公开(公告)号：WO2011148924A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：PCT/JP2011/061826

申请日：2011-05-24

Applicant: 株式会社アルバック ,  清水 康男 ,  野口 恭史 ,  森 勝彦 ,  萩原 宗源 ,  中村 正俊 ,  宮谷 武尚 ,  森岡 和 ,  重田 貴司 ,  内田 寛人

Inventor： 清水　康男 ,  野口　恭史 ,  森　勝彦 ,  萩原　宗源 ,  中村　正俊 ,  宮谷　武尚 ,  森岡　和 ,  重田　貴司 ,  内田　寛人

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/24 ,  C23C16/50 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/042 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4587 ,  C23C16/509 ,  C23C16/54

Abstract: 　基板に被膜を形成する成膜装置であって、前記基板を保持したキャリアを載置し自走可能とされた第一移動手段を内在する搬送室と、前記搬送室と連通するように個別の開閉手段を介して配された仕込・取出室、および複数の成膜室と、前記搬送室、前記仕込・取出室、および前記成膜室に個別に付設された排気手段と、を備える。

Abstract translation: 公开了一种在基板上形成膜的成膜装置。 具体公开了一种成膜装置，其特征在于，包括：承载室，容纳第一移动装置，其能够自动行进，同时将保持基板的载体放置在其上; 进出口室和多个成膜室，其设置成经由单独的开闭装置与承载室连通; 以及分别安装在搬送室，送出室和成膜室的排气装置。

公开(公告)号：WO2011096338A1

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：PCT/JP2011/051784

申请日：2011-01-28

Applicant: 株式会社アルバック ,  三菱瓦斯化学株式会社 ,  高橋 明久 ,  内田 寛人 ,  宇佐美 達己 ,  松崎 淳介 ,  植 喜信 ,  小林 忠正 ,  今北 健一 ,  佐見津 祥二 ,  山本 良明 ,  朝比奈 伸一 ,  斎藤 一也 ,  松原 将英 ,  岡部 哲 ,  後藤 敏之 ,  丸山 岳人

Inventor： 高橋　明久 ,  内田　寛人 ,  宇佐美　達己 ,  松崎　淳介 ,  植　喜信 ,  小林　忠正 ,  今北　健一 ,  佐見津　祥二 ,  山本　良明 ,  朝比奈　伸一 ,  斎藤　一也 ,  松原　将英 ,  岡部　哲 ,  後藤　敏之 ,  丸山　岳人

IPC: H01L31/04 ,  B32B15/04 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01L31/1884 ,  B32B9/00 ,  B32B15/04 ,  B32B27/283 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/412 ,  B32B2307/538 ,  B32B2307/702 ,  B32B2307/704 ,  B32B2307/732 ,  B32B2457/12 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/548

Abstract: 　本発明は、透明基板と；前記透明基板に設けられる、ＺｎＯを主成分とする透明導電膜と；アモルファスのシリコン系薄膜である第１のｐ層、ｉ層、ｎ層が積層されて形成されるｐｉｎ型の光電変換ユニットと；前記透明導電膜と、前記第１のｐ層との間に配される、結晶質のシリコン系薄膜である第２のｐ層により形成される中間層と；を備える太陽電池の製造方法であって、所望のプロセスガス雰囲気中にて、前記透明導電膜の母材をなすターゲットにスパッタ電圧を印加してスパッタを行い、前記透明基板上に前記透明導電膜を成膜する工程と、前記透明導電膜に対してウェットエッチングを行い、前記透明導電膜の表面に微細テクスチャーを形成する工程と、前記透明導電膜上に、前記中間層を形成する工程と、前記中間層上に、前記第１のｐ層、前記ｉ層、及び前記ｎ層を順に形成する工程と、を少なくとも順に備える太陽電池の製造方法を提供する。

