公开(公告)号：WO2017106212A1

公开(公告)日：2017-06-22

申请号：PCT/US2016/066418

申请日：2016-12-13

Applicant: SUNPOWER CORPORATION ,  TOTAL MARKETING SERVICES

Inventor： KIM, Taeseok ,  WOEHL, Robert ,  HARLEY, Gabriel ,  HARDER, Nils-Peter ,  MOSCHNER, Jens-Dirk ,  MOORS, Matthieu ,  NGAMO TOKO, Michel Arsene

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/036

CPC classification number: H01L31/022458 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/05 ,  H01L31/0516 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/056 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/50

Abstract: Methods of fabricating solar cells using a metal-containing thermal and diffusion barrier layer in foil-based metallization approaches, and the resulting solar cells, are described. For example, a method of fabricating a solar cell includes forming a plurality of semiconductor regions in or above a substrate. The method also includes forming a metal-containing thermal and diffusion barrier layer above the plurality of semiconductor regions. The method also includes forming a metal seed layer on the metal-containing thermal and diffusion barrier layer. The method also includes forming a metal conductor layer on the metal seed layer. The method also includes laser welding the metal conductor layer to the metal seed layer. The metal-containing thermal and diffusion barrier layer protects the plurality of semiconductor regions during the laser welding.

Abstract translation: 描述了在基于箔的金属化方法中使用含金属的热阻挡层和扩散阻挡层来制造太阳能电池的方法，以及所得的太阳能电池。 例如，制造太阳能电池的方法包括在衬底中或上方形成多个半导体区域。 该方法还包括在多个半导体区域上方形成含金属的热阻挡层和扩散阻挡层。 该方法还包括在含金属的热和扩散阻挡层上形成金属种子层。 该方法还包括在金属种子层上形成金属导体层。 该方法还包括将金属导体层激光焊接到金属种子层。 含金属的热扩散阻挡层在激光焊接期间保护多个半导体区域。

公开(公告)号：WO2013024632A1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：PCT/JP2012/066541

申请日：2012-06-28

Applicant: シャープ株式会社 ,  佐野 雄一 ,  鳥井 康雅 ,  西本 浩之 ,  上田 雅也

Inventor： 佐野　雄一 ,  鳥井　康雅 ,  西本　浩之 ,  上田　雅也

IPC: H01L31/077 ,  H01L31/0304

CPC classification number: H01L31/03048 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/056 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1848 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544

Abstract: 　本発明の光電変換素子（１００）は、ｎ型窒化物半導体層（２００）、ｉ型窒化物半導体積層体（４００）およびｐ型窒化物半導体層（５００）がこの順で積層されてなり、ｉ型窒化物半導体積層体（４００）は、少なくとも二つのｉ型窒化物半導体層（４０２），（４０４）と、二つのｉ型窒化物半導体層（４０２），（４０４）の間に設けられている窒化物半導体からなるガイド層（４０３）とを備え、ガイド層（４０３）は、二つのｉ型窒化物半導体層（４０２），（４０４）より大きいバンドギャップを有する。

Abstract translation: 该光电转换元件（100）包括依次层叠的n型氮化物半导体层（200），i型氮化物半导体层叠体（400）和p型氮化物半导体层（500）。 i型氮化物半导体层叠体（400）具有至少两个i型氮化物半导体层（402,404）和设置在两个i型氮化物半导体层之间的氮化物半导体层（403） （402,404）。 引导层（403）具有比两个i型氮化物半导体层（402,404）更大的带隙。

公开(公告)号：WO2012173814A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：PCT/US2012/040873

申请日：2012-06-05

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION ,  ABOU-KANDIL, Ahmed ,  FOGEL, Keith, E. ,  HONG, Augustin, J. ,  KIM, Jeehwan ,  SADANA, Devendra, K.

Inventor： ABOU-KANDIL, Ahmed ,  FOGEL, Keith, E. ,  HONG, Augustin, J. ,  KIM, Jeehwan ,  SADANA, Devendra, K.

IPC: H01L31/00

CPC classification number: H01L31/077 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1812 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: A photovoltaic device and method for fabricating a photovoltaic device include forming a light-absorbing semiconductor structure on a transmissive substrate including a first doped layer (406) and forming an intrinsic layer (410) on the first doped layer, wherein the intrinsic layer includes an amorphous material. The intrinsic layer is treated (412) with a plasma to form seed sites. A first tunnel junction layer is formed (414) on the intrinsic layer by growing microcrystals from the seed sites.

