公开(公告)号：WO2018202656A1

公开(公告)日：2018-11-08

申请号：PCT/EP2018/061100

申请日：2018-05-02

申请人： UMICORE

发明人： LIPPENS, Paul

IPC分类号： H01J37/34 ,  H01J37/32 ,  C23C14/35 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54 ,  C23C14/56 ,  C23C14/08

CPC分类号： H01M4/0404 ,  C23C14/082 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/352 ,  C23C14/548 ,  C23C14/568 ,  H01J37/32899 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3467 ,  H01J37/3491 ,  H01M4/0428 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/525

摘要： A process for depositing a lithium cobalt oxide-based thin film on a substrate in which the Li-stoichiometry (Li x CoO 2 ) can be tuned within the limits 0.5≤ x≤1.1 using a standard stoichiometric LiCoO 2 target material combined with a second target material (Co or Co a O b ) resp. Li or Li 2 O as the case may be either on a dual magnetron or on single magnetrons in adjacent coating chambers. In case of the usage of a dual magnetron, preferentially bipolar pulsed DC with a controlled duty cycle on each of the two cathodes is used in order to tune the stoichiometry of the coating. Alternatively, the LiCoO 2 target is powered with unipolar pulsed DC to a power P 1 and the Co or Co a O b resp. Li or Li 2 O target is powered with DC or unipolar pulsed DC to a power P 2 in order to tune the stoichiometry. In case of the usage of single magnetrons in adjacent coating chambers, the power loads on the Li or Li 2 O resp. Co or Co a O b resp. Li or Li 2 O targets are tuned in order to achieved the required stoichiometry.

公开(公告)号：WO2016120002A1

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：PCT/EP2016/000092

申请日：2016-01-20

申请人： PLANSEE COMPOSITE MATERIALS GMBH

发明人： POLCIK, Peter ,  WÖRLE, Sabine

IPC分类号： H01J37/34 ,  C23C14/34 ,  C22C1/05 ,  C22C32/00 ,  B22F3/12 ,  B22F7/06 ,  C23C14/32

CPC分类号： C23C14/3414 ,  B22F3/12 ,  B22F3/14 ,  B22F7/06 ,  C22C1/05 ,  C22C32/0078 ,  C23C14/325 ,  H01J37/32614 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3491

摘要： Verfahren zur Herstellung einer Beschichtungsquelle zur physikalischen Gasphasenabscheidung, die Beschichtungsquelle umfassend - eine Targetschicht bestehend aus einem wenigstens zweiphasigen Verbundwerkstoff, der eine metallische Phase und wenigstens eine weitere Phase enthält, - eine mechanische Stabilisierungsschicht, welche an einer Seite der Targetschicht mit der Targetschicht verbunden ist, wobei eine erste Pulvermischung, die in ihrer Zusammensetzung dem wenigstens zweiphasigen Verbundwerkstoff entspricht und eine zweite Pulvermischung, die in ihrer Zusammensetzung der mechanischen Stabilisierungsschicht entspricht, in übereinander angeordneten Schichten heiß verdichtet werden.

摘要翻译： 一种制备用于物理气相沉积的涂层源的过程中，涂层源包括： - 目标层由含有金属相和至少一个另外的相位的至少两相的复合材料制成， - 被连接在目标层的一侧到目标层的机械稳定层， 其中，第一粉末混合物，其在其组成对应于所述至少两相复合材料和第二粉末混合物，其在其组成所对应的机械稳定层是热成型的叠加层。

公开(公告)号：WO2016109007A1

公开(公告)日：2016-07-07

申请号：PCT/US2015/056930

申请日：2015-10-22

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： WEI, Junqi ,  CAO, Zhitao ,  OW, Yueh Sheng ,  JUPUDI, Ananthkrishna ,  SAVANDAIAH, Kirankumar ,  WANG, Xin ,  THIRUNAVUKARASU, Sriskantharajah

IPC分类号： H01L21/203

CPC分类号： H01J37/3429 ,  B22F3/12 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  C22C1/0458 ,  C22C14/00 ,  C22C27/04 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3491 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/02 ,  B22F3/10 ,  B22F2003/247 ,  B22F2202/13

摘要： Embodiments of the present disclosure include methods and apparatus for controlling titanium-tungsten (TiW) target nodule formation. In some embodiments, a target includes: a source material comprising predominantly titanium (Ti) and tungsten (W), formed from a mixture of titanium powder and tungsten powder, wherein a grain size of a predominant quantity of the titanium powder is less than or equal to a grain size of a predominant quantity of the tungsten powder.

