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    基板切断用治具、加工装置および基板切断方法
    4.
    发明申请
    基板切断用治具、加工装置および基板切断方法 审中-公开
    基板加工，加工设备和基板定位方法

    公开(公告)号：WO2013100149A1

    公开(公告)日：2013-07-04

    申请号：PCT/JP2012/084217

    申请日：2012-12-28

    Applicant: 古河電気工業株式会社 ,  茅原 崇 ,  繁松 孝 ,  酒井 俊明 ,  八木 三郎 ,  大島 宏文 ,  藤崎 晃 ,  江森 芳博

    Inventor： 茅原　崇 ,  繁松　孝 ,  酒井　俊明 ,  八木　三郎 ,  大島　宏文 ,  藤崎　晃 ,  江森　芳博

    IPC: B23K26/10 ,  B23K26/00 ,  B23K26/16 ,  B23K26/38 ,  H01L21/56 ,  H05K3/22

    CPC classification number: B23K26/38 ,  B23K26/082 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/0876 ,  B23K26/123 ,  B23K26/142 ,  B23K26/702 ,  B23K37/0408 ,  B25B11/005 ,  H05K3/0029 ,  H05K3/0052

    Abstract: 　本願発明は、回路基板の切断の際に用いる基板切断用治具、加工装置及び切断方法に関し、より効率が良く、切断品質が高い基板切断を実現することを課題とし、複数の素子が実装された回路基板（２００）が載置される載置面（１１）に形成された、前記回路基板（２００）を吸着するための複数の吸着孔（１２，１３）と、前記載置面（１１）において、前記回路基板（２００）を切断するために該回路基板（２００）に照射されるレーザ光の掃引線に沿って形成された、前記レーザ光を受けるための複数のレーザ光受け溝（１５）と、前記各レーザ受け溝（１５）に連通するように形成された、前記回路基板（２００）の切断によって発生する該回路基板（２００）の溶解物を吸引するための吸引孔（１６）と、を備える基板切断用治具（１００）を使用する。

    Abstract translation: 本发明涉及用于切割电路基板的基板切割夹具，加工装置和切割方法，并且具有实现高效且高品质的基板切割的目的。 使用具有以下的基板切割夹具（100）：多个通过真空压力连接电路基板（200）并且形成在用于装载的装载表面（11）中的吸入孔（12,13） 其上安装有多个元件的电路基板（200） 多个用于接收激光束的激光束接收槽（15），并且沿着施加到电路基板（200）的用于切割电路基板（200）的激光束的扫描线形成在装载表面（11）中， ; 以及吸引孔（16），其形成为与每个激光束容纳槽（15）连通并且吸引由于电路基板（200）的切割而导致的电路基板（200）的熔融材料。

    セラミック配線基板、多数個取りセラミック配線基板、およびその製造方法
    5.
    发明申请
    セラミック配線基板、多数個取りセラミック配線基板、およびその製造方法 审中-公开
    陶瓷接线板，多模式陶瓷接线板及其制造方法

    公开(公告)号：WO2012144115A1

    公开(公告)日：2012-10-26

    申请号：PCT/JP2012/000664

    申请日：2012-02-01

    Applicant: 日本特殊陶業株式会社 ,  長谷川 政美 ,  平山 聡 ,  鬼頭 直樹

    Inventor： 長谷川　政美 ,  平山　聡 ,  鬼頭　直樹

    IPC: H05K1/02 ,  H05K3/00

    CPC classification number: H05K1/0298 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/0029 ,  H05K3/0052 ,  H05K3/403 ,  H05K3/46 ,  H05K2201/0909 ,  H05K2201/09154 ,  H05K2201/09181 ,  H05K2203/0346 ,  Y10T29/49155

