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    セラミック成形体の製造方法
    2.
    发明申请
    セラミック成形体の製造方法 审中-公开
    生产陶瓷制品的方法

    公开(公告)号：WO2015029918A1

    公开(公告)日：2015-03-05

    申请号：PCT/JP2014/072087

    申请日：2014-08-25

    Applicant: イビデン株式会社

    Inventor： 丸山　久明 ,  勝野　佳彦 ,  奥村　容子 ,  棚橋　真緒

    IPC: C23C16/01 ,  C01B31/02 ,  C01B31/36 ,  C23C16/27 ,  C23C16/42

    CPC classification number: C23C16/01 ,  C01B32/05 ,  C01B32/956 ,  C23C16/325 ,  C23C16/342

    Abstract: 　基材にCVD法によりセラミック被膜を成膜することによりセラミック成形体を得る製造方法において、セラミック被膜にクラックを生じさせることがなく、容易に基材を除去することができるセラミック成形体の製造方法を提供する。　基材の第一表面にＣＶＤ法によりセラミック被膜を形成させたのち基材を除 去し、第一表面と対応する第二表面を有するセラミック成形体の製造方法であって、　基材は、少なくとも第一表面に炭素質被膜を有する樹脂発泡体の炭化物からなる。

    Abstract translation: 本发明提供一种陶瓷成型体的制造方法，其通过CVD技术在基材上形成陶瓷涂膜，能够容易地除去基材而不会在陶瓷涂膜中产生开裂。 一种陶瓷成型体的制造方法，其特征在于，包括在CVD基材的第一面上形成陶瓷涂膜，然后除去所述基材，形成具有对应于所述第一 表面，其中所述基材包括在至少所述第一表面上形成有碳质涂膜的树脂泡沫碳化物。

    ENVIRONMENTAL BARRIER FIBER COATING
    3.
    发明申请
    ENVIRONMENTAL BARRIER FIBER COATING 审中-公开
    环保型纤维涂料

    公开(公告)号：WO2014159556A3

    公开(公告)日：2015-02-26

    申请号：PCT/US2014024169

    申请日：2014-03-12

    Applicant: ROLLS ROYCE CORP

    Inventor： LAZUR ANDREW J

    IPC: C04B35/563 ,  C04B35/565 ,  C04B35/573 ,  C04B35/628 ,  C04B35/80

    CPC classification number: C04B41/85 ,  C04B35/52 ,  C04B35/563 ,  C04B35/565 ,  C04B35/573 ,  C04B35/6286 ,  C04B35/62863 ,  C04B35/62868 ,  C04B35/62871 ,  C04B35/62884 ,  C04B35/62894 ,  C04B35/62897 ,  C04B35/806 ,  C04B41/88 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5244 ,  C04B2235/5248 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/614 ,  C04B2235/616 ,  C09D1/00 ,  C09D5/00 ,  C23C16/325 ,  C23C16/342

    Abstract: A fiber having an environmental barrier coating is provided that includes, in one illustrative form, a Hi Nicalon preform assembled in a tooling for chemical vapor infiltration and cleaned to remove sizing char from fibers of the Hi Nicalon preform; a ytterbium doped silicon carbide coat located over the Hi Nicalon preform; a boron nitride interface coat applied over the ytterbium doped silicon carbide coat; and a silicon carbide coat applied over the boron nitride interface coat. In another embodiment the fiber has an environmental barrier coating, comprising: a Hi Nicalon S fiber; wherein the Hi Nicalon S fiber is coated in tow form with yttrium doped silicon carbide; and a silicon doped boron nitride coat applied over the yttrium doped silicon carbide. In a third embodiment the fiber has an environmental barrier coating, comprising: a T-300 carbon fiber preform assembled in tooling for chemical vapor infiltration; alternating layers of silicon carbide and boron carbide are applied over the preform; and a silicon doped boron nitride interface coat applied over the silicon carbide coat.