摘要翻译： 本公开的实施例包括用于控制钛 - 钨（TiW）靶结节形成的方法和装置。 在一些实施方案中，靶包括：主要由钛粉末和钨粉末的混合物形成的钛（Ti）和钨（W）的源材料，其中主要量的钛粉末的晶粒尺寸小于或等于 等于主要量的钨粉的粒度。

公开(公告)号：WO2016012268A1

公开(公告)日：2016-01-28

申请号：PCT/EP2015/065800

申请日：2015-07-10

申请人： HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG

发明人： SCHLOTT, Martin ,  HERZOG, Andreas ,  SCHOLL, Thomas ,  KONIETZKA, Uwe

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C22C5/06 ,  C22C1/02 ,  C22F1/14 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3491

摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Sputtertarget, umfassend eine Silberlegierung, die 5-25 Gew% Palladium, bezogen auf die Gesamtmenge der Silberlegierung, enthält und eine mittlere Korngröße im Bereich von 25-90 μιη aufweist.

摘要翻译： 本发明涉及一种溅射靶，其包括（重量）钯含有％的银合金，基于含5-25银合金的总量以及在25-90范围内的平均颗粒尺寸已经微米。

公开(公告)号：WO2015172835A1

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：PCT/EP2014/059975

申请日：2014-05-15

申请人： APPLIED MATERIALS, INC. ,  BENDER, Marcus ,  PIERALISI, Fabio ,  SCHEER, Evelyn ,  SEVERIN, Daniel ,  GÄRTNER, Harald ,  LINDENBERG, Ralph

发明人： BENDER, Marcus ,  PIERALISI, Fabio ,  SCHEER, Evelyn ,  SEVERIN, Daniel ,  GÄRTNER, Harald ,  LINDENBERG, Ralph

IPC分类号： C23C14/22 ,  C23C14/35 ,  C23C14/56 ,  H01J37/34

CPC分类号： C23C14/225 ,  C23C14/352 ,  C23C14/568 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/345 ,  H01J37/3452

摘要： According to an embodiment, a sputter deposition apparatus for coating a substrate is provided. The sputter deposition apparatus has two or more coating regions for coating the substrate. The sputter deposition apparatus includes a first substrate guiding system for guiding the substrate in a first coating region, wherein the first substrate guiding system defines a first substrate transport direction. The sputter deposition apparatus further includes a second substrate guiding system for guiding the substrate in a second coating region, the second substrate guiding system defining a second substrate transport direction. The second substrate transport direction is the same direction as the first substrate transport direction or is different from the first substrate transport direction. The sputter deposition apparatus further includes a first cathode assembly adapted for generating one or more plasma regions in the first coating region, a second cathode assembly adapted for generating one or more plasma regions in the first coating region, a third cathode assembly adapted for generating one or more plasma regions in the second coating region, and a fourth cathode assembly adapted for generating one or more plasma regions in the second coating region. The first cathode assembly includes: a first rotary target assembly adapted for rotating a target material around a first rotation axis; and a first magnet assembly fixedly positioned in the first rotary target assembly, the first magnet assembly having a first principal plane forming a first angle with a first reference plane which contains the first rotation axis and is perpendicular to the first substrate transport direction. The second cathode assembly includes: a second rotary target assembly adapted for rotating a target material around a second rotation axis; and a second magnet assembly fixedly positioned in the second rotary target assembly, the second magnet assembly having a second principal plane, the second principal plane being parallel to the first principal plane. The third cathode assembly includes: a third rotary target assembly adapted for rotating a target material around a third rotation axis; and a third magnet assembly fixedly positioned in the third rotary target assembly, the third magnet assembly having a third principal plane forming a second angle with a second reference plane which contains the third rotation axis and is perpendicular to the second substrate transport direction, wherein the second angle is different from the first angle. The fourth cathode assembly includes: a fourth rotary target assembly adapted for rotating a target material around a fourth rotation axis; and a fourth magnet assembly fixedly positioned in the fourth rotary target assembly, the fourth magnet assembly having a fourth principal plane, the fourth principal plane being parallel to the third principal plane.

