公开(公告)号：WO2010137682A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：PCT/JP2010/059072

申请日：2010-05-28

Applicant: 信越化学工業株式会社 ,  川合 信 ,  伊藤 厚雄 ,  飛坂 優二 ,  秋山 昌次

Inventor： 川合　信 ,  伊藤　厚雄 ,  飛坂　優二 ,  秋山　昌次

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: ハンドル基板とドナー基板の熱膨張率が異なる貼り合わせウェーハの製造方法であって、基板に割れを生ずることなく剥離を行うことができる方法を提供する。 ドナー基板の表面からイオンを注入してイオン注入界面を形成する工程と、前記ドナー基板のイオン注入を行った前記表面にハンドル基板を貼り合わせて貼り合わせ基板を作成する工程と、前記貼り合わせ基板に熱処理を行い接合体を得る工程と、前記接合体のドナー基板側とハンドル基板側に５０℃以上の温度差をつけながら熱応力を利用し て 前記イオン注入界面にそって剥離を行い、薄膜を前記ハンドル基板に転写する剥離工程とを少なくとも含んでなる貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。

Abstract translation: 公开了一种制造层叠晶片的方法，其中手柄基板的热膨胀系数不同于供体基板的热膨胀系数，并且可以实现分层而不会在基板中产生开裂。 制造层压晶片的方法至少包括以下步骤：将离子注入施主衬底的表面以形成离子注入界面的步骤; 将把手基板接合到供体基板的离子注入表面以产生层压基板的步骤; 加热层叠基板以制造粘合材料的步骤; 以及通过利用热应力沿着离子注入界面的方向使粘合材料分层的分层步骤，同时在施加衬底侧和接合材料的把手衬底侧之间产生50℃或更高的温度差，从而转移 一个薄膜到手柄基板上。

公开(公告)号：WO2007091639A1

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：PCT/JP2007/052232

申请日：2007-02-08

Applicant: 信越化学工業株式会社 ,  秋山 昌次 ,  久保田 芳宏 ,  伊藤 厚雄 ,  川合 信 ,  飛坂 優二 ,  田中 好一

Inventor： 秋山 昌次 ,  久保田 芳宏 ,  伊藤 厚雄 ,  川合 信 ,  飛坂 優二 ,  田中 好一

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/762 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/2007 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78603

Abstract: 　加熱部を構成するホットプレート（３１）の上に平滑面を有する加熱板（３２）を載せ、この加熱板（３２）の平滑面を、透明絶縁性基板（２０）と張り合わされた単結晶Ｓｉ基板（１０）の裏面に密着させる。加熱板（３２）の温度は２００°C以上３５０°C以下の温度に保持され、この加熱板（３２）に絶縁性基板（２０）と張り合わされた単結晶Ｓｉ基板（１０）の裏面を密着させると熱伝導により単結晶Ｓｉ基板（１０）が加熱され、透明絶縁性基板（２０）との間に温度差が生じる。シリコン結晶の熱膨張係数は透明性絶縁基板に用いる材料の熱膨張係数よりも大きいため、張り合わされた状態の単結晶Ｓｉ基板（１０）が裏面から加熱されると、単結晶Ｓｉ基板（１０）側の急激な膨張によって両基板間で大きな応力が発生して水素イオン注入界面で剥離が生じることとなる。

Abstract translation: 将具有光滑表面的加热板（32）放置在构成加热部分的加热板（31）上，加热板（32）的光滑表面粘附在单晶Si基板（10 ）结合到透明绝缘基板（20）上。 加热板（32）的温度保持在200℃以上且350℃以下。 当结合到绝缘基板（20）上的单晶Si衬底（10）的后表面粘附在加热板（32）上时，通过热传导来加热单晶Si衬底（10），并且温度差 在单晶Si衬底和透明绝缘衬底（20）之间产生。 由于硅晶体的热膨胀系数大于用于透明绝缘基板的材料的热膨胀系数，所以当接合状态的单晶硅基板（10）从背面被加热时，两者之间产生大的应力 由于单晶Si衬底（10）的快速膨胀而引起衬底，并且在氢离子注入界面上产生剥离。

