公开(公告)号：WO2016042663A1

公开(公告)日：2016-03-24

申请号：PCT/JP2014/074869

申请日：2014-09-19

Applicant: 株式会社日立国際電気

Inventor： 野田　孝暁 ,  野原　慎吾 ,  紺野　光太郎 ,  澤田　元司 ,  ▲たか▼木　康祐 ,  花島　建夫 ,  末吉　守

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/4587 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274

Abstract: 　半導体装置の製造方法は、（ａ）処理容器内に複数枚の基板を垂直方向に配列して収容するとともに、複数枚の基板が配列された基板配列領域よりも上方の領域および下方の領域のうち少なくともいずれかの領域の空間をアダプタで塞いだ状態を形成する工程と、（ｂ）その状態を維持しつつ、（ｂ１）処理容器内における基板配列領域の側方から複数枚の基板に対して原料ガスを供給する工程と、（ｂ２）処理容器内から排気管を介して原料ガスを排気する工程と、（ｂ３）処理容器内における基板配列領域の側方から複数枚の基板に対して反応ガスを供給する工程と、（ｂ４）処理容器内から前記排気管を介して前記反応ガスを排気する工程と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、複数枚の基板上に膜を形成する工程と、を有する。

Abstract translation: 半导体器件制造方法包括（a）用于在处理容器中垂直布置和存储多个衬底的步骤，并且用于形成至少相对于衬底设置区域的上部区域或下部区域的状态，其中多个衬底 布置的基板被适配器遮挡，并且（b）在保持条件的同时，分别在多个基板上形成膜的步骤通过以下步骤执行包括以下步骤的循环：预定次数的非 - 同时进行：（b1）从所述基板配置区域侧向所述处理容器内的所述多个基板供给源气体的工序; （b2）通过排气管道从处理容器的内部排出源气体的步骤; （b3）从所述基板配置区域侧向所述处理容器内的所述多个基板供给反应气体的工序; 和（b4）经由排气管道从处理容器的内部排出反应气体的步骤。

公开(公告)号：WO2014176378A3

公开(公告)日：2015-10-29

申请号：PCT/US2014035206

申请日：2014-04-23

Applicant: DIAMON FUSION INTERNATIONAL INC

Inventor： SLAYBAUGH RUSSELL C ,  METCALFE MICHAEL STEPHEN ,  ZAX ADAM ,  SETA GUILLERMO

IPC: C23C16/448

CPC classification number: C23C16/4485 ,  C23C16/44 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54

Abstract: A closed chemical introduction system used to deliver active ingredients in liquid chemical to a chemical vapor deposition system includes a robust, moisture-free cartridge containing a defined dose of liquid chemical. The cartridge is placed on a mounting slot specially configured to receive the cartridge. Upon initiating the system, a first linear mechanical actuator securely holds the cartridge in the slot, while an extraction lance attached to a second linear mechanical actuator punctures the cartridge from the bottom, extracts the liquid chemical and delivers it to a vaporization chamber. The vaporization chamber evaporates the liquid chemical and delivers the vapors containing the active ingredients to the chemical vapor deposition system. The chemical vapor deposition system may include a treatment chamber, a conveyor, a compressed clean air system to provide separate treatment compartments within the chamber, a moisture system, a chemical vapor system, and a neutralization system to neutralize harmful byproducts.

Abstract translation: 用于将液体化学物质中的活性成分输送到化学气相沉积系统的封闭的化学物质引入系统包括含有限定剂量的液体化学物质的坚固，无湿气的药筒。 墨盒被放置在专门配置为接收墨盒的安装槽上。 在启动系统时，第一线性机械致动器将卡盒牢固地保持在狭槽中，而附接到第二线性机械致动器的提取枪从底部刺穿墨盒，提取液体化学品并将其输送到蒸发室。 蒸发室蒸发液体化学品并将含有活性成分的蒸气输送到化学气相沉积系统。 化学气相沉积系统可以包括处理室，输送机，压缩清洁空气系统，以在室内提供分离的处理隔室，湿度系统，化学气相系统和中和系统以中和有害副产物。