    Abstract: 　基板本体の側面の切欠部付近でバリが少なく且つ該切欠部の内壁面に設けた導体層のハンダ実装性に優れたセラミック配線基板、該基板を複数個得るための多数個取りセラミック配線基板、および該配線基板を確実に得るための製造方法を提供する。　平面視が矩形の表面３および裏面４と、該表面３と裏面４との間に位置し且つ表面３側の溝入面８ａおよび裏面４側の破断面７を有する側面５とを備えた基板本体２ａと、前記側面５の少なくとも１つに、上記表面３と裏面４との間における平面視が凹形状の切欠部６と、を備えたセラミック配線基板１ａであって、上記切欠部６を有する側面５において、上記溝入面８ａと破断面７との境界線１１は、側面視で基板本体２ａの表面３側に凸となる湾曲部１１ｒを切欠部６の両側に有する、セラミック配線基板１ａ。

    Abstract translation: 提供：在主板主体的侧面的切口部附近具有小毛刺的陶瓷布线板，以及设置在切口部的内壁面的导体层的优异的焊锡安装性; 用于获得多个板的多图案陶瓷布线板; 以及可靠地获得布线基板的制造方法。 陶瓷接线板（1a）设置有：设置有俯视图中矩形的前表面（3）和后表面（4）的主板主体（2a）和位于 在前表面（3）和后表面（4）之间并且在前表面（3）侧具有开槽表面（8a）和在后表面（4）侧上的切割表面（7） 以及在至少一个所述侧面（5）中在所述前表面（3）和所述后表面（4）之间在平面图中凹入的切口部分（6）。 在具有切口部分（6）的侧表面（5）中，开槽表面（8a）和切割表面（7）之间的边界线（11）具有弯曲部分（11r），在弯曲部分 部分（6）以侧视图形式从主板主体（2a）的前表面侧（3）形成突出部。

    METHOD FOR FORMING BURIED CONTACT ELECTRODE OF SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING PN JUNCTION AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
    6.
    发明申请
    METHOD FOR FORMING BURIED CONTACT ELECTRODE OF SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING PN JUNCTION AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME 审中-公开
    用于形成具有PN结的半导体器件的接触电极的方法和使用其的光电半导体器件

    公开(公告)号：WO2007037608A1

    公开(公告)日：2007-04-05

    申请号：PCT/KR2006/003813

    申请日：2006-09-26

    Applicant: LG CHEM, LTD.

    Inventor： KIM, Tae-Su ,  SHIN, Bu-Gon ,  YOU, Jae-Sung ,  SHIN, Hyun-Woo

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L33/382 ,  H01L33/42 ,  H05K3/0029 ,  H05K3/107 ,  H05K3/1241 ,  Y02E10/50

    Abstract: Disclosed is a method for manufacturing an optoelectronic semiconductor device having a p-n junction diode, which includes the steps of: (a) etching at least one surface of the p-n junction diode ina depth direction to form a plurality of continuous, isolated or mixed type electrode pattern grooves with a certain array; and (b) filling the formed grooves with a conductive ink containing a transparent conducting particle through an inkjet and then performing heat treatment to form a buried transparent electrode, the optoelectronic semiconductor device, and an apparatus for manufacturing the optoelectronic semiconductor device. In the present invention, covering loss is significantly reduced due to a buried transparent electrode so that the high efficiency of photoelectric conversion can be implemented, and there can be provided the easiness of a manufacturing process and the enhancement of productivity through the unification of etching and electrode forming processes.

    Abstract translation: 公开了一种制造具有pn结二极管的光电子半导体器件的方法，其包括以下步骤：（a）在深度方向上蚀刻pn结二极管的至少一个表面以形成多个连续的隔离或混合型电极 具有一定阵列的花纹槽; 和（b）通过喷墨用含有透明导电颗粒的导电油墨填充所形成的槽，然后进行热处理以形成掩埋的透明电极，光电子半导体器件和用于制造光电半导体器件的设备。 在本发明中，由于埋入了透明电极而导致的覆盖损耗显着降低，从而可以实现高效率的光电转换，并且可以提供制造工艺的容易性和通过蚀刻的统一来提高生产率 电极形成工艺。