公开(公告)号：WO2007072632A1

公开(公告)日：2007-06-28

申请号：PCT/JP2006/321885

申请日：2006-11-01

Applicant: 信越化学工業株式会社 ,  川合 信 ,  久保田 芳宏 ,  伊藤 厚雄 ,  田中 好一 ,  飛坂 優二 ,  秋山 昌次

Inventor： 川合 信 ,  久保田 芳宏 ,  伊藤 厚雄 ,  田中 好一 ,  飛坂 優二 ,  秋山 昌次

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 　単結晶Ｓｉ基板（１０）の表面側（接合面側）には、表面近傍の所定の深さ（平均イオン注入深さＬ）に均一なイオン注入層（１１）が形成される。この単結晶Ｓｉ基板（１０）と透明絶縁性基板（２０）の表面を接合面として密着させ、この状態で３５０°C以下の温度で加熱して接合処理を施す。この３５０°C以下という温度選択は、単結晶Ｓｉと石英との熱膨張係数差と当該熱膨張係数差に起因する歪量、およびこの歪量と単結晶Ｓｉ基板（１０）ならびに透明絶縁性基板（２０）の厚みを考慮して決定され、好ましくは１００～３００°Cとされる。このような接合工程の後、外部から衝撃を加えることでイオン注入層（１１）内でのＳｉ－Ｓｉ結合を切り、単結晶Ｓｉ基板（１０）の表面近傍の所定の深さ（平均イオン注入深さＬ）に相当する位置の結晶面に沿って単結晶シリコン薄膜を機械的に剥離する。

Abstract translation: 在单晶Si衬底（10）的表面侧（接合侧），在表面附近以规定的深度（平均离子注入深度（L））形成均匀的离子注入层11。 单晶Si基板（10）和透明绝缘基板（20）通过将基板的表面作为接合面进行粘合，通过在350℃以下的温度下对该工件进行加热来进行接合工序 。 通过考虑单晶硅的热膨胀系数和石英的热膨胀系数之间的差异来确定这种350℃以下的温度，由于热膨胀系数，失真量和厚度之间的这种差异导致的失真量 单晶Si衬底（10）和透明绝缘衬底（20），优选在100-300℃。 在这种接合工艺之后，通过施加来自外部的冲击来切割离子注入层（11）中的Si-Si键合，并且将单晶硅薄膜沿着晶面机械地剥离在与规定深度（平均值）相当的位置 离子注入深度（L））在单晶Si衬底（10）的表面附近。

公开(公告)号：WO2006129494A1

公开(公告)日：2006-12-07

申请号：PCT/JP2006/309968

申请日：2006-05-18

Applicant: 信越化学工業株式会社 ,  飛坂 優二

Inventor： 飛坂 優二

IPC: G01B11/24 ,  G01B11/27 ,  G01M11/00

CPC classification number: G01B11/105

Abstract: 　光ファイバ用母材１０のコア部１４の非円率および偏芯率を同時に測定する方法であって、光ファイバ用母材１０に光を照射しながら光ファイバ用母材１０を移動させる母材移動操作と、コア部１４を透過した透過光の幅の変化を光ファイバ用母材１０の移動量と関連付けて記録して相対外径値分布を測定する相対外径値分布測定操作と、光ファイバ用母材１０の長手方向に関するクラッド部１２の側端位置分布を測定するクラッド側端位置分布測定操作とを含む測定手順を有し、中心軸の回りに光ファイバ用母材１０を所定の回転角度まで回転させる毎に測定手順を実行し、複数の相対外径値分布およびクラッド側端位置分布を記録する測定値蓄積手順と、測定値蓄積手順において蓄積された複数の相対外径値分布およびクラッド側端位置分布測に基づいて、光ファイバ用母材１０の長手方向に関するコア部１４の複数の非円率および偏芯率を算出する算出手順とを備える。

Abstract translation: 一种用于同时测量用于光纤的母材（10）的芯部（14）的非圆度和偏心度的方法，包括测量步骤，包括在照射材料的同时移动用于光纤的母材（10）的操作 10），通过将来自芯部（14）的透射光的宽度的变化与用于光纤的母材（10）的移动量相关联来测量相对外径值的分布的操作，以及 用于测量包覆部分（12）在光纤母材（10）的纵向方向上的侧端位置分布的操作，其中每当光纤母材（10）为 围绕中心轴旋转至预定的旋转角度。 该方法还包括用于记录多个相对外径值分布和覆盖侧端部位置分布的测量存储步骤，以及用于在母体的纵向方向上计算芯部（14）处的多个非圆度和偏心的步骤 基于存储在测量存储步骤中的多个相对外径值分布和覆盖侧端部位置分布的光纤材料（10）。

