公开(公告)号：WO2015118721A1

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：PCT/JP2014/076722

申请日：2014-10-06

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社デンソー ,  高谷 秀史 ,  斎藤 順 ,  添野 明高 ,  濱田 公守 ,  水野 祥司 ,  青井 佐智子 ,  渡辺 行彦

Inventor： 高谷　秀史 ,  斎藤　順 ,  添野　明高 ,  濱田　公守 ,  水野　祥司 ,  青井　佐智子 ,  渡辺　行彦

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 　複数のゲートトレンチが形成されている領域の周囲を一巡する終端トレンチと、終端トレンチの下端に接するｐ型の下端ｐ型領域と、外周側から終端トレンチに接しており、半導体基板の表面に露出しているｐ型の外周ｐ型領域と、外周ｐ型領域よりも外周側に形成されており、半導体基板の表面に露出しているｐ型の複数のガードリング領域と、外周ｐ型領域を複数のガードリング領域から分離しており、複数のガードリング領域を互いから分離しているｎ型の外周ｎ型領域を有する半導体装置。

Abstract translation: 一种半导体器件，包括：终端沟槽，其在形成有多个栅极沟槽的区域周围通过一次; p型的下端p型区域，其与端接沟槽的下端接触; p型的外周p型区域，其与外周侧的终端沟槽接触，并暴露于半导体衬底的表面; 多个p型保护环区域，其形成为比外周p型区域更周边地外露，并且暴露于半导体衬底的表面; 以及n型的外周n型区域，其将外周p型区域与多个保护环区域隔离，并且将多个保护环区域彼此隔离。