公开(公告)号：WO2012011480A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：PCT/JP2011/066395

申请日：2011-07-20

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  宮谷 光太郎 ,  根本 剛直 ,  黒鳥 託也 ,  小林 保男 ,  野沢 俊久

Inventor： 宮谷　光太郎 ,  根本　剛直 ,  黒鳥　託也 ,  小林　保男 ,  野沢　俊久

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H01L21/31 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02274 ,  C23C16/342 ,  C23C16/511 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/76801

Abstract: 　機械的強度及び耐吸湿性に優れた低誘電率の層間絶縁層を形成することができる層間絶縁層形成方法を提供する。また、配線遅延を低減させた半導体装置を提供する。　半導体装置の層間絶縁層をプラズマＣＶＤ法にて形成する方法において、減圧された処理容器内へ基板を搬入する工程と、前記基板から離隔した第１空間１ａにプラズマ生成ガスを供給する工程と、前記第１空間１ａにて前記プラズマ生成ガスを励起する工程と、前記第１空間１ａと前記基板との間の第２空間１ｂに、少なくとも水素基又は炭化水素基を含むボロン化合物を含む原料ガスを供給する工程とを有する。　また、ホウ素、炭素及び窒素を含むアモルファス構造が形成された層間絶縁層を介して多層配線された半導体装置において、前記層間絶縁層に、六方晶及び立方晶の窒化ホウ素を含むアモルファス構造中に炭化水素基又はアルキルアミノ基を混在させる。

Abstract translation: 提供：层间绝缘层形成方法，其能够形成具有优异的机械强度和耐吸湿性以及低介电常数的层间绝缘层; 以及具有减少的布线延迟的半导体器件。 通过等离子体CVD法形成用于半导体器件的层间绝缘层的方法包括以下步骤：将衬底安装到具有减压的处理容器中; 向离开基板的第一空间（1a）供给等离子体产生气体; 激发第一空间（1a）中的等离子体产生气体; 以及将包含至少具有氢基或烃基的硼化合物的原料气体供给到形成在第一空间（1a）和基板之间的第二空间（1b）。 一种半导体器件，其中通过具有在其中形成有硼，碳和氮的无定形结构的层间绝缘层实现多层互连，并且其中使烃基或烷基氨基共存于含有六方晶系和立方晶硼的非晶结构中 层间绝缘层中的氮化物。