公开(公告)号：WO2007000823A1

公开(公告)日：2007-01-04

申请号：PCT/JP2005/011965

申请日：2005-06-29

Applicant: スパンション エルエルシー ,  Spansion Japan株式会社 ,  遠田孝之 ,  森谷将之

Inventor： 遠田孝之 ,  森谷将之

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/31053 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76224

Abstract: 　本発明は、半導体基板上の一部に酸化窒化シリコン膜を含むストッパ層（３２）を形成する工程と、ストッパ層の間およびその上に、ストッパ層の表面より高い表面を有するカバー膜（３４）を形成する工程と、セリアスラリを研磨剤に用い、カバー膜をストッパ層までを研磨する工程を有する半導体装置の製造方法である。また、半導体基板上の一部に設けられた金属層（３０）と、金属層上に設けられた酸化窒化シリコン膜（３２）と、金属層の間の半導体基板上に設けられ、酸化窒化シリコン膜の表面と実質的に同じ平面内の表面を有する埋込層（３６）と、を具備する半導体装置である。本発明によれば、表面の平坦性に優れた膜を有する半導体装置およびその製造方法を提供することができる。

Abstract translation: 一种制造半导体器件的方法，包括在半导体衬底的一部分上形成包括氧化物/氮化硅膜的阻挡层（32）的步骤，形成表面高于所述塞子表面的覆盖膜（34）的步骤 阻挡层之间和之间的层，以及使用二氧化铈浆料作为研磨剂将覆盖层向下研磨到塞子层的步骤。 一种半导体器件，包括设置在半导体衬底的一部分上的金属层（30），设置在所述金属层上的氧化物/氮化物硅膜（32）以及设置在所述半导体衬底上的金属层之间的掩埋层（36） 实际上与氧化物/氮化物硅膜的表面齐平。 因此，可以提供具有表面平坦度优异的膜的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：WO2007043100A1

公开(公告)日：2007-04-19

申请号：PCT/JP2005/018105

申请日：2005-09-30

Applicant: スパンション エルエルシー ,  Spansion Japan株式会社 ,  森谷将之 ,  遠田孝之

Inventor： 森谷将之 ,  遠田孝之

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/76804 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/7684 ,  H01L27/148

Abstract: 　本発明は、半導体基板（１０）上に絶縁膜（１２ａ）を形成する工程と、絶縁膜（１２ａ）にコンタクトホール（１４）を形成する工程と、コンタクトホール（１４）内に金属層（１８）を形成する工程と、金属層（１８）の上部の上面より下側の絶縁膜（１２ａ）の上部を研磨する工程と、金属層（１８）の上部を研磨する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。本発明によれば、コンタクトホールの寸法または間隔の微細化が可能な半導体装置およびその製造方法を提供することができる。

Abstract translation: 半导体器件的制造方法包括以下步骤：在半导体衬底（10）上形成绝缘膜（12a），在绝缘膜（12a）中形成接触孔（14），在接触中形成金属层（18） 在所述金属层（18）的顶部的上表面的下方研磨所述绝缘膜（12a）的顶部，并对所述金属层（18）的上部进行研磨的孔（14）。 根据半导体器件及其制造方法，可以减小接触孔的尺寸或接触孔之间的间隔。