公开(公告)号：WO2017155804A1

公开(公告)日：2017-09-14

申请号：PCT/US2017/020614

申请日：2017-03-03

Applicant: SUNEDISON SEMICONDUCTOR LIMITED

Inventor： ERK, Henry Frank ,  KWESKIN, Sasha Joseph

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/324

Abstract: A method is provided for preparing a semiconductor-on-insulator structure comprising a step of high pressure bonding.

Abstract translation: 提供了一种用于制备包括高压键合步骤的绝缘体上半导体结构的方法。

公开(公告)号：WO2017141103A1

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：PCT/IB2017/000120

申请日：2017-02-16

Applicant: G-RAY SWITZERLAND SA

Inventor： VON KÄNEL, Hans

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14661 ,  H01L21/187 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/1469

Abstract: Oxide-free, low temperature wafer bonding permits electric current to cross the covalently bonded interface unimpeded by traps, recombination centers and unintentional, defect-induced blocking barriers when interfacial defects are passivated by hydrogen diffused from shallow implants towards the interface. Systems and methods comprising oxide-free, low temperature covalent wafer bonding with passivated interface states are used in various applications requiring reduced interfacial scattering and carrier trapping and efficient charge collection across bonded interfaces.

Abstract translation: 当界面缺陷被从浅植入物扩散的氢钝化时，不含氧化物的低温晶片结合允许电流穿过共价键界面而无阻碍地被陷阱，复合中心和无意的缺陷诱导阻挡屏障 朝向界面。 包括具有钝化界面态的无氧化物，低温共价晶片键合的系统和方法用于需要减少界面散射和载流子俘获以及跨接合界面的有效电荷收集的各种应用。

公开(公告)号：WO2017108994A1

公开(公告)日：2017-06-29

申请号：PCT/EP2016/082245

申请日：2016-12-21

Applicant: SOITEC

Inventor： GHYSELEN, Bruno ,  BETHOUX, Jean-Marc

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/22 ,  H01L21/762 ,  H01L41/312

CPC classification number: C30B29/22 ,  C30B25/186 ,  H01L21/76254 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/312 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une couche monocristalline (10), caractérisé en ce qu'il comprend les étapes successives suivantes : - la fourniture d'un substrat donneur (100) comprenant un matériau piézoélectrique de composition ABO 3 , où A est constitué d'au moins un élément parmi : Li, Na, K, H, Ca; B est constitué d'au moins un élément parmi : Nb, Ta, Sb, V; - la fourniture d'un substrat receveur (110), - le transfert d'une couche (102) dite « couche germe » du substrat donneur (100) sur le substrat receveur (110) par collage du substrat donneur sur le substrat receveur de telle sorte que la couche germe (102) se trouve à l'interface de collage puis amincissement du substrat donneur (100) jusqu'à ladite couche germe (102); - la croissance, par épitaxie sur le matériau piézoélectrique ABO 3 de la couche germe (102), d'une couche monocristalline (103) de composition A'B'O 3 , où : A' est constitué d'au moins un des éléments suivants : Li, Na, K, H; B' est constitué d'au moins un des éléments suivants : Nb, Ta, Sb, V; A' est différent de A ou B' est différent de B.

Abstract translation:

本发明涉及一种方法 用于制造单晶层（10），其特征在于它 在于它包括以下连续的步骤去： - 提供包括一垫é廖内PIéZOé组合物电ABO <子> 3 的供体基板（100），O＆ugrave; A构成 以下中的至少一种：Li，Na，K，H，Ca; B构成 Nb，Ta，Sb，V中的至少一种; 提供接收衬底（110），传送所谓的层（102）; 种子层＆raquo; 由接收器基板上，使得所述种子层（102）是与agrave对施主衬底的接合接收衬底（110）上所述施主衬底（100）; 然后粘合界面变薄供体衬底（100）直到 所述种子层（102）; - 生长，通过外延é在籽晶层（102），单晶层的垫é廖内PIéZOé电动ABO <子> 3 （103）A'B'O组合物 _{3 ，其中＆gt; ：A'构成＆oacute; 至少以下之一：Li，Na，K，H; B'构成＆oacute; 至少以下之一：Nb，Ta，Sb，V; 它不同于A或B'与B不同。}