    ELECTRIC RESISTANCE WITH AT LEAST TWO CONTACT FIELDS ON A CERAMIC SUBSTRATE AND PROCESS FOR MANUFACTURING THE SAME
    7.
    发明申请
    ELECTRIC RESISTANCE WITH AT LEAST TWO CONTACT FIELDS ON A CERAMIC SUBSTRATE AND PROCESS FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
    至少有两个连接接触FIELDS电阻作为制作陶瓷基板和方法

    公开(公告)号：WO1998026260A1

    公开(公告)日：1998-06-18

    申请号：PCT/EP1997006757

    申请日：1997-12-03

    Applicant: HERAEUS SENSOR-NITE GMBH ,  WIENAND, Karlheinz ,  ULLRICH, Karlheinz ,  SANDER, Margit ,  DIETMANN, Stefan

    Inventor： HERAEUS SENSOR-NITE GMBH

    IPC: G01K07/18

    CPC classification number: G01K7/183 ,  H01C7/008 ,  H01C7/06 ,  H01C7/22 ,  H01C17/06 ,  H05K1/167 ,  H05K3/0029 ,  H05K2201/0394

    Abstract: A temperature-dependent measurement resistance with a fast reaction time is at least partially arranged on the electrically insulating surface of a ceramic substrate. Part of the printed circuit bridges a recess in the substrate and the remaining part of the printed circuit is fitted with contact fields in the marginal area of the substrate adjacent to the recess. The printed circuit is made of a platinum or Au layer and is partially provided with a covering layer made of glass which leaves free the contact fields. In another embodiment, the printed circuit is arranged together with the contact fields either on a screen-printed glass membrane or on a thin film membrane applied by a PVD process which covers the surface of the ceramic substrate, bridging the recess. When the substrate surface is covered by a glass membrane, the printed circuit covering layer is also selectively applied by screen printing. When the substrate surface is covered by a thin film membrane, the printed circuit covering layer is also selectively applied by a PVD process and may be made of the same material as the thin film membrane. The ceramic substrate preferably consists of aluminium oxide.

    Abstract translation: 甲依赖于温度的测量电阻器具有快速响应时间是至少部分地布置在陶瓷基板，其特征在于，所述带状导体的一部分跨越位于凹部的电绝缘表面在所述衬底上桥状方式和在邻近设置有连接接触垫是凹部中的基板的边缘区域中的导体的剩余部分; 导体路径由铂或Au层，其中，所述导体路径被部分地设置有玻璃的覆盖层的，且其中所述终端接触垫自由离开。 在另一个实施方式中，导体线路与连接接触垫在任一个丝网印刷的玻璃膜或通过PVD薄膜膜，其覆盖所述陶瓷基板的表面和桥接所述凹槽施加的涂层一起布置。 在玻璃膜的情况下，覆盖层还选择性地通过丝网印刷涂布。 在薄膜的膜和覆盖层的情况下，被选择性地通过PVD工艺沉积，且可以是相同的材料与薄膜的膜。 陶瓷基板优选由氧化铝制成。

    METHOD OF LASER DRILLING THROUGH HOLES IN SUBSTRATES USING AN EXIT SACRIFICIAL COVER LAYER; CORRESPONDING WORKPIECE
    9.
    发明申请
    METHOD OF LASER DRILLING THROUGH HOLES IN SUBSTRATES USING AN EXIT SACRIFICIAL COVER LAYER; CORRESPONDING WORKPIECE 审中-公开
    通过使用出口密封层在基板上通过孔激光钻孔的方法; 相关工作

    公开(公告)号：WO2016176171A1

    公开(公告)日：2016-11-03

    申请号：PCT/US2016/029300

    申请日：2016-04-26

    Applicant: CORNING INCORPORATED

    Inventor： GOERS, Uta-Barbara

    IPC: B23K26/18 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/382

    CPC classification number: H01L23/49827 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/18 ,  B23K26/382 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H05K3/002 ,  H05K3/0029 ,  H05K3/4038 ,  H05K2203/1383

