公开(公告)号：WO2008062496A1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：PCT/JP2006/321800

申请日：2006-10-31

Applicant: 京セラ株式会社 ,  松崎 孝博

Inventor： 松崎 孝博

IPC: H05K3/00 ,  H05K1/02 ,  H05K1/03

CPC classification number: H05K3/0052 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2203/52 ,  B28D5/0011 ,  C04B35/111 ,  C04B35/486 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/75 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/945 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/0029 ,  H05K2201/09036 ,  H05K2201/0909 ,  H05K2203/081 ,  H05K2203/1131 ,  Y10T428/15 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/2457 ,  Y10T428/24942

Abstract: 　本発明は、溝２を有するセラミック部材１に関する。セラミック部材１は、溝２の表面２１からの法線方向における少なくとも１μｍ以上１０μｍ以下までの領域が、溝２の表面２１からの法線方向の６０μｍ以上７０μｍ以下までの領域よりも、シリカまたはイットリアの含有率が高いものである。溝２の表面２１からの法線方向における少なくとも１μｍ以上１０μｍ以下までの領域を少なくとも表層２０としたとき、表層２０におけるシリカまたはイットリアの含有率は、溝２の表面２１からの法線方向の６０μｍ以上７０μｍ以下までの領域でのシリカまたはイットリアの平均含有率に対して、１．２倍以上１．６倍以下であるのが好ましい。  

Abstract translation: 具有凹槽（2）的陶瓷构件（1）。 在陶瓷构件（1）中，从每个凹槽（2）的表面（21）的法线方向深度至少为1μm至10μm的区域的二氧化硅或氧化钇含量比从 从凹槽（2）的表面（21）的正方向深度方向上为60μm至70μm。 当从每个凹槽（2）的表面（21）的法线方向深度至少为1μm至10μm的区域被称为表面层（20）时，表面上的二氧化硅或氧化钇含量 从槽（2）的表面（21）的方向的深度来看，层（20）优选为二氧化硅或氧化钇的平均含量在从60μm至70μm范围内的平均含量的1.2至1.6倍。