公开(公告)号：WO2015140933A1

公开(公告)日：2015-09-24

申请号：PCT/JP2014/057388

申请日：2014-03-18

Applicant: 株式会社日立国際電気

Inventor： 牛田　卓朗 ,  鎌倉　司 ,  芦原　洋司 ,  中谷　公彦

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02186

Abstract: 　処理室内の基板に対して酸化剤を先行して供給する工程と、処理室内の基板に対して酸化剤と原料とを同時に供給する工程とを、それらの間に前記処理室内のパージを挟むことなく連続的に行う工程と、処理室内の基板に対する酸化剤と原料との供給を停止して処理室内をパージする工程と、パージ後の処理室内の基板に対して酸化剤を供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行う。

Abstract translation: 公开了一种半导体器件制造方法，其中循环进行预定次数，所述循环包括：不在步骤之间清洗处理室的步骤，用于连续执行用于预先向处理室中的衬底供应氧化剂的步骤，以及 用于一次将氧化剂和原料供给到处理室中的基板的步骤; 通过停止在处理室中将氧化剂和原料供应到基板来清洗处理室内部的步骤; 以及在清洗之后将氧化剂供给到处理室中的基板的步骤。

公开(公告)号：WO2015113894A1

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：PCT/EP2015/051284

申请日：2015-01-22

Applicant: WACKER CHEMIE AG

Inventor： HERTLEIN, Harald ,  POPP, Friedrich

IPC: C01B33/035

CPC classification number: C01B33/035 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4408 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium, bei dem ein Reaktionsgas enthaltend eine Silicium enthaltende Komponente und Wasserstoff in einen Reaktor eingeleitet wird, wobei der Reaktor wenigstens einen Trägerkörper aus Silicium umfasst, der durch direkten Stromdurchgang erhitzt wird, wobei die Silicium enthaltende Komponente zersetzt wird und sich polykristallines Silicium auf dem wenigstens einen Trägerkörper abscheidet, dadurch gekennzeichnet, dass der wenigstens eine Trägerkörper aus Silicium eine Oxidschicht aufweist, die vor Beginn der Abscheidung von polykristallinem Silicium auf dem wenigstens einen Trägerkörper dadurch entfernt wird, dass der wenigstens eine Trägerkörper auf eine Temperatur von 1100-1200°C aufgeheizt und bei einem Druck von 0,1 bis 5 barü einer Atmosphäre enthaltend Wasserstoff ausgesetzt wird, indem ein Spülgas enthaltend Wasserstoff dem Reaktor zugeführt wird.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造多晶硅，其中，包括含有成分和氢的硅的反应气体被引入一个反应器中，反应器包括至少硅的承载体，其通过电流直接通过加热，其中该含硅组分 被分解和多晶硅沉积在承载体上，其中至少，其特征在于，硅中的至少一个承载体，其前多晶硅上的至少一个支撑体，其特征在于，所述至少一个承载体的沉积移除的氧化物层 的加热在0.1〜5的压力被暴露1200至00年℃，并含有氢的温度由含氢被供给到反应器中的净化气体巴的气氛中。

公开(公告)号：WO2014128267A2

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：PCT/EP2014053457

申请日：2014-02-21

Applicant: ALTATECH SEMICONDUCTOR

Inventor： NAL PATRICE ,  BOREAN CHRISTOPHE ,  VITIELLO JULIEN

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45572 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45517 ,  C23C16/45521 ,  C23C16/4558

Abstract: A reactor device (1) for chemical vapour deposition comprises a reaction chamber (4) having a purge gas inlet (106). A gas discharge channel (100) is linked to said reaction chamber (4) via a circumferential opening (49a) in the inner wall (19) of said chamber. The reaction chamber (4) is arranged such that a purge gas stream (200) flows from the purge gas inlet (106) to the discharge channel (100). Said inner wall (19) of the reaction chamber comprises means for exchanging heat with the purge gas, for example fins.

