公开(公告)号：WO2004075272A1

公开(公告)日：2004-09-02

申请号：PCT/JP2004/001996

申请日：2004-02-20

Applicant: 株式会社日立国際電気 ,  尾崎 貴志 ,  谷山 智志 ,  宇波 博志 ,  前田 喜世彦 ,  森田 慎也 ,  高島 義和 ,  久門 佐多雄

Inventor： 尾崎 貴志 ,  谷山 智志 ,  宇波 博志 ,  前田 喜世彦 ,  森田 慎也 ,  高島 義和 ,  久門 佐多雄

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4409 ,  C23C16/4401 ,  C30B25/08

Abstract: CVD装置はウエハ(1)を処理する反応炉(39)と、反応炉(39)を気密に閉塞するシールキャップ(20)と、シールキャップ(20)と対向するアイソレーションフランジ(42)と、シールキャップ(20)とアイソレーションフランジ(42)と反応炉(39)内の壁面とで形成される小部屋(43)と、小部屋(43)に第1ガスを供給する供給管(19b)と、小部屋(43)に設けられ第1のガスを反応炉(39)内に流出させる流出経路(42a)と、流出経路(42a)から下流側に設けられ反応炉(39)内に第2ガスを供給する供給管(19a)と、を有する。炉口部等の低温部へのNH 4 Cl等の副生成物の付着を防止でき、半導体デバイス製造の歩留まりを向上できる。

Abstract translation: CVD装置具有用于处理晶片（1）的反应炉（39）; 用于气密密封反应炉（39）的密封盖（20），与密封盖（20）相对的隔离凸缘（42）; 由密封帽（20），隔离凸缘（42）和反应室（39）中的壁表面形成的小室（43）; 用于将第一气体供给到小室（43）的进料管（19b）; 设置在所述小室（43）中并使所述第一气体流出到所述反应炉（39）中的流出通道（42a）; 以及设置在流出通道（42a）的下游侧并将第二气体供给到反应炉（39）中的进料管（19a）。 在该装置中，可以防止诸如NH 4 Cl的副产物粘附到包括炉开口的低温部分，并且这增加了半导体器件生产的屈服百分比。

公开(公告)号：WO2012077680A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：PCT/JP2011/078186

申请日：2011-12-06

Applicant: 株式会社日立国際電気 ,  堀井 貞義 ,  野村 久志 ,  笠原 修 ,  中村 直人 ,  平野 光浩 ,  谷山 智志 ,  谷口 武志 ,  豊田 一行 ,  野口 陽平 ,  小清水 隆史

Inventor： 堀井　貞義 ,  野村　久志 ,  笠原　修 ,  中村　直人 ,  平野　光浩 ,  谷山　智志 ,  谷口　武志 ,  豊田　一行 ,  野口　陽平 ,  小清水　隆史

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L21/31

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0062

Abstract: 　一度に処理する基板の枚数を増大させ、ＧａＮのエピタキシャル膜の生産性を向上させることができる膜の形成方法及び基板処理装置を提供する。　基板を処理室内に搬入する搬入工程と、前記処理室内にガリウム塩化物ガスを供給する第１ステップと、前記処理室から前記ガリウム塩化物ガスをパージする第１パージステップと、前記第１パージステップの後に前記処理室内にアンモニアガスを供給する第２ステップと、前記処理室から前記アンモニアガスをパージする第２パージステップとを有する初期膜形成工程と、前記初期膜形成工程の後に、前記処理室内に前記ガリウム塩化物ガスと前記アンモニアガスを同時に供給し、エピタキシャル膜を形成するエピ膜形成工程とによりＧａＮ膜を形成する。

Abstract translation: 提供了一种能够提高GaN外延膜的生产率的膜的形成方法，并且一次增加可以处理的基板的数量，并且还提供了一种基板处理装置。 通过以下步骤形成GaN膜：用于将基板输送到处理室中的输送步骤; 初始成膜步骤，具有向处理室供给氯化镓气体的第一步骤，用于从处理室中吹扫氯化镓气体的第一净化步骤，在第一次净化之后向处理室供应氨气的第二步骤 步骤，以及用于从处理室吹扫氨气的第二吹扫步骤; 以及在成膜步骤之后，同时向处理室供给氯化镓气体和氨气并形成外延膜的表膜形成步骤。

