摘要:
Offenbart wird ein Schaltungsträger (ST), insb. ein Keramiksubstrat, für Leistungselektronik, umfassend: eine Bestückungsoberfläche (BF) zum Bestücken von Leistungselektronikbauelementen (LE); - eine von der Bestückungsoberfläche (BF) abgewandt liegende Wärmeübertragungsoberfläche (WF) zur thermischen Kontaktierung des Schaltungsträgers (ST) mit einer Wärmesenke, insb. einem Kühler (KL); mindestens eine Seitenfläche (SF) zwischen der Bestückungsoberfläche (BF) und der Wärmeübertragungsoberfläche (WF); wobei die Längste der mindestens einen Seitenfläche (SF) zu der Bestückungsoberfläche (BF) und der Wärmeübertragungsoberfläche (WF) schräg ausgeführt ist; und - der Schaltungsträger eine von einer ersten Kante (KT1) zwischen der Bestückungsoberfläche (BF) und der längsten Seitenfläche (SF) zu einer zweiten Kante (KT2) zwischen der Wärmeübertragungsoberfläche (WF) und der längsten Seitenfläche (SF) hin sich verjüngende Dicke aufweist.
摘要:
Für ein Leistungsmodul, umfassend wenigstens drei übereinander gestapelte Lagen, darunter: wenigstens ein Kühlkörper (10) mit einer Oberseite (11), wenigstens eine auf die Oberseite (11) des Kühlkörpers (10) aufgebrachte und sich flächig erstreckende haftvermittelnde Zwischenschicht (20) mit einer der Oberseite (11) des Kühlkörpers (10) zugewandten ersten Seite (21) und einer von der ersten Seite (21) abgewandten zweiten Seite (22), wenigstens eine auf der zweiten Seite (22) der Zwischenschicht (20) angeordnete in Leiterbahnabschnitte (31) untergliederte metallischen Schicht (30) mit einer Kontaktseite (32), die der zweiten Seite (22) der Zwischenschicht (20) zugewandt ist,wobei das Leistungsmodul weiterhin wenigstens ein elektronisches Leistungsbauelement (40) umfasst, das auf wenigstens einen Leiterbahnabschnitt (31) der metallischen Schicht (30) aufgebracht ist und elektrisch mit dem wenigstens einen Leiterbahnabschnitt (31) der metallischen Schicht(30)elektrisch kontaktiert ist, wird vorgeschlagen, dass die in Leiterbahnabschnitte (31) untergliederte metallische Schicht (30) unabhängig von der Herstellung der Zwischenschicht (20) und des Kühlkörpers (10) aus wenigstens einem in Leiterbahnabschnitte (31) untergliederten Metallblech hergestellt ist.
摘要:
FDST Patentanwälte, Nürnberg Seite A semiconductor package (1, 1', 1''), the package (1, 1', 1'') comprising a first substrate (2) comprising at a front cavity side (5') a plurality of cavities (6, 6'), each of the cavities (6, 6') having a bottom wall (7) and side walls (8), and having a conductive path (10) forming an electric contact surface (9) located at the inner side of the bottom wall (7) of the cavity (6, 6'), a plurality of semiconductor elements (16, 7), each of the semiconductor elements (16, 17) comprising a first electric contact surface (9) on a first side (26) and a second electric contact surface (9) on a second side (28) opposite to the first side (26), wherein at least one of the semiconductor elements (16, 17) is placed within a corresponding cavity (6, 6') at the front cavity side (5') of the first substrate (2), wherein the first electric contact (27) of the semiconductor element (16, 17) and the electric contact surface (9) at the inner side of the bottom wall (7) of the corresponding cavity (6, 6') are electrically conductive bonded in a material-locking manner, and a second substrate (3), the seond substrate (3) being attached with a connection side (12, 13) to the front cavity side (5') of the first substrate (2) thereby encapsulating the semiconductor elements (16, 17) located within the corresponding cavities (6, 6') at the front cavity side (5') of the first substrate (2).
摘要:
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Kupfer-Keramik-Verbund, umfassend - ein Keramiksubstrat, das Aluminiumoxid enthält, - eine auf dem Keramiksubstrat vorliegende Beschichtung aus Kupfer oder einer Kupferlegierung, wobei das Kupfer oder die Kupferlegierung eine Anzahlverteilung der Korngrößen mit einem Medianwert d 50 , einem arithmetischen Mittelwert d arith und einem Symmetriewert S(Cu)=d 50 /d arith aufweist, das Aluminiumoxid eine Anzahlverteilung der Korngrößen mit einem Medianwert d 50 , einem arithmetischen Mittelwert d arith und einem Symmetriewert S(Al 2 O 3 )= d 50 / d arith aufweist, und S(Al 2 O 3 ) und S(Cu) der folgenden Bedingung genügen: 0,7 ≤ S(Al 2 O 3 ) / S(Cu) ≤ 1,4.