    Abstract translation: 提供了具有环境屏障涂层的纤维，其包括以一种说明性形式组装在用于化学气相渗透的工具中的Hi Nicalon预制件，并被清洁以从Hi Nicalon预成型件的纤维中除去上浆炭; 位于Hi Nicalon预制件上方的掺镱碳化硅涂层; 施加在掺杂镱的碳化硅外壳上的氮化硼界面涂层; 以及涂覆在氮化硼界面涂层上的碳化硅涂层。 在另一个实施方案中，纤维具有环境阻挡涂层，其包括：Hi Nicalon S纤维; 其中Hi Nicalon S纤维以掺钇掺杂碳化硅的丝束形式涂覆; 并且在掺杂钇的碳化硅上施加掺硅氮化硼涂层。 在第三实施例中，纤维具有环境阻挡涂层，其包括：T-300碳纤维预制件，其组装在用于化学气相渗透的工具中; 将碳化硅和碳化硼的交替层施加在预制件上; 以及涂覆在碳化硅涂层上的硅掺杂的氮化硼界面涂层。

    層間絶縁層形成方法及び半導体装置
    6.
    发明申请
    層間絶縁層形成方法及び半導体装置 审中-公开
    层间绝缘层形成方法和半导体器件

    公开(公告)号：WO2012011480A1

    公开(公告)日：2012-01-26

    申请号：PCT/JP2011/066395

    申请日：2011-07-20

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  宮谷 光太郎 ,  根本 剛直 ,  黒鳥 託也 ,  小林 保男 ,  野沢 俊久

    Inventor： 宮谷　光太郎 ,  根本　剛直 ,  黒鳥　託也 ,  小林　保男 ,  野沢　俊久

    IPC: H01L21/318 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H01L21/31 ,  H01L21/768

    CPC classification number: H01L21/02274 ,  C23C16/342 ,  C23C16/511 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/76801

    Abstract: 　機械的強度及び耐吸湿性に優れた低誘電率の層間絶縁層を形成することができる層間絶縁層形成方法を提供する。また、配線遅延を低減させた半導体装置を提供する。　半導体装置の層間絶縁層をプラズマＣＶＤ法にて形成する方法において、減圧された処理容器内へ基板を搬入する工程と、前記基板から離隔した第１空間１ａにプラズマ生成ガスを供給する工程と、前記第１空間１ａにて前記プラズマ生成ガスを励起する工程と、前記第１空間１ａと前記基板との間の第２空間１ｂに、少なくとも水素基又は炭化水素基を含むボロン化合物を含む原料ガスを供給する工程とを有する。　また、ホウ素、炭素及び窒素を含むアモルファス構造が形成された層間絶縁層を介して多層配線された半導体装置において、前記層間絶縁層に、六方晶及び立方晶の窒化ホウ素を含むアモルファス構造中に炭化水素基又はアルキルアミノ基を混在させる。

    Abstract translation: 提供：层间绝缘层形成方法，其能够形成具有优异的机械强度和耐吸湿性以及低介电常数的层间绝缘层; 以及具有减少的布线延迟的半导体器件。 通过等离子体CVD法形成用于半导体器件的层间绝缘层的方法包括以下步骤：将衬底安装到具有减压的处理容器中; 向离开基板的第一空间（1a）供给等离子体产生气体; 激发第一空间（1a）中的等离子体产生气体; 以及将包含至少具有氢基或烃基的硼化合物的原料气体供给到形成在第一空间（1a）和基板之间的第二空间（1b）。 一种半导体器件，其中通过具有在其中形成有硼，碳和氮的无定形结构的层间绝缘层实现多层互连，并且其中使烃基或烷基氨基共存于含有六方晶系和立方晶硼的非晶结构中 层间绝缘层中的氮化物。

    DEPOSITING CONFORMAL BORON NITRIDE FILMS
    7.
    发明申请
    DEPOSITING CONFORMAL BORON NITRIDE FILMS 审中-公开
    沉积共形氮化硼薄膜

    公开(公告)号：WO2011126748A2

    公开(公告)日：2011-10-13

    申请号：PCT/US2011029662

    申请日：2011-03-23

    Applicant: NOVELLUS SYSTEMS INC ,  ANTONELLI GEORGE ANDREW ,  SRIRAM MANDYAM ,  RANGARAJAN VISHWANATHAN ,  SUBRAMONIUM PRAMOD

    Inventor： ANTONELLI GEORGE ANDREW ,  SRIRAM MANDYAM ,  RANGARAJAN VISHWANATHAN ,  SUBRAMONIUM PRAMOD

    IPC: C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01L21/02112 ,  C23C16/342 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7843

    Abstract: A method of forming a boron nitride or boron carbon nitride dielectric produces a conformal layer without loading effect. The dielectric layer is formed by chemical vapor deposition (CVD) of a boron-containing film on a substrate, at least a portion of the deposition being conducted without plasma, and then exposing the deposited boron-containing film to a plasma. The CVD component dominates the deposition process, producing a conformal film without loading effect. The dielectric is ashable, and can be removed with a hydrogen plasma without impacting surrounding materials. The dielectric has a much lower wet etch rate compared to other front end spacer or hard mask materials such as silicon oxide or silicon nitride, and has a relatively low dielectric constant, much lower then silicon nitride.