Abstract translation: 公开了一种太阳能电池的制造方法，包括：透明基板; 透明导电膜，其设置在透明基板上并含有ZnO作为主要成分; 通过按顺序层叠作为非晶硅薄膜的第一p层，第i层和第n层形成的pin型光电转换单元; 以及布置在所述透明导电膜和所述第一p层之间并包括作为晶体硅薄膜的第二p层的中间层。 具体公开了一种太阳能电池的制造方法，其至少包括以下顺序的步骤：将溅射电压施加到在所需工艺气体的气氛中用作透明基板的基材的靶，从而实现溅射 在透明基板上形成透明导电膜; 对透明导电膜进行湿蚀刻处理，以在透明导电膜的表面上形成细微的结构; 在所述透明导电膜上形成所述中间层; 以及在中间层上依次形成第一p层，第i层和第n层。

公开(公告)号：WO2011148930A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：PCT/JP2011/061844

申请日：2011-05-24

Applicant: 株式会社アルバック ,  高梨 弘樹 ,  高山 道寛 ,  内田 寛人

Inventor： 高梨　弘樹 ,  高山　道寛 ,  内田　寛人

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/02013 ,  H01L31/048 ,  H02S40/34 ,  Y02E10/50

Abstract: 　この太陽電池モジュールは、保護カバーが開口部を備え、取り出し電極の端部が、開口部を通じて保護カバーの外側へ延びて設置された構成を備える。また、取り出し電極の端部の周囲が封止されるように開口部を塞ぐ第一部材が設けられ、第一部材は、水蒸気バリア性を有する樹脂である。

Abstract translation: 太阳能电池模块设置有保护盖设置有开口的构造，并且提取电极的端部穿过开口并延伸到保护盖的外部。 以这样的方式设置覆盖开口的第一构件，使得提取电极的端部的周边被密封。 第一种是具有水蒸气阻隔性的树脂。

公开(公告)号：WO2011068197A1

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：PCT/JP2010/071668

申请日：2010-12-03

Applicant: 株式会社アルバック ,  今北 健一 ,  内田 寛人 ,  浅利 伸 ,  橋本 征典 ,  佐見津 祥二 ,  中村 久三 ,  斎藤 一也

Inventor： 今北　健一 ,  内田　寛人 ,  浅利　伸 ,  橋本　征典 ,  佐見津　祥二 ,  中村　久三 ,  斎藤　一也

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/076 ,  Y02E10/548

Abstract: 　この光電変換装置は、基板（１）と、前記基板（１）上に形成された透明導電膜（２）と、第一ｐ型半導体層（３１），アモルファスのシリコン系薄膜からなる第一ｉ型半導体層（３２），結晶質のシリコン系薄膜からなる第一ｎ型半導体層（３３），及びアモルファスのシリコン系薄膜からなるｎ型半導体であって前記第一ｉ型半導体層（３２）と前記第一ｎ型半導体層（３３）との間に配置されたバッファ層（３５）を含み、前記透明導電膜（２）上に形成された第一光電変換ユニット（３）と、前記第一光電変換ユニット（３）上に形成された第二光電変換ユニット（４）とを含む。

Abstract translation: 所公开的光电转换装置包括：基板（1）; 形成在所述基板（1）上的透明导电膜（2）; 形成在所述透明导电膜（2）上的第一光电转换单元（3） 以及形成在第一光电转换单元（3）上的第二光电转换单元（4）。 第一光电转换单元（3）包含：第一p型半导体层（31）; 包括非晶硅薄膜的第一i型半导体层（32） 包括晶体硅薄膜的第一n型半导体层（33） 以及缓冲层（35），其是包含非晶硅薄膜的n型半导体，并且设置在第一i型半导体层（32）和第一n型半导体层（33）之间。