Abstract translation: 一种用于制造光伏器件的光电器件和方法包括在包括第一掺杂层（406）的透射衬底上形成光吸收半导体结构，并在第一掺杂层上形成本征层（410），其中本征层包括 无定形材料。 用等离子体处理（412）本征层以形成种子位点。 通过从种子位点生长微晶，在本征层上形成第一隧道结层（414）（414）。

公开(公告)号：WO2012073941A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：PCT/JP2011/077490

申请日：2011-11-29

Applicant: シャープ株式会社 ,  佐野 雄一 ,  上田 吉裕 ,  神川 剛 ,  上田 雅也

Inventor： 佐野　雄一 ,  上田　吉裕 ,  神川　剛 ,  上田　雅也

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/03044 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/075 ,  H01L31/077 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/548

Abstract: 　光電変換素子は、基板(11)と、基板(11)上に設けられた半導体積層体(12)と、半導体積層体(12)上に設けられた導電層(13)と、を備える。半導体積層体(12)は、ｐ型窒化物半導体層(14)、ｉ型窒化物半導体層(15)およびｎ型窒化物半導体層(16)を有するｐｉｎ構造体を含む。ｐｉｎ構造体は、ｐ型窒化物半導体層(14)とｉ型窒化物半導体層(15)との間、またはｎ型窒化物半導体層(16)とｉ型窒化物半導体層(15)との間に、反射層(17)を有する。

Abstract translation: 光电转换元件包括基板（11），布置在基板（11）上的半导体层叠体（12）和布置在半导体层叠体（12）上的导电层（13）。 半导体层叠体（12）包括由p型氮化物半导体层（14），i型氮化物半导体层（15）和n型氮化物半导体层（16）构成的引脚结构。 引脚结构在p型氮化物半导体层（14）和i型氮化物半导体层（15）之间或在n型氮化物半导体层（16）和i型氮化物之间具有反射层（17） 半导体层（15）。

公开(公告)号：WO2011161901A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：PCT/JP2011/003399

申请日：2011-06-15

Applicant: パナソニック株式会社 ,  川島 孝啓

Inventor： 川島　孝啓

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02664 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 　多結晶シリコン薄膜を高速で形成することができる多結晶シリコン薄膜の形成方法、多結晶シリコン薄膜基板、シリコン薄膜太陽電池及びシリコン薄膜トランジスタ装置を提供する。多結晶シリコン薄膜の形成方法は、基板（３１）を準備する第１工程と、第１多結晶シリコン相（３２ａ）と非結晶シリコン相（３２ｂ）とを含む第１シリコン薄膜の前駆体（３２）を形成する第２工程と、第１シリコン薄膜の前駆体（３２）を、第１多結晶シリコン相（３２ａ）を露出することで、第１多結晶シリコン相（３２ａ）を主成分とした第１シリコン薄膜（３２ｃ）として再形成する第３工程と、第１シリコン薄膜（３２ｃ）上に、第２多結晶シリコン相（３３ａ）を主成分とする第２シリコン薄膜（３３）を形成する第４工程と、を含み、第２多結晶シリコン相（３３ａ）は、第１多結晶シリコン相（３２ａ）を種結晶として成長されたものである。

Abstract translation: 公开了一种形成多晶硅薄膜的方法，其中可以高速形成多晶硅薄膜，多晶硅薄膜基板，硅薄膜太阳能电池和硅薄膜晶体管器件。 形成多晶硅薄膜的方法包括：制备基板（31）的第一步骤; 第二步骤，其中形成第一硅薄膜的前体（32），所述前体包括第一多晶硅相（32a）和非晶硅相（32b）; 第三步骤，通过使第一多晶硅相（32a）暴露，第一硅薄膜的前体（32）再次形成为具有第一多晶硅相（32a）作为主要成分的第一硅薄膜（32c） ; 以及在第一硅薄膜（32c）上形成有以第二多晶硅相（33a）为主要成分的第二硅薄膜（33）的第四步骤。 第二多晶硅相（33a）以第一多晶硅相（32a）作为晶种生长。