公开(公告)号：WO2006090524A1

公开(公告)日：2006-08-31

申请号：PCT/JP2005/023410

申请日：2005-12-20

Applicant: 信越化学工業株式会社 ,  飛坂 優二 ,  乙坂 哲也 ,  小山田 浩

Inventor： 飛坂 優二 ,  乙坂 哲也 ,  小山田 浩

IPC: G01B11/08 ,  G01B11/24 ,  G01M11/00

CPC classification number: G01B11/105 ,  G02B6/02285

Abstract: 　光ファイバ母材１のコア部の非円率を測定する方法であって、コア部の中心軸と直交する方向からマッチングオイル３に浸漬させた光ファイバ母材１に光を照射しながら、中心軸と平行な方向に光ファイバ母材１を移動させ、光のうちコア部を透過した透過光の幅の変化を光ファイバ母材１の移動量と関連付けて記録して、光ファイバ母材１の長手方向に関するコア部の相対外径値分布を得る相対外径値分布測定手順を含み、中心軸の回りに光ファイバ母材１を所定の回転角度まで回転させる毎に相対外径値分布測定手順を実行し、回転角度に関連付けられた複数の相対外径値分布を記録する相対外径値分布蓄積手順と、相対外径値分布蓄積手順において蓄積された複数の相対外径値分布に基づいて、光ファイバ母材１の長手方向についてコア部の複数の非円率を算出する非円率算出手順とを備える。

Abstract translation: 一种用于测量光纤母材（1）的芯部处的非圆度的方法，包括相对外径值分布测量步骤，用于获得光纤母线的纵向芯部处的相对外径值分布 通过沿着与中心轴平行的方向移动光纤母体材料（1），同时用与来自中心轴方向正交的方向的光照射浸入到匹配油（3）中的光纤母体材料（1） 核心部分，并且与光纤母材（1）的移动量相关联地记录与上述光中的芯部分的透射光的宽度的变化，用于执行相对外部的相对外径值分布存储步骤 每当光纤母材（1）围绕中心轴u旋转时，直径值分布测量步骤 p到预定旋转角度并且记录与旋转角度相关联的多个相对外径值分布;以及非圆度计算步骤，用于计算光纤母体的纵向方向上的芯部处的多个非圆度 基于存储在相对外径值分布存储步骤中的多个相对外径值分布的材料（1）。

公开(公告)号：WO2005092807A1

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：PCT/JP2005/003923

申请日：2005-03-07

Applicant: 信越化学工業株式会社 ,  飛坂 優二 ,  山村 和市

Inventor： 飛坂 優二 ,  山村 和市

IPC: C03B37/012

CPC classification number: C03B23/045 ,  C03B37/0126 ,  C03B37/01486 ,  Y02P40/57

Abstract: 　大型のガラス母材を芯ずれなく容易に溶着加工及び端部の紡錘形状加工を行うことができ、かつ落下事故がなく安心して作業できるガラス母材の加工方法及び加工装置を提供する。ガラス母材１の軸方向両端部を直接又は間接的に把持し、かつ対向する方向に相対移動可能な一対の回転自在なチャック３ａ、３ｂと、把持されたガラス母材１の軸方向に沿って移動可能なガラス母材加熱用のバーナー１とを備えた加工装置を用いてガラス母材１を加工する方法であって、ガラス母材１を常に２点以上で保持又は支持し、片持ちを防止しながら加工することを特徴とし、加工装置にはガラス母材１の中間部を保持又は支持する少なくとも１つの中間把持装置８ａ、８ｂが設けられている。

Abstract translation: 一种用于处理玻璃基体的方法和装置，其中可以容易地熔化大玻璃基体而不会引起任何未对准，所述端部可以形成为主轴形状，并且可以在玻璃基体落下的危险的情况下进行加工。 一种处理装置的方法，该处理装置包括一对可相对于相反方向移动的可转动卡盘（3a，3b），该夹具能够直接沿轴向夹持玻璃基体（1）的相对端 或间接地，以及用于加热沿着被夹持的玻璃基体（1）的轴向可移动的玻璃基体的燃烧器（1），其特征在于，玻璃基体（1）被处理，同时始终保持或支撑在两点或更多点， 防止其悬臂。 处理装置设置有用于保持或支撑玻璃基体（1）的中间部分的至少一个中间把持装置（8a，8b）。