Abstract translation: 用于化学气相沉积的反应器装置（1）包括具有吹扫气体入口（106）的反应室（4）。 气体排出通道（100）通过所述室的内壁（19）中的周向开口（49a）连接到所述反应室（4）。 反应室（4）布置成使得净化气体流（200）从净化气体入口（106）流到排放通道（100）。 反应室的所述内壁（19）包括用于与吹扫气体（例如翅片）进行热交换的装置。

公开(公告)号：WO2013105416A1

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：PCT/JP2012/083204

申请日：2012-12-21

Applicant: シャープ株式会社 ,  奈須野 善之 ,  東名 敦志

Inventor： 奈須野　善之 ,  東名　敦志

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L21/02046 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4408 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 　シリコン含有膜（１）の製造方法は、フッ素含有ガスを用いてチャンバ（２）内をドライクリーニングする第１の工程と、チャンバ（２）内に基板（１０）を搬入する第２の工程と、基板（１０）をチャンバ（２）内に設けた状態でチャンバ（２）内をシラン系ガスでパージする第３の工程と、第３の工程の後に基板（１０）の上にシリコン含有膜（１）を形成する第４の工程とを備えている。

Abstract translation: 该含硅膜（1）的制造方法包括：使用含氟气体对室（2）的内部进行干洗的第一工序; 第二步骤，其中将基板（10）带入所述室（2）中; 第三步骤，其中在将基板（10）保持在室（2）内的同时，用硅烷基气体吹扫室（2）的内部; 以及在第三步骤之后在基板（10）上形成含硅膜（1）的第四步骤。

公开(公告)号：WO2012121040A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：PCT/JP2012/054725

申请日：2012-02-27

Applicant: 富士フイルム株式会社 ,  藤縄 淳

Inventor： 藤縄　淳

IPC: C23C16/509

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/509 ,  C23C16/545

Abstract: 長尺な基板を長手方向に搬送しつつ、プラズマＣＶＤによって成膜を行う機能性フィルムの製造において、成膜を停止した後の大気解放時に、製品や成膜系内の汚染を防止し、生産性の向上や製品品質の向上を図ることができる方法を提供する。 成膜電極の表面が成膜系内で大気と接触するのを妨げた状態にした後に、大気解放のための気体を成膜系内に導入することにより、前記課題を解決する。

Abstract translation: 提供一种通过在成膜后停止向大气释放时除去成膜体系中的产品污染和污染而提高生产效率和产品质量的方法，其中使用 等离子体CVD，同时在长度方向上传送长基板。 在膜形成电极的表面在膜形成系统中被防止与大气接触的状态下，将用于释放到大气中的气体引入成膜系统中，从而 解决上述问题。

公开(公告)号：WO2011056519A3

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：PCT/US2010053982

申请日：2010-10-25

Applicant: ASM INT ,  ASM INC ,  PORE VILJAMI ,  HATANPAEAE TIMO ,  RITALA MIKKO ,  LESKELAE MARKKU

Inventor： PORE VILJAMI ,  HATANPAEAE TIMO ,  RITALA MIKKO ,  LESKELAE MARKKU

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45555 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/0262 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1616

Abstract: Atomic layer deposition (ALD) processes for forming Group VA element containing thin films, such as Sb, Sb-Te, Ge-Sb and Ge-Sb-Te thin films are provided, along with related compositions and structures. Sb precursors of the formula Sb( SiR1R2R3)3 are preferably used, wherein R1, R2, and R3 are alkyl groups. As, Bi and P precursors are also described. Methods are also provided for synthesizing these Sb precursors. Methods are also provided for using the Sb thin films in phase change memory devices.

Abstract translation: 提供了用于形成包含诸如Sb，Sb-Te，Ge-Sb和Ge-Sb-Te薄膜的含VA族元素薄膜的原子层沉积（ALD）工艺，以及相关的组成和结构。 式Sb（SiR 1 R 2 R 3）3的Sb前体优选使用，其中R 1，R 2和R 3是烷基。 As，还描述了Bi和P前体。 还提供了合成这些Sb前体的方法。 还提供了在相变存储器件中使用Sb薄膜的方法。

公开(公告)号：WO2011055012A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：PCT/FI2010/050875