公开(公告)号：WO2017099905A1

公开(公告)日：2017-06-15

申请号：PCT/US2016/059736

申请日：2016-10-31

Applicant: GLO AB

Inventor： THOMPSON, Daniel Bryce

IPC: H05B33/14 ,  H05B33/20 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L25/167 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/156 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2933/0033

Abstract: A laser liftoff process is provided. A device layer can be provided on a transfer substrate. Channels can be formed through the device layer such that devices comprising remaining portions of the device layer are laterally isolated from one another by the channels. The transfer substrate can be bonded to a target substrate through an adhesion layer. Surface portions of the devices can be removed from an interface region between the transfer substrate and the devices by irradiating a laser beam through the transfer substrate onto the devices. The laser irradiation decomposes the III-V compound semiconductor material. The channels provide escape paths for the gaseous products (such as nitrogen gas) that are generated by the laser irradiation. The transfer substrate is separated from a bonded assembly including the target substrate and remaining portions of the devices. The devices can include a III-V compound semiconductor material.

Abstract translation: 提供激光剥离工艺。 器件层可以设置在转印基板上。 可以穿过器件层形成沟道，使得包括器件层的剩余部分的器件通过沟道彼此横向隔离。 转印基板可以通过粘合层粘合到目标基板。 通过将激光束通过转移衬底照射到器件上，器件的表面部分可以从转移衬底与器件之间的界面区域被去除。 激光照射分解III-V族化合物半导体材料。 通道为激光照射产生的气体产物（如氮气）提供逸出通道。 转印基板与包括目标基板和设备的其余部分的粘合组件分离。 这些器件可以包含III-V族化合物半导体材料。

公开(公告)号：WO2017093829A1

公开(公告)日：2017-06-08

申请号：PCT/IB2016/056720

申请日：2016-11-08

Applicant: THE SILANNA GROUP PTY LTD

Inventor： BRAWLEY, Andrew ,  LIM, Gary ,  IMTHURN, George

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/265 ,  H01L21/18 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: Various semiconductor wafers and their methods of fabrication are disclosed. One exemplary process comprises, forming a layer consisting essentially of aluminum nitride on a first wafer. The first wafer includes a substrate. The process also comprises bonding a second wafer to the first wafer. The aluminum nitride layer is interposed between the substrate and the second wafer after the bonding step. The process also comprises separating the first and second wafers to form a semiconductor on insulator (SOI) wafer. The SOI receives a layer of semiconductor material from the second wafer during the separating step. The SOI wafer includes the layer of semiconductor material, the layer consisting essentially of aluminum nitride, and the substrate after the separating step.

Abstract translation: 公开了各种半导体晶片及其制造方法。 一个示例性工艺包括在第一晶片上形成基本上由氮化铝构成的层。 第一晶片包括衬底。 该过程还包括将第二晶片结合到第一晶片。 在接合步骤之后，氮化铝层插入在衬底和第二晶片之间。 该工艺还包括分离第一和第二晶片以形成绝缘体上半导体（SOI）晶片。 SOI在分离步骤期间从第二晶片接收半导体材料层。 SOI晶片包括半导体材料层，基本上由氮化铝构成的层和分离步骤后的衬底。

公开(公告)号：WO2017087393A1

公开(公告)日：2017-05-26

申请号：PCT/US2016/062050

申请日：2016-11-15

Applicant: SUNEDISON SEMICONDUCTOR LIMITED ,  LOTTES, Charles, R.