公开(公告)号：WO2007094233A1

公开(公告)日：2007-08-23

申请号：PCT/JP2007/052236

申请日：2007-02-08

Applicant: 信越化学工業株式会社 ,  秋山 昌次 ,  久保田 芳宏 ,  伊藤 厚雄 ,  田中 好一 ,  川合 信 ,  飛坂 優二

Inventor： 秋山 昌次 ,  久保田 芳宏 ,  伊藤 厚雄 ,  田中 好一 ,  川合 信 ,  飛坂 優二

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/26533 ,  H01L29/78603

Abstract: 　単結晶シリコン基板（１０）の貼り合わせ面には、膜厚ｔ ｏｘ が０．２μｍ以上の酸化膜（１１）が設けられている。本発明のＳＯＩ基板の製造方法では、シリコン基板（１０）と石英基板（２０）との間の熱膨張係数差に起因する熱歪の発生を抑制するために低温プロセスを採用する。このため、酸化膜（１１）の膜厚ｔ ｏｘ を０．２μｍ以上と厚く設定して剥離される薄膜に十分な機械的強度をもたせ、かつ比較的厚膜の酸化膜に歪を吸収・緩和させることで剥離工程中での転写欠陥の発生を抑制する。石英基板（２０）と貼り合わせる単結晶シリコン基板（１０）として、酸化膜の膜厚と水素のイオン注入層（１２）の平均イオン注入深さＬが２Ｌ≦ｔ ｏｘ の関係を満足する基板を用いることとしてもよい。

Abstract translation: 在其层压面上的单晶硅基板（10）上设置厚度为0.2μm以上的氧化膜（11）。 在本发明的SOI基板的制造方法中，采用低温工艺来抑制由于硅基板（10）和石英基板（10）之间的热膨胀系数差异引起的热变形的发生 20）。 为此，使氧化膜（11）的厚度t OX 达到不小于0.2μm的大值，以使待分离的薄膜具有令人满意的机械强度，并且在 同时，使应变被相对厚的氧化膜吸收和松弛，以抑制分离步骤期间的转印缺陷的发生。 满足2L = tOXX的关系的基板，其中t OX 表示氧化膜的厚度，L表示氢离子注入层的平均离子注入深度 （12）可以用作层压在石英基板（20）上的单晶硅基板（10）。

公开(公告)号：WO2010137589A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：PCT/JP2010/058826

申请日：2010-05-25

Applicant: 信越化学工業株式会社 ,  諏訪 剛史 ,  秋山 昌次 ,  飛坂 優二 ,  伊藤 厚雄 ,  川合 信

Inventor： 諏訪　剛史 ,  秋山　昌次 ,  飛坂　優二 ,  伊藤　厚雄 ,  川合　信

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/86

Abstract: 　半導体デバイスの特性低下の原因となるサファイア基板からシリコン基板へのアルミニウム成分の拡散を大幅に抑制したＳＯＳ基板を提供する。　シリコン基板１の表面からイオンを注入してイオン注入層３を形成する工程と、サファイア基板２の表面と前記シリコン基板１のイオンを注入した表面とを貼り合わせる前に、両表面の少なくとも一方の表面に、表面活性化処理を施す工程と、前記シリコン基板１の前記表面と前記サファイア基板２の前記表面とを貼り合わせる工程と、前記貼り合わせた基板に最高温度として１５０℃以上２５０℃以下の熱処理を加え接合体５を得る工程と、前記イオン注入層に沿って前記接合体を剥離させシリコン薄膜を前記サファイア基板に転写する剥離工程を少なくとも含んでなる方法によって製造されるＳＯＳ基板であって、誘導結合プラズマ質量分析［ＩＣＰ－ＭＳ］もしくは原子吸光分析法によるシリコン薄膜表面のＡｌ濃度が２×１０ １１ ａｔｏｍｓ／ｃｍ ２ 以下であるＳＯＳ基板。

Abstract translation: 公开了一种SOS衬底，其中铝成分从蓝宝石衬底扩散到硅衬底中，这可能导致半导体器件性能的劣化。 具体公开的是通过至少包括以下步骤的方法生产的SOS衬底：将离子注入到硅衬底（1）的表面中以形成离子注入层（3）; 在将蓝宝石衬底（2）的表面粘合到硅衬底（1）的离子注入表面之前，使至少一个表面进行表面活化处理; 将上述硅衬底（1）的表面与上述蓝宝石衬底（2）的表面接合; 在高达150至250℃的温度下加热粘合的基底以产生粘合材料（5）; 并且沿着离子注入层的方向使粘合材料分层，以将硅薄膜转移到蓝宝石衬底上。 在SOS衬底中，通过电感耦合等离子体质谱[ICP-MS]或原子吸收光谱法测定，硅薄膜表面的Al浓度为2×10 11 atoms / cm 2以下。

公开(公告)号：WO2010137588A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：PCT/JP2010/058825