公开(公告)号：WO2006093037A1

公开(公告)日：2006-09-08

申请号：PCT/JP2006/303381

申请日：2006-02-24

Applicant: 株式会社日立国際電気 ,  谷山 智志 ,  高島 義和 ,  大野 幹雄

Inventor： 谷山 智志 ,  高島 義和 ,  大野 幹雄

IPC: H01L21/31

CPC classification number: C23C16/4412 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109

Abstract: 　排気トラップ内での基板処理済みガスのよどみをなくし基板処理済みガス中の成分の局部的な析出を抑制する。 　基板処理室（筒状空間２５０）と、前記基板処理室に基板処理ガスを供給するガス供給管２３２と、前記基板処理室から基板処理済みガスを排出する第１の排気管（上流側排気管２３１ａ）と、前記第１の排気管から導入される基板処理済みガスに含まれる成分を除去する排気トラップ４９と、前記排気トラップ４９から基板処理済みガス中の成分を除去したガスを排気する第２の排気管（下流側排気管２３１ｂ）とを備え、前記排気トラップ４９には、排気トラップ４９へのガス導入方向と略垂直であり、排気トラップ４９のガス導入口５５ａ側に凹面５９ａを有する、冷却された邪魔板５９を設ける。

Abstract translation: 通过消除排气阱中的气体的停滞，抑制了已经用于处理基板的气体中的部件的局部沉积的半导体生产系统。 半导体制造系统包括基板处理室（管状空间（250）），用于向基板处理室供给基板处理气体的管道（232），用于排出的第一排气管（上游侧排气管道（231a） 已经用于从基板处理室处理基板的气体，用于去除通过第一排气管引入的废气中所含的成分的排气阱（49）和第二排气管（下游侧排气管（231b） ），用于将从其排出组分的废气从排气阱（49）排出。 排气阱（49）设置有大致垂直于气体被引入排气阱（49）的方向的冷却挡板（59），并且在气体入口（55a）侧具有凹陷表面（59a） 排气阱（49）。

公开(公告)号：WO2006049055A1

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：PCT/JP2005/019670

申请日：2005-10-26

Applicant: 株式会社日立国際電気 ,  中嶋 誠世 ,  谷山 智志 ,  寿崎 健一 ,  高島 義和

Inventor： 中嶋 誠世 ,  谷山 智志 ,  寿崎 健一 ,  高島 義和

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67017 ,  C23C16/4408 ,  H01L21/67757

Abstract: 　ロードロック方式の予備室におけるガスの流れを改善する。 　ロードロック方式の基板処理装置は、基板（１）を収容して処理する処理室（３４）と、処理室（３１）に連設された予備室（２３）と、複数枚の基板（１）を保持した基板保持具（５０）を処理室（３１）に搬入および搬出する基板保持具用機構部（４０）と、予備室（２３）に不活性ガスを供給する不活性ガス供給口（６１）と、不活性ガス供給口（６１）よりも上側となるように予備室（２３）に設けられて不活性ガスを排気する第一の排気口（７１）と、予備室（２３）を真空引きする第二の排気口（８１）と、第二の排気口（８１）により真空引きした予備室（２３）内を昇圧してから所定圧力に維持する際に、不活性ガス供給口（６１）から供給された不活性ガスを第一の排気口（７１）からのみ排気するように制御する制御部（１００）と、を備えている。

Abstract translation: 改进了装载系统预备室中的气流。 装载系统基板处理设备设置有用于存储和处理基板（1）的处理室（34）。 所述预备室（23）连续地布置到所述处理室（31）; 用于承载和执行将多个基板（1）保持在处理室（31）上的基板保持工具（50）的基板保持机构部分（40）; 用于向预备室（23）供给惰性气体的惰性气体供给口（61） 第一排气口（71），设置在所述预备室（23）中的所述惰性气体供给口（61）的上方，排出所述惰性气体; 用于使预备室（23）真空的第二排气口（81）; 以及控制部（100），用于控制从惰性气体供给口（61）供给的惰性气体，仅在从第一排气口（71）排出时，将由第二排气抽真空的预备室（23）保持 端口（81）在增加预备室（23）的压力之后在规定的压力下。