , 若井 雅文 , 今北 健一 , 植 喜信 , 斎藤 一也 , 中村 久三
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/077 , C23C16/24 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L31/076 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: この光電変換装置の製造方法は、第一光電変換ユニット（３）を構成するｐ型半導体層（３１）、ｉ型半導体層（３２）、及びｎ型半導体層（３３）と、結晶質のシリコン系薄膜からなる第二光電変換ユニット（４）を構成するｐ型半導体層（４１）とを減圧雰囲気内で連続して形成し、前記第二光電変換ユニット（４）の前記ｐ型半導体層（４１）を大気雰囲気に暴露させ、大気雰囲気に暴露された前記第二光電変換ユニット（４）の前記ｐ型半導体層（４１）上に、前記第二光電変換ユニットを構成するｉ型半導体層（４２）及びｎ型半導体層（４３）を形成する。
Abstract translation: 公开了一种制造光电转换装置的方法，其中构成第一光电转换单元（3）的p型半导体层（31），i型半导体层（32）和n型半导体层（33） 在减压气氛中连续地形成由结晶硅薄膜构成并构成第二光电转换单元（4）的p型半导体层（41） 则第二光电转换单元（4）的p型半导体层（41）暴露于环境大气中; 然后在第二光电转换单元（4）的p型半导体层（41）上形成构成第二光电转换单元（4）的i型半导体层（42）和n型半导体层（43） ）已暴露于环境气氛。
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公开(公告)号：WO2011096338A1
公开(公告)日：2011-08-11
申请号：PCT/JP2011/051784
申请日：2011-01-28
Applicant: 株式会社アルバック , 三菱瓦斯化学株式会社 , 高橋 明久 , 内田 寛人 , 宇佐美 達己 , 松崎 淳介 , 植 喜信 , 小林 忠正 , 今北 健一 , 佐見津 祥二 , 山本 良明 , 朝比奈 伸一 , 斎藤 一也 , 松原 将英 , 岡部 哲 , 後藤 敏之 , 丸山 岳人
Inventor： 高橋 明久 , 内田 寛人 , 宇佐美 達己 , 松崎 淳介 , 植 喜信 , 小林 忠正 , 今北 健一 , 佐見津 祥二 , 山本 良明 , 朝比奈 伸一 , 斎藤 一也 , 松原 将英 , 岡部 哲 , 後藤 敏之 , 丸山 岳人
CPC classification number: H01L31/1884 , B32B9/00 , B32B15/04 , B32B27/283 , B32B2307/202 , B32B2307/412 , B32B2307/538 , B32B2307/702 , B32B2307/704 , B32B2307/732 , B32B2457/12 , H01L31/0236 , H01L31/075 , H01L31/076 , Y02E10/548
Abstract: 本発明は、透明基板と；前記透明基板に設けられる、ＺｎＯを主成分とする透明導電膜と；アモルファスのシリコン系薄膜である第１のｐ層、ｉ層、ｎ層が積層されて形成されるｐｉｎ型の光電変換ユニットと；前記透明導電膜と、前記第１のｐ層との間に配される、結晶質のシリコン系薄膜である第２のｐ層により形成される中間層と；を備える太陽電池の製造方法であって、所望のプロセスガス雰囲気中にて、前記透明導電膜の母材をなすターゲットにスパッタ電圧を印加してスパッタを行い、前記透明基板上に前記透明導電膜を成膜する工程と、前記透明導電膜に対してウェットエッチングを行い、前記透明導電膜の表面に微細テクスチャーを形成する工程と、前記透明導電膜上に、前記中間層を形成する工程と、前記中間層上に、前記第１のｐ層、前記ｉ層、及び前記ｎ層を順に形成する工程と、を少なくとも順に備える太陽電池の製造方法を提供する。
Abstract translation: 公开了一种太阳能电池的制造方法，包括：透明基板; 透明导电膜，其设置在透明基板上并含有ZnO作为主要成分; 通过按顺序层叠作为非晶硅薄膜的第一p层，第i层和第n层形成的pin型光电转换单元; 以及布置在所述透明导电膜和所述第一p层之间并包括作为晶体硅薄膜的第二p层的中间层。 具体公开了一种太阳能电池的制造方法，其至少包括以下顺序的步骤：将溅射电压施加到在所需工艺气体的气氛中用作透明基板的基材的靶，从而实现溅射 在透明基板上形成透明导电膜; 对透明导电膜进行湿蚀刻处理，以在透明导电膜的表面上形成细微的结构; 在所述透明导电膜上形成所述中间层; 以及在中间层上依次形成第一p层，第i层和第n层。
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公开(公告)号：WO2011125878A1
公开(公告)日：2011-10-13
申请号：PCT/JP2011/058289
申请日：2011-03-31
Applicant: 株式会社アルバック , 茶谷 宏紀 , 浅利 伸 , 橋本 征典 , 朝比奈 伸一 , 今北 健一 , 佐見津 祥二 , 小林 忠正 , 若井 雅文 , 植 喜信 , 若松 貞次 , 斎藤 一也
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/202 , H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/076 , H01L31/1804 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: この光電変換装置は、透明導電膜が形成された基板と；前記透明導電膜の上に、アモルファスのシリコン系薄膜からなる、第１のｐ型半導体層と、第１の実質的に真性なｉ型半導体層と、第１のｎ型半導体層とを順に積層して形成されたｐｉｎ型の第一光電変換ユニットと；前記第一光電変換ユニットの上に、結晶質のシリコン系薄膜からなる第２のｐ型半導体層と第２の実質的に真性なｉ型半導体層と、アモルファスのシリコン系薄膜からなる第２のｎ型半導体層とを順に積層して形成されたｐｉｎ型の第二光電変換ユニットと；前記第二光電変換ユニットの上に形成された裏面電極と；を備える。
Abstract translation: 一种光电转换装置，包括：形成有透明导电膜的基板; pin型第一光电转换单元，其包括第一p型半导体层，其包括非晶硅薄膜，第一基本上本征的i型半导体层和第一n型半导体层，其依次层叠在透明导电膜上 ; pin型第二光电转换单元，其包括第二p型半导体层，其包括晶体硅薄膜，第二基本上本征的i型半导体层和第二n型半导体层，该第二n型半导体层包括层压在该晶体硅薄膜中的非晶硅薄膜 在第一光电转换单元上订购; 以及形成在第二光电转换单元上的背面电极。
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