Inventor： LOTTES, Charles, R. ,  WANG, Gang ,  KWESKIN, Sasha

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/3247

Abstract: A method is provided for preparing semiconductor structure, e.g., a semiconductor on insulator structure, comprising a device layer having a smooth surface. The method provided involves smoothing a semiconductor substrate surface by making use of stress enhanced surface diffusion at elevated temperatures. The purpose of this method is to reach atomic scale surface smoothness (for example, smoothness in the range of between 1.0 and 1.5 angstroms as measured according to root mean square over a 30um X 30um AFM measurement), which is required in advanced (sub 28 nm) CMOS device fabrication.

Abstract translation: 提供了一种用于制备半导体结构（例如，绝缘体上半导体结构）的方法，该方法包括具有光滑表面的器件层。 所提供的方法涉及通过在升高的温度下利用应力增强的表面扩散来平滑半导体衬底表面。 该方法的目的是达到原子级表面光滑度（例如，在根据30um X 30um AFM测量的均方根测量的在1.0和1.5埃之间的范围内的光滑度），这是先进的（次28 nm）CMOS器件制造。

公开(公告)号：WO2017072276A1

公开(公告)日：2017-05-04

申请号：PCT/EP2016/076033

申请日：2016-10-28

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： TAUZIN, Aurélie ,  LAGOUTTE, Emmanuelle ,  MAZEN, Frédéric ,  PIEGAS LUCE, Flavia ,  REBOH, Shay

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: L'invention concerne un procédé de traitement d'un film mince (1) transféré d'un substrat donneur vers un substrat récepteur par fracture au niveau d'une zone du substrat donneur fragilisée par implantation ionique d'hydrogène, le procédé comprenant une étape d'amincissement du film mince transféré (1) pour éliminer une région de défauts résiduels (11) induits par l'implantation ionique d'hydrogène, et étant caractérisé en ce qu'il comprend, directement après la fracture et avant l'étape d'amincissement du film mince transféré, une étape de formation d'une couche de piégeage d'hydrogène (13) dans la région de défauts résiduels du film mince transféré (1). Un traitement thermique peut être mis en œuvre après formation de la couche de piégeage d'hydrogène et avant amincissement du film mince.

Abstract translation:

本发明涉及一种方法 用于治疗转染的薄膜（1） 从施主衬底到供体衬底的通过离子注入氢而脆化的区域的裂缝恢复衬底，去污方法 包括薄膜转移到身体的薄化步骤; （1）消除由离子注入氢引起的剩余事件（11）的区域，并且其特征在于 因为其在刚刚断裂之后且在薄膜转移的薄化步骤之前包括形成水凝胶形成层的步骤。 （13）在所转移的薄膜的残余缺陷区域中。 （1）。 在氢化层形成之后和薄膜变薄之前可以进行热处理。

公开(公告)号：WO2016196060A1

公开(公告)日：2016-12-08

申请号：PCT/US2016/033780

申请日：2016-05-23

Applicant: SUNEDISON SEMICONDUCTOR LIMITED ,  THOMAS, Shawn G.

Inventor： THOMAS, Shawn G. ,  WANG, Gang

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065

Abstract: The disclosed method is suitable for producing a semiconductor-on-insulator structure, such as a Ge(Si)-on-insulator structure or a Ge-on-insulator structure. According to the method, a multilayer comprising alternating pairs of layers, comprising a layer of silicon and a layer of germanium optionally with silicon is deposited on a silicon substrate comprising a germanium buffer layer. The multilayer is completed with a silicon passivation layer. A cleave plane is formed within the multilayer, and the multilayer structure is bonded to a handle substrate comprising a dielectric layer. The multilayer structure is cleaved along the cleave plane to thereby prepare a semiconductor-on-insulator structure comprising a semiconductor handle substrate, a dielectric layer, a silicon passivation layer, and at least a portion of the alternating pairs of layers, comprising a layer of silicon and a layer of germanium optionally with silicon.