公开(公告)号：WO2011068065A1

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：PCT/JP2010/070951

申请日：2010-11-17

Applicant: CANON KABUSHIKI KAISHA ,  MATSUDA, Koichi

Inventor： MATSUDA, Koichi

IPC: H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77 ,  C23C16/24 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/78603 ,  C23C14/083 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/4908 ,  H01L31/056 ,  H01L31/077 ,  H01L31/09 ,  Y02E10/52

Abstract: In order to solve a problem that, in an initial stage of film growth in a plasma CVD method, it is difficult to form a silicon layer which is excellent in crystallinity, provided is a semiconductor device, including: a substrate; a crystalline silicon layer; a titanium oxide layer containing titanium oxide as a main component; and a pair of electrodes electrically connected to the crystalline silicon layer, in which: the titanium oxide layer and the crystalline silicon layer are formed on the substrate in the mentioned order from the substrate side; and the titanium oxide layer and the crystalline silicon layer are formed in contact to each other.

Abstract translation: 为了解决在等离子体CVD法的膜生长的初期阶段，难以形成结晶性优异的硅层，只要是半导体装置，包括：基板; 晶体硅层; 以氧化钛为主要成分的氧化钛层; 以及与该结晶硅层电连接的一对电极，其中：从基板侧以上述顺序在基板上形成氧化钛层和结晶硅层; 并且氧化钛层和晶体硅层彼此接触地形成。

公开(公告)号：WO2011049933A1

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：PCT/US2010/053167

申请日：2010-10-19

Applicant: THE UNIVERSITY OF TOLEDO ,  COMPAAN, Alvin, D. ,  PLOTNIKOV, Victor, V.

Inventor： COMPAAN, Alvin, D. ,  PLOTNIKOV, Victor, V.

IPC: H01L31/0272

CPC classification number: H01L31/022441 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/073 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1828 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/543 ,  Y02E10/548

Abstract: A photovoltaic cell structure is disclosed that includes a buffer/passivation layer at a CdTe/Back contact interface. The buffer/passivation layer is formed from the same material that forms the n-type semiconductor active layer. In one embodiment, the buffer layer and the n-type semiconductor active layer are formed from cadmium sulfide (CdS). A method of forming a photovoltaic cell includes the step of forming the semiconductor active layers and the buffer/passivation layer within the same deposition chamber and using the same material source.

Abstract translation: 公开了一种在CdTe / Back接触界面处包括缓冲/钝化层的光伏电池结构。 缓冲/钝化层由形成n型半导体活性层的相同材料形成。 在一个实施例中，缓冲层和n型半导体有源层由硫化镉（CdS）形成。 形成光伏电池的方法包括在相同的淀积室内形成半导体有源层和缓冲/钝化层并使用相同的材​​料源的步骤。

公开(公告)号：WO2010120411A3

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：PCT/US2010026667

申请日：2010-03-09

Applicant: APPLIED MATERIALS INC ,  SHENG SHURAN ,  CHAE YONG KEE

Inventor： SHENG SHURAN ,  CHAE YONG KEE

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: A method for an intrinsic type microcrystalline silicon layer is provided. In one embodiment, the microcrystalline silicon layer is fabricated by providing a substrate into a processing chamber, supplying a gas mixture into the processing chamber, applying a RF power at a first mode in the gas mixture, pulsing the gas mixture into the processing chamber, and applying the RF power at a second mode in the pulsed gas mixture.

Abstract translation: 提供本征型微晶硅层的方法。 在一个实施例中，微晶硅层通过将衬底提供到处理室中，将气体混合物供应到处理室中，在气体混合物中以第一模式施加RF功率，将气体混合物脉冲到处理室中， 以及在脉冲气体混合物中以第二模式施加RF功率。

公开(公告)号：WO2010140371A1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：PCT/JP2010/003721