    Abstract: A workpiece (101) and a method of forming through holes (115) in substrate (100) are disclosed. The method of forming a through hole (115) in a substrate (100; 101) by drilling includes affixing an exit sacrificial cover layer (130) to a laser beam exit surface (112) of the substrate (100), positioning a laser beam (20) in a predetermined location relative to the substrate (100) and corresponding to a desired location for the through hole 8115), and forming the through hole 8115) by repeatedly pulsing the laser beam (20) into an entrance surface (110) of the substrate (100) and through a bulk of the substrate (100). The method further includes forming a hole (135) in the exit sacrificial cover layer (130) by repeatedly pulsing the laser beam (20) into the through hole (115) formed in the substrate (100) such that the laser beam (20) passes through the laser beam exit surface (112) of the substrate (100) and into the exit sacrificial cover layer (130).

    Abstract translation: 公开了一种工件（101）和在衬底（100）中形成通孔（115）的方法。 通过钻孔在基板（100; 101）中形成通孔（115）的方法包括将出射牺牲覆盖层（130）附着到基板（100）的激光束出射表面（112），定位激光束 （20）进入入射表面（110）中的相对于基板（100）的预定位置并且对应于通孔8115的期望位置），并且形成通孔8115） （100）的基底（100）。 该方法还包括通过将激光束（20）重复地脉冲到形成在基板（100）中的通孔（115）中，使出射牺牲覆盖层（130）中的激光束（20）形成孔（135） 通过基板（100）的激光束出射表面（112）并进入出射牺牲覆盖层（130）。

    絶縁基板に貫通孔を形成する方法およびインターポーザ用の絶縁基板を製造する方法
    10.
    发明申请
    絶縁基板に貫通孔を形成する方法およびインターポーザ用の絶縁基板を製造する方法 审中-公开
    用于在绝缘基板上形成孔的方法和用于制造用于间隔器的绝缘基板的方法

    公开(公告)号：WO2013058169A1

    公开(公告)日：2013-04-25

    申请号：PCT/JP2012/076360

    申请日：2012-10-11

    Applicant: 旭硝子株式会社

    Inventor： 高橋　晋太郎 ,  森　哲

    IPC: H05K3/00 ,  B23H7/38 ,  B26F1/28 ,  B26F1/31 ,  H01L23/12

    CPC classification number: B44C1/228 ,  B23K26/382 ,  B23K26/40 ,  B23K2203/50 ,  B26D7/1845 ,  B26F1/28 ,  H01L21/486 ,  H05K3/0017 ,  H05K3/0029 ,  H05K2201/10378 ,  H05K2203/107

    Abstract: 　（ａ）絶縁基板を準備する工程と、（ｂ）１０００個／ｃｍ ２ から２００００個／ｃｍ ２ の範囲の貫通孔密度、およびピッチＰ（２０μｍから３００μｍ）で、前記絶縁基板にｎ個（ただしｎは、９以上の整数）の貫通孔を形成する工程とを有し、前記（ｂ）の工程は、前記絶縁基板の表面において、（ｂ１）第１の対象位置に、第１番目の貫通孔を形成する工程と、（ｂ２）第２の対象位置に、第２番目の貫通孔を形成する工程であって、前記第１の対象位置と前記第２の対象位置の距離は、ピッチＰよりも大きい、工程と、．．．（ｂｎ）第ｎの対象位置に、第ｎ番目の最後の貫通孔を形成する工程であって、第（ｎ－１）の対象位置と第ｎの対象位置の距離は、ピッチＰよりも大きい、工程とを含む方法。

    Abstract translation: 一种方法，包括（a）制备绝缘基板的工艺，和（b）在绝缘基板中以通孔密度形成n个通孔（设置n为9以上的整数）的工序 范围为1000 / cm2〜20000 / cm2，间距（P）（20μm〜300μm）。 方法（b）包括：（b1）在绝缘基板的表面的第一位置形成第一通孔的工序; （b2）在第二位置形成第二通孔的处理，其中第一位置和第二位置之间的距离大于间距（P）; ...（bn）在第n位置形成第n和最终通孔的处理，其中第（n-1）位置和第n位置之间的距离大于间距（P）。

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