摘要翻译:
本发明涉及一种铜 - 陶瓷复合物,包括: - 陶瓷基板,氧化铝含有HOLDS, - 对铜的陶瓷基片涂层或铜合金构成的本,其中,所述铜或铜合金具有 具有中值d 50的晶粒尺寸的数量分布,算术平均值d arith和对称值S(Cu)= d 50 / dithium,氧化铝具有中值d 50,算术平均值dithith和对称值S (铝<子> 2 子> 0 <子> 3 子>)= d <子> 50 子> / d <子> ARITH 子>,并且在S(铝<子> 2 (Cu)满足以下条件:0.7≤S(Al 2 O 3)/ S(Cu) )/ S(Cu)≤1.4。 P>
摘要:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Wärmespreizplatte (10) für einen Schaltungsträger (80), wobei - mindestens eine erste Schicht (20) aus einem ersten Material (M1) mit einem ersten Ausdehnungskoeffizient und - mindestens eine zweite Schicht (30) aus einem zweiten, dehnungsarmen Material (M2) mit einem zweiten Ausdehnungskoeffizient, der kleiner als der erste Ausdehnungskoeffizient ist, bei einer Verbindungstemperatur von 150 °C - 300 °C, insbesondere durch ein Niedertemperatursinterverfahren, miteinander verbunden werden, wobei zwischen der ersten Schicht (20) und der zweiten Schicht (30) mindestens eine erste Verbindungsschicht (40) aus einem Verbindungsmaterial (VM) ausgebildet ist und die Verbindungstemperatur im Wesentlichen der Montagetemperatur bei der Verbindung der hergestellten Wärmespreizplatte (10) mit mindestens einem Schaltungsträger (80) entspricht.
摘要:
The present invention provides a low cost preparation of ultra-low CTE and low dielectric loss high temperature co-fired ceramic (HTCC) substrates for highly integrated monolithic millimeter-wave integrated circuits (MMICs) utilized in high temperature environment. This HTCC zircon substrate is advantageous over currently available HTCC substrates in terms of cost effectiveness, excellent dielectric properties, close to zero thermal expansively, high thermal conductivity and good mechanical properties.
摘要:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Substratanordnung (10; 10'; 10") zur Verbindung mit einem Elektronikbauteil (30; 30''), umfassend die Schritte: - Bereitstellen eines Substrats (11) mit einer ersten Seite (12) und einer zweiten Seite (13), - Aufbringen einer Kontaktierungsmaterial-Schicht (15) auf die erste Seite (12) des Substrats (11), - zumindest abschnittsweises Aufbringen eines Vorfixiermittels (18) auf eine vom Substrat (11) abgewandte Seite (16) der Kontaktierungsmaterial-Schicht (15).
摘要:
Die Erfindung betrifft ein Phasenmodul (1) für einen Stromrichter (2) aufweisend mindestens ein Schaltelement (10) und einen Kühlkörper (13). Zur Verbesserung der Kühleigenschaft eines Phasenmoduls (1) wird vorgeschlagen, dass das Schaltelement (10) mit dem Kühlkörper (13) verbunden ist, wobei die Verbindung zwischen Schaltelement (10) und Kühlkörper (13) eine nichtlösbare Verbindung ist. Die Erfindung betrifft weiter einen Stromrichter (2) mit mindestens einem solchen Phasenmodul (1) sowie ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Phasenmoduls (1), wobei zur Herstellung einer Verbindung zwischen dem Schaltelement (10) und dem Kühlkörper (13) das Schaltelement (10) auf den Kühlkörper (13) gelötet, gesintert oder geklebt wird.
摘要:
Das Bauteilmodul weist ein Bauteil mit zumindest einem elektrischen Kontakt auf, bei welchem ein im zumindest einen Kontakt zumindest ein offenporiges Kontaktstück angebunden ist, wobei das Bauteilmodul ein Kühlsystem zur Kühlung mit einem Kühlfluid aufweist, welches einen oder mehrere Kühlkanäle umfasst, die mittels Poren des offenporigen Kontaktstücks gebildet sind. Das Leistungsmodul umfasst ein solches Bauteilmodul.