摘要翻译： 根据实施例，提供了一种用于涂覆基板的溅射沉积设备。 溅射沉积装置具有用于涂覆基板的两个或更多个涂覆区域。 溅射沉积设备包括用于在第一涂覆区域中引导衬底的第一衬底引导系统，其中第一衬底引导系统限定第一衬底输送方向。 溅射沉积设备还包括用于在第二涂覆区域中引导衬底的第二衬底引导系统，第二衬底引导系统限定第二衬底输送方向。 第二基板输送方向与第一基板输送方向相同，也可以不同于第一基板输送方向。 溅射沉积设备还包括适于在第一涂覆区域中产生一个或多个等离子体区域的第一阴极组件，适于在第一涂覆区域中产生一个或多个等离子体区域的第二阴极组件，适于产生一个 或更多的等离子体区域，以及适于在第二涂覆区域中产生一个或多个等离子体区域的第四阴极组件。 第一阴极组件包括：适于围绕第一旋转轴线旋转目标材料的第一旋转靶组件; 以及固定地定位在所述第一旋转靶组件中的第一磁体组件，所述第一磁体组件具有与包含所述第一旋转轴线且垂直于所述第一衬底输送方向的第一参考平面形成第一角度的第一主平面。 第二阴极组件包括：适于围绕第二旋转轴线转动目标材料的第二旋转靶组件; 以及固定地定位在所述第二旋转靶组件中的第二磁体组件，所述第二磁体组件具有第二主平面，所述第二主平面平行于所述第一主平面。 第三阴极组件包括：适于围绕第三旋转轴线转动目标材料的第三旋转靶组件; 以及固定地定位在所述第三旋转靶组件中的第三磁体组件，所述第三磁体组件具有第三主平面，所述第三主平面与包含所述第三旋转轴线且垂直于所述第二基板输送方向的第二参考平面形成第二角度，其中， 第二角度与第一角度不同。 第四阴极组件包括：适于围绕第四旋转轴线旋转目标材料的第四旋转靶组件; 以及固定地定位在所述第四旋转靶组件中的第四磁体组件，所述第四磁体组件具有第四主平面，所述第四主平面平行于所述第三主平面。

公开(公告)号：WO2015164257A1

公开(公告)日：2015-10-29

申请号：PCT/US2015/026659

申请日：2015-04-20

申请人： KURT J. LESKER COMPANY

发明人： JASZCAR, Matthew ,  BELAN, Robert, M. ,  LESKER, John, Kurt, III

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C23C14/3407 ,  C23C14/35 ,  H01J37/3402 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3423 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3452 ,  H01J37/3461

摘要： A sputtering cathode includes a magnet having a body of length L1 defining a north magnetic pole at a first end of the body and a south magnetic pole at a second, opposite end of the body. A sputtering target of length L2 surrounds the body of the magnet, but not ends of the magnet.

摘要翻译： 溅射阴极包括具有在主体的第一端限定北磁极的长度L1的主体的磁体和在主体的第二相对端的南磁极。 长度为L2的溅射靶围绕磁体的主体，而不是磁体的端部。

公开(公告)号：WO2015146394A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：PCT/JP2015/054712

申请日：2015-02-20

申请人： JX日鉱日石金属株式会社

发明人： 小井土　由将

IPC分类号： C23C14/34 ,  C22C1/04 ,  C22C12/00 ,  C22C28/00 ,  C22C32/00 ,  B22F1/00 ,  B22F3/14 ,  B22F9/08

CPC分类号： H01J37/3429 ,  B22F3/15 ,  B22F9/04 ,  B22F9/082 ,  B22F2009/044 ,  B22F2009/0848 ,  C22C1/04 ,  C22C12/00 ,  C22C28/00 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/08 ,  C23C14/083 ,  C23C14/086 ,  C23C14/10 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3414

摘要： Ｓｂ含有量が１０～６０ａｔ％、Ｔｅ含有量が２０～６０ａｔ％、残部がＡｇ、Ｉｎ、Ｇｅから選択した一種以上の元素及び不可避的不純物からなるスパッタリングターゲットであって、酸化物の平均粒径が０．５μｍ以下であることを特徴とするＳｂ－Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲット。Ｓｂ－Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲット組織の改善を図り、スパッタリング時にアーキングの発生を防止すると共に、スパッタリング膜の熱安定性を向上させることを目的とする。

摘要翻译： 作为Sb含量为10〜60原子％，Te含量为20〜60原子％的溅射靶的烧结Sb-Te系合金的溅射靶，剩余部分为选自Ag， In，Ge及不可避免的杂质，其特征在于，所述氧化物的平均粒径为0.5μm以下。 烧结Sb-Te类合金的溅射靶具有改进的结构，从而防止了在溅射期间发生电弧，并且通过溅射沉积的膜具有改善的热稳定性。