申请日：2010-11-02

Applicant: BENEQ OY ,  MAULA, Jarmo ,  ALASAARELA, Tapani

Inventor： MAULA, Jarmo ,  ALASAARELA, Tapani

IPC: C23C16/08 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C30/00 ,  C23C16/455 ,  C23C16/44 ,  C23C28/00

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/08 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45523 ,  C23C28/00 ,  C23C30/00

Abstract: A decorative coating and a method for forming a decorative coating on a substrate (2). The decorative coating comprises an absorbing film (1) to attenuate the transmission of visible light through the coating. The method comprises the steps of bringing the substrate (2) into a reaction space, and depositing the absorbing film (1) on the substrate (2). Depositing the absorbing film (1) on the substrate comprises the steps of forming a preliminary deposit of transition metal oxide on the deposition surface and subsequently purging the reaction space, and treating the deposition surface with an organometallic chemical comprising first metal and subsequently purging the reaction space. The steps of forming the preliminary deposit and treating the deposition surface are alternately repeated to increase absorption of the absorbing film (1).

Abstract translation: 装饰性涂料和在基材（2）上形成装饰性涂料的方法。 装饰涂层包括吸收膜（1），以减少通过涂层的可见光透射。 该方法包括以下步骤：将基底（2）进入反应空间，并将吸收膜（1）沉积在基底（2）上。 将吸收膜（1）沉积在基材上包括以下步骤：在沉积表面上形成过渡金属氧化物的初步沉积物，随后清洗反应空间，并用包含第一金属的有机金属化学品处理沉积表面，随后清洗反应 空间。 交替地重复形成预沉积和处理沉积表面的步骤以增加吸收膜（1）的吸收。

公开(公告)号：WO2011001969A1

公开(公告)日：2011-01-06

申请号：PCT/JP2010/061042

申请日：2010-06-29

Applicant: 日本ゼオン株式会社 ,  独立行政法人産業技術総合研究所 ,  渋谷 明慶 ,  畠 賢治 ,  湯村 守雄

Inventor： 渋谷　明慶 ,  畠　賢治 ,  湯村　守雄

IPC: C01B31/02

CPC classification number: C01B31/024 ,  B01J15/005 ,  B01J19/0006 ,  B01J19/0073 ,  B01J19/22 ,  B01J2219/00159 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/164 ,  C01B2202/08 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45502 ,  Y02P20/149

Abstract: 　成長炉（３ａ）外のガスが成長炉（３ａ）内のガスに混入することを防止するガス混入防止手段（１２、１３）を備え、ガス混入防止手段（１２、１３）は、成長炉（３ａ）の触媒基板（１０）を入れる口及び取り出す口の開口面に沿ってシールガスを噴射するシールガス噴射部（１２ｂ、１３ｂ）と、当該シールガスが当該口から成長炉（３ａ）の中に入らないように吸引して製造装置（１００）の外部に排気する排気部（１２ａ、１３ａ）とを備えることにより、触媒を担持した基材を連続的に搬送しながらカーボンナノチューブ配向集合体を製造する装置において、外気混入を防止するとともに、原料ガス及び／又は触媒賦活物質の基材上における濃度分布、流速分布をＣＮＴの製造に適した範囲内で均一に制御するとともに、成長炉内におけるガスの流れをできるだけ乱さないＣＮＴ配向集合体の連続製造装置を提供する。

Abstract translation: 公开了一种用于制造对准的碳纳米管组件的装置（100），同时连续地传送在其上携带催化剂的基板（10），该装置设置有用于防止气体在生长之外混合的气体混合防止装置（12,13） 炉（3a）进入生长炉（3a）内的气体中，气体混合防止装置（12,13）设置有用于沿着开口的开口表面喷射密封气体的密封气体喷射部分（12b，13b），催化剂 将基板放入和取出生长炉（3a），以及用于吸入密封气体的排气部分（12a，13a），使得密封气体不会从开口进入生长炉（3a），并且 将密封气体排出到制造装置的外部。 因此，提供用于连续制造排列的CNT组件的装置，其中防止外部空气的混合，将源气体和/或催化剂活化物质的基底上方的浓度分布和流速分布均匀地控制在合适的范围内 用于制造CNT，并且生长炉中的气体流不会被尽可能多地干扰。