公开(公告)号：WO2011030729A1

公开(公告)日：2011-03-17

申请号：PCT/JP2010/065216

申请日：2010-09-06

Applicant: 株式会社アルバック ,  高山 道寛 ,  藤井 厳 ,  田口 遊子 ,  内田 寛人

Inventor： 高山　道寛 ,  藤井　厳 ,  田口　遊子 ,  内田　寛人

IPC: H01L31/075

CPC classification number: H01L31/046 ,  Y02E10/50

Abstract: 　この太陽電池モジュールは、基板（１１）と、前記基板（１１）上に順に積層された第一電極層（１３），発電層（１４），及び第二電極層（１５）を有する積層体（１２）によって構成され、２つのセル端部（３０）を有する発電領域（Ａ）と、スクライブ線（２０）によって前記発電領域（Ａ）を区画することによって形成され、電気的に直列に接続された複数の太陽電池セル（２１）と、前記スクライブ線（２０）に交差する方向に延在し、少なくとも前記発電層（１４）及び前記第二電極層（１５）が除去された複数の溝（２２）と、前記セル端部（３０）から前記発電領域（Ａ）の中央に向けて延在し、前記スクライブ線（２０）と平行な方向における前記発電領域（Ａ）の長さの１／４である幅を有する第一エリア（Ａ１）と、前記第一エリア（Ａ１）の間であって前記発電領域（Ａ）の中央に位置する第二エリア（Ａ２）とを含み、前記複数の溝（２２）は、前記第一エリア（Ａ１）に形成されて前記２つのセル端部（３０）に隣接する２本の第１溝（２２ａ）を含み、　前記セル端部（３０）と前記第１溝（２２ａ）との間隔は、前記２本の第１溝（２２ａ）の間隔より小さい。

Abstract translation: 公开了一种太阳能电池模块，其包括：基板（11）; 发电区域（A），其被构造为具有第一电极层（13），发电层（14）和顺序堆叠在所述基板（11）上的第二电极层（15）的多层体（12） ），并且具有两个单元端部（30）; 多个太阳能电池（21），其通过划线（20）分隔发电区域（A）而形成，并串联电连接; 多个凹槽（22），其在与划线（20）相交的方向上延伸，并且至少具有从其移除的发电层（14）和第二电极层（15）; 第一区域（A1），其从单元端部（30）朝向发电区域（A）的中心延伸，并且在发电区域（A）的长度方向上的宽度方向 平行于划痕线（20）; 以及设置在发电区域（A）的中心的第一区域（A1）之间的第二区域（A2）。 凹槽（22）包括两个第一凹槽（22a），它们分别形成在第一区域（A1）中并与两个单元端部（30）相邻。 单元端部（30）与第一凹槽（22a）中的每一个之间的间隔小于两个第一凹槽（22a）之间的间隔。

公开(公告)号：WO2009139389A1

公开(公告)日：2009-11-19

申请号：PCT/JP2009/058854

申请日：2009-05-12

Applicant: 株式会社アルバック ,  内田 寛人 ,  田口 遊子 ,  上田 仁 ,  高山 道寛

Inventor： 内田　寛人 ,  田口　遊子 ,  上田　仁 ,  高山　道寛

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0392 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/50

Abstract: 【課題】信頼性の高い絶縁耐圧特性を確保することができる薄膜太陽電池モジュールの製造方法及び薄膜太陽電池モジュールを提供する。 【解決手段】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールの製造方法は、絶縁性の透明基板１０上に第１の電極層１１を形成し、透明基板１０の周辺領域３０Ｘ，３０Ｙとその内側の発電領域５０とを分離する第１の分離溝２１Ｘ，２１Ｙを透明基板１０の表面に達する深さで形成し、透明基板１０上に半導体層１３を形成し、透明基板１０上に第２の電極層１２を形成し、第１の分離溝２１Ｘ，２１Ｙよりも周辺領域３０Ｘ，３０Ｙ側に位置する第２の分離溝２２ａ，２２Ｘ，２２Ｙを透明基板１０の表面に達する深さで形成し、周辺領域３０Ｘ，３０Ｙをブラスト処理して周辺領域３０Ｘ，３０Ｙ上の第１の電極層１１、半導体層１３及び第２の電極層１２を除去する。