公开(公告)号：WO2015072485A1

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：PCT/JP2014/079969

申请日：2014-11-12

申请人： 株式会社神戸製鋼所

发明人： 志田　陽子 ,  越智　元隆 ,  後藤　裕史

IPC分类号： G06F3/041 ,  C22C21/00 ,  C22C22/00 ,  G06F3/044 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC分类号： C23C14/3414 ,  B32B15/01 ,  B32B15/016 ,  C22C21/00 ,  C22C21/12 ,  C22C22/00 ,  C22C27/04 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/086 ,  C23C14/165 ,  C23C14/185 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  H01J37/3429

摘要： 　静電容量方式のタッチパネルセンサーなどに代表される入力装置に好ましく用いられる電極であって、電気抵抗率が低く、且つ、反射率が低い新規な電極；およびその製造方法を提供する。該電極は、Ａｌ膜またはＡｌ合金膜からなる第１層、および、Ａｌと；Ｍｎ、Ｃｕ、Ｔｉ、およびＴａよりなる群から選択される少なくとも一種の元素と；を含むＡｌ合金であって、一部が窒化している第２層の積層構造を有する電極である。

摘要翻译： 提供：适用于以电容式触摸屏传感器为代表的输入装置中，具有低电阻率和低反射率的新型电极; 以及该电极的制造方法。 该电极具有多层结构，其包括由Al膜或Al合金膜形成的第一层和被部分氮化的第二层，并且由含有Al的Al合金和至少一种选自以下的元素形成： Mn，Cu，Ti和Ta。

公开(公告)号：WO2015061816A1

公开(公告)日：2015-05-07

申请号：PCT/AT2014/000195

申请日：2014-10-27

申请人： PLANSEE SE

发明人： REINFRIED, Nikolaus ,  SCHOBER, Michael ,  KNABL, Wolfram ,  WINKLER, Jörg

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： H01J37/3429 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/16 ,  B22F3/17 ,  B22F3/18 ,  B22F3/20 ,  B22F2201/01 ,  B22F2201/10 ,  B22F2201/20 ,  B22F2301/20 ,  C22C27/04 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/342 ,  H01J37/3423 ,  H01J37/3491

摘要： Die Erfindung betrifft ein Sputtering Target aus einer Mo-Legierung, die zumindest ein Metall der Gruppe 5 des Periodensystems enthält, wobei der mittlere Gehalt an Gruppe 5 Metall 5 bis 15 At% und der Mo-Gehalt ≥ 80 At% betragen. Das Sputtering Target weist ein mittleres C / O Verhältnis in (At% / At%) von ≥ 1 auf. Die erfindungsgemäßen Sputtering Targets lassen sich durch Umformung herstellen und weisen ein verbessertes Sputterverhalten auf.

摘要翻译： 本发明涉及含有至少一种周期表第5族金属的Mo合金溅射靶，其中第5族金属的平均含量为5-15原子％，Mo 含量≥80at％。 溅射靶的平均C / O比（At％/ At％）≥1。 根据本发明的溅射靶可以通过变形来制造并具有改善的溅射性能

公开(公告)号：WO2015023585A1

公开(公告)日：2015-02-19

申请号：PCT/US2014/050539

申请日：2014-08-14

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： WEST, Brian T. ,  COX, Michael S. ,  OH, Jeonghoon

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： H01J37/3405 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/35 ,  H01J37/3423 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/347 ,  H01J37/3491 ,  H01J37/3497

摘要： Implementations of the present disclosure relate to a sputtering target for a sputtering chamber used to process a substrate. In one implementation, a sputtering target for a sputtering chamber is provided. The sputtering target comprises a sputtering plate with a backside surface having radially inner, middle and outer regions and an annular-shaped backing plate mounted to the sputtering plate. The backside surface has a plurality of circular grooves which are spaced apart from one another and at least one arcuate channel cutting through the circular grooves and extending from the radially inner region to the radially outer region of sputtering plate. The annular-shaped backing plate defines an open annulus exposing the backside surface of the sputtering plate.

摘要翻译： 本公开的实施例涉及用于处理衬底的溅射室的溅射靶。 在一个实施方案中，提供了用于溅射室的溅射靶。 溅射靶包括具有径向内部，中部和外部区域的背面的溅射板和安装到溅射板的环形背板。 背面具有多个彼此间隔开的圆形槽，以及至少一个弧形通道，其切割圆形槽并且从径向内部区域延伸到溅射板的径向外部区域。 环形背板限定暴露溅射板的背面的敞开的环状空间。