セラミックス集合基板とその製造方法及びセラミックス基板並びにセラミックス回路基板
    1.
    发明申请
    セラミックス集合基板とその製造方法及びセラミックス基板並びにセラミックス回路基板 审中-公开
    集体陶瓷基板,基板,陶瓷基板和陶瓷电路基板的制造方法

    公开(公告)号:WO2009154295A1

    公开(公告)日:2009-12-23

    申请号:PCT/JP2009/061342

    申请日:2009-06-22

    Abstract:  分割時には良好に分割できるが非分割時には不用意に分割され難いという分割性を有するセラミックス集合基板と、寸法精度と曲げ強度に優れたセラミックス基板及び絶縁耐圧性に優れたセラミックス回路基板を提供する。セラミックス焼結基板の片面または両面に、回路基板を多数個取りするための分割用の連続溝がレーザ加工により設けられたセラミックス集合基板であって、少なくともその一つの連続溝は、溝の長さ方向にある最大深さ部と最小深さ部との溝深さ差Δdが10μm≦Δd≦50μmであるセラミックス集合基板。また、例えば前記セラミックス集合基板から分割されたセラミックス基板であって、少なくともその一つの側面は前記連続溝に沿って分割されて形成された面であり、該側面の算術平均粗さRaにおいて、前記連続溝加工部表面の算術平均粗さRa2の方が破断部表面の表面粗さ算術平均粗さRa1よりも小さいセラミックス基板である。

    Abstract translation: 提供了一种具有可分割性的集体陶瓷基板,其中基板可以在预期时被良好地分割,并且在不期望的情况下不容易被错误地划分。 还提供了尺寸精度和弯曲强度优异的陶瓷基板和介电强度优异的陶瓷电路基板。 集体陶瓷基板通过激光束加工操作在烧结的陶瓷基板的一个或两个面中设置有用于分割多个电路基板的连续凹槽。 集合陶瓷基板的至少一个连续槽在最深部分和最浅部分之间具有在槽的纵向方向上取的凹槽深度差(Δd)为10μm=Δd=50μm。 在从集体陶瓷基板分割的陶瓷基板中,例如,通过沿着连续的槽分割至少一个侧面而形成至少一个侧面。 在侧面的算术平均粗糙度(Ra)中,连续槽加工面的算术平均粗糙度(Ra2)小于断裂面的算术平均表面粗糙度(Ra1)。

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