申请日：2010-05-25

Applicant: 信越化学工業株式会社 ,  秋山 昌次 ,  伊藤 厚雄 ,  飛坂 優二 ,  川合 信

Inventor： 秋山　昌次 ,  伊藤　厚雄 ,  飛坂　優二 ,  川合　信

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/268

Abstract: 　シリコンとサファイアとの格子定数の不適合に起因して欠陥密度が増大する問題を克服し、極めて薄いシリコン膜においても表面の欠陥密度が低いＳＯＳ基板を提供する。　サファイア基板３の表面に半導体薄膜４を備えた貼り合わせＳＯＳ基板８であって、前記サファイア基板３と半導体基板１を提供する工程と、前記半導体基板１の表面からイオンを注入してイオン注入層２を形成する工程、前記サファイア基板３の前記表面、および、前記イオンを注入した半導体基板１の前記表面の少なくとも一方の面に表面活性化処理を施す工程、前記半導体基板１の前記表面と前記サファイア基板３の前記表面とを５０℃以上３５０℃以下で貼り合わせる工程、前記貼り合わせた基板に、最高温度として２００℃以上３５０℃以下の熱処理を加え、接合体６を得る工程、前記接合体６を前記貼り合わせ温度より高温状態に設置し、サファイア基板３側または半導体基板１側から前記半導体基板１のイオン注入層２に向けて可視光を照射して前記イオン注入層２の界面を脆化し、前記半導体薄膜４を転写する工程により得られた貼り合わせＳＯＳ基板。

Abstract translation: 解决了由硅和蓝宝石之间的晶格常数失配引起的缺陷密度增加的问题，并且提供了即使在非常薄的硅膜中也具有低表面缺陷密度的SOS衬底。 粘结SOS基板（8）具有设置在蓝宝石基板（3）的表面上的半导体薄膜（4）。 通过以下步骤获得粘合的SOS衬底：其中提供蓝宝石衬底（3）和半导体衬底（1）的步骤; 通过从半导体衬底（1）的表面注入离子形成离子注入层（2）的步骤; 对蓝宝石衬底（3）和/或其中注入了离子的半导体衬底（1）表面的表面进行表面活化处理的步骤; 其中半导体衬底（1）表面和蓝宝石衬底（3）表面在50-350℃下接合的步骤; 以及通过在200-350℃的最高温度下对接合的基板进行热处理而获得接合体（6）的步骤; 以及将接合体（6）配置在高于接合温度的温度的步骤，从蓝宝石衬底（3）侧朝向半导体衬底（1）的离子注入层（2）施加可见光，或者 半导体衬底（1）侧，离子注入层（2）的界面变脆，半导体薄膜（4）被转印。

公开(公告)号：WO2010126122A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：PCT/JP2010/057650

申请日：2010-04-30

Applicant: 信越化学工業株式会社 ,  川合 信 ,  飛坂 優二 ,  秋山 昌次

Inventor： 川合　信 ,  飛坂　優二 ,  秋山　昌次

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/67109

Abstract: 　ハンドル基板の熱膨張率がドナー基板より高い場合に、基板に割れを生ずることなく剥離を行う方法を提供する。　ドナー基板３の表面からイオンを注入してイオン注入界面５を形成する工程と、前記ドナー基板３のイオン注入を行った前記表面に、前記ドナー基板３より大きい熱膨張率を有するハンドル基板７を貼り合わせて貼り合わせ基板を作成する工程と、前記貼り合わせ基板に熱処理を行い接合体１を得る工程と、前記接合体１を冷却装置２０により室温以下の温度に冷却して前記接合体１のドナー基板３を前記イオン注入界面において剥離してドナー薄膜を前記ハンドル基板７上に転写する剥離工程とを少なくとも含んでなる貼り合わせウェーハの製造方法である。

Abstract translation: 公开了一种在处理基板的热膨胀系数高于供体基板的热膨胀系数的情况下进行剥离而不产生基板破损的方法。 至少包括：用于制造接合晶片的方法，包括：通过从施主衬底（3）的表面注入离子形成离子注入界面（5）的步骤; 通过将具有比施主基板（3）的热膨胀系数高的热膨胀系数的手柄基板（7）接合在其上注入有离子的供体基板（3）表面上来形成键合基板的工序; 通过对接合基板进行热处理而获得接合体（1）的工序; 剥离步骤，其中通过冷却装置（20）将接合体（1）冷却至低于室温的温度，将接合体（1）的供体基板（3）从离子注入界面 并且施主薄膜转移到手柄基板（7）上。