Abstract translation: 提供一种能够确保高可靠耐压特性的薄膜太阳能电池模块制造方法，以及薄膜太阳能电池模块。 在薄膜太阳能电池模块的制造方法中，在绝缘性透明基板（10）上形成有第一隔离沟槽（21X，21Y）的第一电极层（11），其隔离透明基板的周边区域（30X，30Y） （10）和周边区域内的发电区域（50）形成有深度到达透明基板（10）的表面的深度，并且在透明基板（10）上形成半导体层（13） ）。 然后，在该方法中，在透明基板（10）上形成第二电极层（12），在比第一电极层（10）更靠近周边区域（30X，30Y）的位置形成第二隔离沟槽（22a，22X，22Y） 隔离沟槽（21X，22Y），深度到达透明基板（10）的表面，第一电极层（11），半导体层（13）和外围区域（30X）上的第二电极层 ，30Y）通过对外围区域（30X，30Y）进行鼓风处理而被去除。

公开(公告)号：WO2010023991A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：PCT/JP2009/057976

申请日：2009-04-22

Applicant: 株式会社アルバック ,  朝比奈 伸一 ,  内田 寛人 ,  浅利 伸 ,  橋本 征典 ,  藤長 徹志 ,  小林 忠正 ,  若井 雅文 ,  今北 健一 ,  植 喜信 ,  斎藤 一也 ,  中村 久三

Inventor： 朝比奈　伸一 ,  内田　寛人 ,  浅利　伸 ,  橋本　征典 ,  藤長　徹志 ,  小林　忠正 ,  若井　雅文 ,  今北　健一 ,  植　喜信 ,  斎藤　一也 ,  中村　久三

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/077 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 　この光電変換装置の製造方法は、第一光電変換ユニット（３）を構成するｐ型半導体層（３１）、ｉ型半導体層（３２）、及びｎ型半導体層（３３）と、結晶質のシリコン系薄膜からなる第二光電変換ユニット（４）を構成するｐ型半導体層（４１）とを減圧雰囲気内で連続して形成し、前記第二光電変換ユニット（４）の前記ｐ型半導体層（４１）を大気雰囲気に暴露させ、大気雰囲気に暴露された前記第二光電変換ユニット（４）の前記ｐ型半導体層（４１）上に、前記第二光電変換ユニットを構成するｉ型半導体層（４２）及びｎ型半導体層（４３）を形成する。

Abstract translation: 公开了一种制造光电转换装置的方法，其中构成第一光电转换单元（3）的p型半导体层（31），i型半导体层（32）和n型半导体层（33） 在减压气氛中连续地形成由结晶硅薄膜构成并构成第二光电转换单元（4）的p型半导体层（41） 则第二光电转换单元（4）的p型半导体层（41）暴露于环境大气中; 然后在第二光电转换单元（4）的p型半导体层（41）上形成构成第二光电转换单元（4）的i型半导体层（42）和n型半导体层（43） ）已暴露于环境气氛。

公开(公告)号：WO2006046447A1

公开(公告)日：2006-05-04

申请号：PCT/JP2005/019197

申请日：2005-10-19

Applicant: 株式会社アルバック ,  内田 寛人 ,  村田 真朗 ,  田中 保三 ,  湯山 純平 ,  越名 浩史 ,  井上 祐也 ,  辻 孝憲 ,  羽根 功二

Inventor： 内田 寛人 ,  村田 真朗 ,  田中 保三 ,  湯山 純平 ,  越名 浩史 ,  井上 祐也 ,  辻 孝憲 ,  羽根 功二

IPC: G02F1/1339 ,  B05C5/00 ,  B05C11/10 ,  B41J2/175

CPC classification number: G02F1/1303 ,  B41J2/175 ,  G02F1/13392

Abstract: 　第一の発明の発明では、スペーサ分散液の流れが、吐出室２１とは内部フィルター３０で隔たれた輸送室２２で起こるので、ノズルプレート２６側の吐出室２１はその影響を受けず、噴出孔３２からスペーサ分散液が安定して吐出される。 　第二の発明では、スペーサ分散液１６７を吐出する印刷状態で吐出室１２１内部でスペーサ分散液が流れないので、噴出孔１３２からスペーサ分散液１６７が安定して吐出される。逆に、吐出を行わない待機状態では、吐出室１２１と輸送室１２２の両方でスペーサ分散液を流すので、スペーサ分散液１６７中のスペーサ粒子１６９が沈殿しない。