Abstract translation: 所公开的方法适用于制造诸如Ge（Si） - 绝缘体结构或绝缘体上Ge结构的绝缘体上半导体结构。 根据该方法，在包括锗缓冲层的硅衬底上沉积包括交替成对层的多层，其包括硅层和任选地与硅的锗层。 多层完成了硅钝化层。 在多层内形成解理面，多层结构体与包含电介质层的手柄基板结合。 多层结构沿着解理面切割，由此制备绝缘体上半导体结构，其包括半导体处理衬底，电介质层，硅钝化层以及至少一部分交替层，包括一层 硅和一层锗，任选地具有硅。

公开(公告)号：WO2016194975A1

公开(公告)日：2016-12-08

申请号：PCT/JP2016/066281

申请日：2016-06-01

Applicant: 信越化学工業株式会社

Inventor： 秋山　昌次 ,  川合　信

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12 ,  H01L41/187 ,  H01L41/312

CPC classification number: H01L41/312 ,  B32B9/005 ,  B32B17/06 ,  B32B18/00 ,  B32B37/18 ,  B32B38/0036 ,  B32B38/10 ,  B32B2250/02 ,  B32B2260/02 ,  B32B2260/04 ,  B32B2307/20 ,  B32B2310/0806 ,  B32B2311/00 ,  B32B2313/00 ,  B32B2315/08 ,  B32B2457/00 ,  C01G33/006 ,  C01G35/006 ,  C30B29/30 ,  C30B31/22 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/12 ,  H01L41/187 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/338

Abstract: 支持ウェーハと酸化物単結晶薄膜との貼り合わせ界面に割れや剥がれが生じにくく、支持ウェーハ上の全面にタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムである酸化物単結晶の薄膜が転写された複合ウェーハを提供する。具体的には、表面から水素原子イオンまたは水素分子イオンを注入し、酸化物単結晶ウェーハの内部にイオン注入層を形成する工程と、酸化物単結晶ウェーハのイオン注入した表面と支持ウェーハの表面の少なくとも一方に表面活性化処理を施す工程と、酸化物単結晶ウェーハのイオン注入した表面と支持ウェーハの表面とを貼り合わせて接合体を得る工程と、接合体を９０℃以上であって割れを生じない温度で熱処理する工程と、熱処理した接合体に可視光を照射する工程であって、イオン注入層に沿って剥離し支持ウェーハ上に転写された酸化物単結晶薄膜を得る、工程とを少なくとも含む複合ウェーハの製造方法である。

Abstract translation: 提供了一种复合晶片，其中在支撑晶片和氧化物单晶薄膜之间的接合界面中不可能发生裂纹和剥离，并且其中将作为钽酸锂或铌酸锂的单晶薄膜转移到 支撑晶片的整个表面。 具体而言，复合晶片的制造方法至少包括：从表面注入氢原子离子或氢分子离子以在氧化物单晶晶片内部形成离子注入层的工序; 在已经注入离子的氧化物单晶晶片的表面和支撑晶片的表面中的至少一个表面进行表面活化处理的步骤; 其中注入了离子的氧化物单晶晶片的表面和支撑晶片的表面被接合以获得接合体的步骤; 接合体在90℃以上的温度下进行热处理，不会发生裂纹的工序; 并且对已经进行了热处理的接合体照射可见光的步骤，沿离子注入层进行剥离，得到转印到支撑晶片上的氧化物单晶薄膜。

公开(公告)号：WO2016109502A1

公开(公告)日：2016-07-07

申请号：PCT/US2015/067816

申请日：2015-12-29

Applicant: SUNEDISON SEMICONDUCTOR LIMITED ,  THOMAS, Shawn George

Inventor： THOMAS, Shawn George ,  WANG, Gang

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/76243 ,  H01L21/76262 ,  H01L21/76829

Abstract: Donor structures having a germanium buffer layer for preparing silicon-germanium-on-insulator structures by layer transfer are disclosed. Bonded structures and methods for preparing silicon-germanium-on-insulator structures by a layer transfer method are also disclosed.

Abstract translation: 公开了具有用于通过层转移制备绝缘体上硅锗结构的锗缓冲层的供体结构。 还公开了通过层转移方法制备绝缘体上硅结构的结合结构和方法。