申请日：2010-06-03

Applicant: 住友化学株式会社 ,  独立行政法人産業技術総合研究所 ,  秦 雅彦 ,  板谷 太郎

Inventor： 秦　雅彦 ,  板谷　太郎

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/052

CPC classification number: H01L31/0522 ,  H01L27/142 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0475 ,  H01L31/0543 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 　シリコンを含むベース基板と、ベース基板上に形成され、ベース基板の表面を露出する開口を有し、結晶成長を阻害する阻害体と、開口の内部に露出されたベース基板の表面に接して、開口の内部に形成された光吸収構造体と、を備え、光吸収構造体は、第１伝導型第１半導体と、第１伝導型第１半導体の上方に形成され、第１伝導型第１半導体と反対の伝導型を有する第２伝導型第１半導体と、第１伝導型第１半導体と第２伝導型第１半導体との間に形成され、第１伝導型第１半導体および第２伝導型第１半導体よりも有効キャリア濃度が低い低キャリア濃度第１半導体とを含む第１半導体と、第２伝導型第１半導体に格子整合または擬格子整合し、第２伝導型第１半導体と反対の伝導型を有する第１伝導型第２半導体と、第１伝導型第２半導体の上方に形成され、第１伝導型第２半導体と反対の伝導型を有する第２伝導型第２半導体と、第１伝導型第２半導体と第２伝導型第２半導体との間に形成され、第１伝導型第２半導体および第２伝導型第２半導体よりも有効キャリア濃度が低い低キャリア濃度第２半導体とを含む第２半導体とを有する半導体基板を提供する。

Abstract translation: 公开了一种半导体衬底，其具有：含有硅的基底衬底; 形成在基底基板上的抑制元件具有从基体基板的表面露出的开口，抑制晶体生长; 以及光吸收结构，其通过与暴露在开口内部的基底表面接触而形成在开口内部。 光吸收结构具有第一半导体，其包括：第一导电型第一半导体; 第二导电型第一半导体，其形成在第一导电类型的第一半导体之上并且具有与第一导电类型的第一半导体的导电类型相反的导电类型; 以及低载流子浓度的第一半导体，其形成在第一导电型第一半导体与第二导电型第一半导体之间，并且具有比第一导电型第一半导体低的第一导电型第一半导体的有效载流子浓度， 。 光吸收结构还具有第二半导体，其包括：第一导电型第二半导体，其与第二导电型第一半导体晶格匹配或准晶格匹配，并且具有与第二导电类型相反的导电类型 第一半导体; 第二导电类型的第二半导体，其形成在第一导电类型的第二半导体之上并且具有与第一导电类型的第二半导体的导电类型相反的导电类型; 以及低载流子浓度的第二半导体，其形成在第一导电型第二半导体与第二导电型第二半导体之间，并且具有比第一导电型第二半导体低的第二导电类型的第二半导体的有效载流子浓度; 。

公开(公告)号：WO2010052981A1

公开(公告)日：2010-05-14

申请号：PCT/JP2009/067247

申请日：2009-10-02

Applicant: 三菱重工業株式会社 ,  宇田 和孝 ,  馬場 智義 ,  石出 孝 ,  川添 浩平 ,  西宮 立享

Inventor： 宇田　和孝 ,  馬場　智義 ,  石出　孝 ,  川添　浩平 ,  西宮　立享

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/03921 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 　中間コンタクト層分離溝を介して電流が漏洩することを可及的に防止した光電変換装置の製造方法を提供する。アモルファスシリコンを主成分とするトップ層（９１）を製膜する工程と、トップ層（９１）上に、電気的および光学的に接続される中間コンタクト層（９３）を製膜する工程と、パルスレーザーを照射して、中間コンタクト層（９３）を除去するとともに、トップ層（９１）まで到達する中間コンタクト層分離溝（１４）を形成して中間コンタクト層（９３）を分離する工程と、中間コンタクト層（９３）上および中間コンタクト層分離溝（１４）内に、電気的および光学的に接続されるとともに、微結晶シリコンを主成分とするボトム層（９２）を製膜する工程とを有する。中間コンタクト層分離溝（１４）は、トップ層（９１）のｉ層内にて終端している。

Abstract translation: 本发明提供一种能够有效地防止经由中间接触层分离槽的电流泄漏的光电转换装置的制造方法。 该方法包括：形成含有非晶硅作为主要成分的顶层（91）的步骤; 在顶层（91）上形成的步骤，与顶层（91）电连接和光学连接的中间接触层（93）。 用于施加脉冲激光以去除中间层（93）并形成到达顶层（91）以分离中间接触层（93）的中间接触层分离槽（14）的步骤; 以及在中间接触层（93）和中间接触层分离槽（14）中形成含有微晶硅作为主要成分的底层（92）的步骤，底层（92）电连接和光学地连接到 中间接触层（93）。 中间接触层分离槽（14）终止在顶层（91）的i层中。