公开(公告)号：WO2006049225A1

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：PCT/JP2005/020239

申请日：2005-11-02

Applicant: 株式会社日立国際電気 ,  尾崎 貴志 ,  笠原 修 ,  野田 孝暁 ,  前田 喜世彦 ,  森谷 敦 ,  坂本 農

Inventor： 尾崎 貴志 ,  笠原 修 ,  野田 孝暁 ,  前田 喜世彦 ,  森谷 敦 ,  坂本 農

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/54 ,  C23C16/4408 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109

Abstract: 　基板への熱ダメージやサーマルバジェットの増大を防止しつつ基板と薄膜との間に低酸素・炭素密度で高品質な界面を形成する。 　ウエハを反応炉内に搬入するステップと、反応炉内でウエハに対して前処理を行うステップと、反応炉内で前処理がなされたウエハに対して本処理を行うステップと、本処理後のウエハを反応炉より搬出するステップとを有し、前処理ステップ終了後、本処理開始までの間であって、少なくとも反応炉内を真空排気する際は、反応炉内に常に水素ガスを供給し続ける。

Abstract translation: 在基板和薄膜之间以低氧/碳密度形成高质量界面，同时防止对基板的热损伤并增加热量预算。 半导体器件制造方法具有将晶片搬入反应炉的步骤，对反应炉内的晶片进行预处理的步骤，对在反应炉中进行了预处理的晶片进行主要处理的步骤 以及在主处理之后从反应炉进行晶片的步骤。 在完成预处理和开始主处理之间的期间，至少在对反应炉进行抽真空时，将氢气不间断地连续地供给至反应炉。

公开(公告)号：WO2012133481A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：PCT/JP2012/058055

申请日：2012-03-28

Applicant: 三洋電機株式会社 ,  小笠原 修司

Inventor： 小笠原　修司

IPC: H04N5/76 ,  H04N5/225 ,  H04N5/765

CPC classification number: H04N5/772

Abstract: 　リンク撮影モードにおいて、第１記録媒体を有する第１カメラは、第１記録媒体内の各記録画像のファイル名及び撮影日時を含む第１ファイル情報を第２カメラに送信し、第２記録媒体を有する第２カメラは、第２記録媒体内の各記録画像のファイル名及び撮影日時を含む第２ファイル情報を第１カメラに送信する。第１及び第２ファイル情報の送信は、新たな記録画像が保存されるたびに実行される。第１カメラは、第１ファイル情報（自ファイル情報）及び受信した第２ファイル情報（他ファイル情報）に基づき、次回の撮影画像に付与されるべきファイル名（予定ファイル名）を決定する。また、撮影日時順にファイル名が並ぶように、第１及び第２ファイル情報に基づき、必要に応じて既存ファイルのファイル名を修正する。

Abstract translation: 在链接的图像拍摄模式中，具有第一记录介质的第一相机将第一文件信息发送到第二相机，第一文件信息包括第一记录介质中的每个记录图像的文件名和拍摄时间和日期，以及第二相机， 其具有第二记录介质，将包含第二记录介质中的每个记录图像的文件名和捕获的时间和日期的第二文件信息发送到第一相机​​。 每次保存新的记录图像时，执行第一和第二文件信息的传输。 基于第一文件信息（内部文件信息）和接收到的第二文件信息（外部文件信息），第一相机确定要分配给要捕获的下一图像的文件名（预定文件名）。 此外，当需要时，基于第一和第二文件信息修改现有文件的文件名，使得文件名按照捕获的时间和日期的顺序进行排序。

公开(公告)号：WO2009093597A1

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：PCT/JP2009/050840

申请日：2009-01-21

Applicant: 三洋電機株式会社 ,  小笠原 修司

Inventor： 小笠原 修司

IPC: H04N7/173 ,  H04N5/445

CPC classification number: H04N7/17318 ,  H04N5/44 ,  H04N7/17336 ,  H04N21/4122 ,  H04N21/4307 ,  H04N21/47202 ,  H04N21/488 ,  H04N21/4884

Abstract: 【課題】　字幕の文字列を映像とは異なるタイミングで表示させること。 【解決手段】　映像再生装置は、ビデオデータ、オーディオデータおよびそれらに同期する字幕データを含む映像データを取得するデータ取得手段と、ビデオデータおよびオーディオデータを再生する映像再生手段と、字幕データを記憶するＨＤＤと、ユーザによる操作を受け付ける操作部と、字幕データに含まれる字幕文字列を、該字幕データに含まれる表示時刻情報で定まるタイミングで表示する第１表示手段と、操作部によりスキップ指示が受け付けられることに応じて（Ｓ２１でＹＥＳ）、第１表示手段による通常字幕表示を禁止し（Ｓ２４）、字幕データに含まれる字幕文字列を該字幕データに含まれる表示時刻情報で定まるタイミングとは異なるタイミングで表示する第２表示手段（Ｓ３３）と、を備える。

Abstract translation: 该目的旨在在与图像上的信息不同的时间显示字幕串。 用于再现图像的装置包括数据获取装置，用于获取包括与其同步的视频数据，音频数据和字幕数据的图像数据，用于再现视频数据和音频数据的图像再现装置，用于存储字幕数据的HDD， 用于接收用户操作的操作部分，用于在包括在字幕数据中的显示时间信息确定的定时处显示字幕数据中包含的字幕串的第一显示装置，以及用于禁止第一显示装置的正常字幕显示的第二显示装置 显示装置（S24），根据操作部的跳过指示的接收，在与字幕数据中包含的显示时间信息（S33）确定的定时不同的时刻，显示字幕数据中包含的字幕串（是） 在S21）。