Abstract translation: 在第一发明中，间隔物分散液的流动发生在通过内部过滤器（30）从排出室（21）分离的搬送室（22）中，结果，排出室（21）位于 喷嘴板（26）侧不受流动影响，并且间隔物分散液体从喷射孔（32）稳定地排出。 在第二发明中，在排出间隔物分散液（167）的打印条件下，间隔物分散液体不会在排出室（121）内流动，因此间隔分散液（167）稳定地排出 从喷射孔（132）。 另一方面，在间隔物分散液体不排出的待机状态下，使隔离物分散液体在排出室（121）和输送室（122）两者中流动，结果间隔物 间隔分散液（167）中的颗粒（169）不沉降。

公开(公告)号：WO2006043545A1

公开(公告)日：2006-04-27

申请号：PCT/JP2005/019114

申请日：2005-10-18

Applicant: 株式会社アルバック ,  田中 保三 ,  村田 真朗 ,  湯山 純平 ,  越名 浩史 ,  内田 寛人 ,  羽根 功二 ,  辻 孝憲 ,  矢作 充

Inventor： 田中 保三 ,  村田 真朗 ,  湯山 純平 ,  越名 浩史 ,  内田 寛人 ,  羽根 功二 ,  辻 孝憲 ,  矢作 充

IPC: G02F1/1339

CPC classification number: G02F1/1303 ,  G02F1/13394 ,  G02F2203/69

Abstract: A method for forming a spacer used to keep constant a liquid crystal filled gap between a pair of substrates used in a liquid crystal panel. In the method droplets of an ink (7) in which granular spacer is dispersed are dripped onto each of the spacer forming positions (crossings of the grid-like black-matrix (5) forming the pixels (RGB)) on one substrate (1) of the substrates by an ink-jet method. By the method, a required number of spacers can be reliably formed within the areas not spreading to the pixels. Consequently, the thickness of the liquid crystal layer can be kept constant, and further the influence of the spacers on the display quality can be suppressed, thus improving the quality of the liquid crystal panel.

Abstract translation: 一种用于形成间隔物的方法，用于在液晶面板中使用的一对基板之间保持恒定的液晶填充间隙。 在其中分散有颗粒间隔物的油墨（7）的液滴滴在一个基板（1）上的每个间隔物形成位置（形成像素（RGB）的格栅状黑矩阵（交叉点）） ）的喷墨方法。 通过该方法，可以在不扩散到像素的区域内可靠地形成所需数量的间隔物。 因此，液晶层的厚度可以保持恒定，并且还可以抑制间隔物对显示质量的影响，从而提高液晶面板的质量。

公开(公告)号：WO2011086975A1

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：PCT/JP2011/050153

申请日：2011-01-07

Applicant: 株式会社アルバック ,  高梨 弘樹 ,  田口 遊子 ,  高山 道寛 ,  内田 寛人

Inventor： 高梨　弘樹 ,  田口　遊子 ,  高山　道寛 ,  内田　寛人

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/02013 ,  H01L31/0481 ,  Y02E10/50

Abstract: 　この太陽電池モジュールは、第一電極層と半導体層と第二電極層とがこの順に重ねられた光電変換体が形成された基板を有する太陽電池と；この太陽電池で発電された電気を外部へ取り出す取り出し電極と；この取り出し電極と前記太陽電池との間に配置されて、熱伝導率が０．５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である絶縁シートと；を備える。

Abstract translation: 所公开的太阳能电池模块设置有：太阳能电池，其具有形成有光电转换体的基板，所述光电转换体具有以下顺序层叠的第一电极层，半导体层和第二电极 层; 引出太阳能电池外的太阳能电池产生的电力的引出电极; 以及设置在引出电极和太阳能电池之间并且导热率至少为0.5W /（m·K）的绝缘片。