公开(公告)号：WO2009041655A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：PCT/JP2008/067554

申请日：2008-09-26

Applicant: 三洋電機株式会社 ,  小笠原 修司

Inventor： 小笠原 修司

IPC: H04N5/76 ,  G11B20/10 ,  H04N5/765

CPC classification number: H04N9/7921 ,  G11B20/00007 ,  G11B20/10 ,  G11B20/1262 ,  G11B27/034 ,  G11B27/36 ,  G11B2020/10537 ,  G11B2020/1292 ,  H04N9/8042

Abstract: 　指示部１４からコンテンツ録画指示があった場合、ビットレート変更指示部６は、指示部１４から指示された第１のビットレートではなく、それよりも高い第２のビットレートでエンコードを行うよう、ＭＰＥＧ２エンコーダ４に対する指示を行う。また、ＣＰＵ１６は、記録容量監視部１５に、この時点からの記録媒体２０への映像データの記録量の監視を開始させる。記録媒体２０に所定量の映像データが記録された後、ビットレート変更指示部６は、第１のビットレートでエンコードを行うようＭＰＥＧ２エンコーダ４に対する指示を行う。

Abstract translation: 当比特率改变指令单元（6）从指令单元（14）接收到内容记录指令时，比特率改变指令单元（6）指示MPEG 2编码器（4）不以第一比特率 由指令单元（14）指示，但是以比第一比特率高的第二比特率指示。 此外，CPU（16）使得记录容量监视单元（15）从此开始监视视频数据到记录介质（20）的记录容量。 在预定量的视频数据被记录在记录介质上之后，比特率改变指令单元（6）指示MPEG 2编码器（4）以第一比特率进行编码。

公开(公告)号：WO2012077680A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：PCT/JP2011/078186

申请日：2011-12-06

Applicant: 株式会社日立国際電気 ,  堀井 貞義 ,  野村 久志 ,  笠原 修 ,  中村 直人 ,  平野 光浩 ,  谷山 智志 ,  谷口 武志 ,  豊田 一行 ,  野口 陽平 ,  小清水 隆史

Inventor： 堀井　貞義 ,  野村　久志 ,  笠原　修 ,  中村　直人 ,  平野　光浩 ,  谷山　智志 ,  谷口　武志 ,  豊田　一行 ,  野口　陽平 ,  小清水　隆史

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L21/31

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0062

Abstract: 　一度に処理する基板の枚数を増大させ、ＧａＮのエピタキシャル膜の生産性を向上させることができる膜の形成方法及び基板処理装置を提供する。　基板を処理室内に搬入する搬入工程と、前記処理室内にガリウム塩化物ガスを供給する第１ステップと、前記処理室から前記ガリウム塩化物ガスをパージする第１パージステップと、前記第１パージステップの後に前記処理室内にアンモニアガスを供給する第２ステップと、前記処理室から前記アンモニアガスをパージする第２パージステップとを有する初期膜形成工程と、前記初期膜形成工程の後に、前記処理室内に前記ガリウム塩化物ガスと前記アンモニアガスを同時に供給し、エピタキシャル膜を形成するエピ膜形成工程とによりＧａＮ膜を形成する。

Abstract translation: 提供了一种能够提高GaN外延膜的生产率的膜的形成方法，并且一次增加可以处理的基板的数量，并且还提供了一种基板处理装置。 通过以下步骤形成GaN膜：用于将基板输送到处理室中的输送步骤; 初始成膜步骤，具有向处理室供给氯化镓气体的第一步骤，用于从处理室中吹扫氯化镓气体的第一净化步骤，在第一次净化之后向处理室供应氨气的第二步骤 步骤，以及用于从处理室吹扫氨气的第二吹扫步骤; 以及在成膜步骤之后，同时向处理室供给氯化镓气体和氨气并形成外延膜的表膜形成步骤。

公开(公告)号：WO2005050725A1

公开(公告)日：2005-06-02

申请号：PCT/JP2004/017258

申请日：2004-11-19

Applicant: 株式会社日立国際電気 ,  笠原 修 ,  前田 喜世彦 ,  米田 秋彦

Inventor： 笠原 修 ,  前田 喜世彦 ,  米田 秋彦

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32834 ,  C23C16/4401 ,  H01J2237/022 ,  H01L21/3185 ,  Y10S438/935

Abstract: Disclosed is a method for producing a semiconductor device wherein particles can be effectively removed from a reaction chamber during the substrate carrying-in step and/or the substrate carrying-out step. In a step for carrying a wafer (200) in a reaction chamber (201) and/or a step for carrying the wafer (200) out from the chamber, air is discharged from the reaction chamber (201) at a higher rate than the air discharging rate during the processing step of wafer (200). During the wafer (200) carrying-in step and/or the wafer (200) carrying-out step, it is preferable to discharge air from the reaction chamber (201) while introducing an inert gas into the chamber.

Abstract translation: 公开了一种用于制造半导体器件的方法，其中在衬底进入步骤和/或衬底执行步骤期间可以从反应室中有效地除去颗粒。 在用于在反应室（201）中携带晶片（200）和/或用于将晶片（200）从室中输出的步骤的步骤中，空气以比所述反应室（201）更高的速率从反应室（201）排出 在晶片（200）的处理步骤期间的排气速率。 在晶片（200）携带步骤和/或晶片（200）进行步骤期间，优选在将惰性气体引入室内的同时从反应室（201）排出空气。