    Abstract translation: 形成氮化硼或碳氮化硼电介质的方法产生无负载效应的共形层。 介电层通过衬底上的含硼膜的化学气相沉积（CVD）形成，至少一部分沉积在没有等离子体的情况下进行，然后将沉积的含硼膜暴露于等离子体。 CVD成分主导沉积过程，产生无负载效应的保形膜。 电介质是可分解的，可以用氢等离子体去除而不会影响周围的材料。 与其他前端间隔物或硬掩模材料（例如氧化硅或氮化硅）相比，电介质具有低得多的湿蚀刻速率，并且具有相对低的介电常数，比氮化硅低得多。

    BORON NITRIDE AND BORON NITRIDE-DERIVED MATERIALS DEPOSITION METHOD
    8.
    发明申请
    BORON NITRIDE AND BORON NITRIDE-DERIVED MATERIALS DEPOSITION METHOD 审中-公开
    氮化硼和硼硼衍生物质沉积方法

    公开(公告)号：WO2008147689A1

    公开(公告)日：2008-12-04

    申请号：PCT/US2008/063552

    申请日：2008-05-13

    Applicant: APPLIED MATERIALS, INC. ,  HUH, Jeong-uk ,  BALSEANU, Mihaela ,  XIA, Li-qun ,  NGUYEN, Victor T. ,  WITTY, Derek R. ,  M'SAAD, Hichem

    Inventor： HUH, Jeong-uk ,  BALSEANU, Mihaela ,  XIA, Li-qun ,  NGUYEN, Victor T. ,  WITTY, Derek R. ,  M'SAAD, Hichem

    IPC: H05H1/24 ,  C01B21/064

    CPC classification number: C23C16/342 ,  C23C16/45523

    Abstract: Methods for forming boron-containing films are provided. The methods include introducing a boron-containing precursor and a nitrogen or oxygen-containing precursor into a chamber and forming a boron nitride or boron oxide film on a substrate in the chamber. In one aspect, the method includes depositing a boron-containing film and then exposing the boron-containing film to the nitrogen-containing or oxygen-containing precursor to incorporate nitrogen or oxygen into the film. The deposition of the boron-containing film and exposure of the film to the precursor may be performed for multiple cycles to obtain a desired thickness of the film. In another aspect, the method includes reacting the boron-containing precursor and the nitrogen-containing or oxygen-containing precursor to chemically vapor deposit the boron nitride or boron oxide film.

    Abstract translation: 提供了形成含硼膜的方法。 所述方法包括将含硼前体和含氮或含氧的前体引入室中，并在室中的基底上形成氮化硼或氧化硼膜。 一方面，该方法包括沉积含硼膜，然后将含硼膜暴露于含氮或含氧前体以将氮或氧引入膜中。 含硼膜的沉积和膜暴露于前体可以进行多个循环以获得所需的膜厚度。 另一方面，该方法包括使含硼前体和含氮或含氧前体反应以化学气相沉积氮化硼或氧化硼膜。

    電界電子放出特性を利する自己造形的表面形状を有するｓｐ3結合性窒化ホウ素薄膜とその製造方法及びその用途
    9.
    发明申请
    電界電子放出特性を利する自己造形的表面形状を有するｓｐ3結合性窒化ホウ素薄膜とその製造方法及びその用途 审中-公开
    sp 3具有自制形成表面形状的BORON NONRIDE薄膜在发射电场电子的展示性能方面有优势，其制备方法及其用途

    公开(公告)号：WO2005022578A1

    公开(公告)日：2005-03-10

    申请号：PCT/JP2004/012775

    申请日：2004-08-27

    Applicant: 独立行政法人物質・材料研究機構 ,  小松 正二郎 ,  守吉 佑介 ,  清水 禎樹 ,  岡田 勝行

    Inventor： 小松 正二郎 ,  守吉 佑介 ,  清水 禎樹 ,  岡田 勝行

    IPC: H01J1/304

    CPC classification number: H01J1/304 ,  C23C16/342 ,  C23C16/482 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30446 ,  Y10T428/24355

    Abstract: 高い耐電界強度を有し、大きな電流密度で電子を放出する、材料劣化のない電界電子放出性に優れた材料を提供する。　その解決手段は、ホウ素源及び窒素源を含む反応ガスを導入し、反応空間内の基板温度を室温～１３００℃の範囲に調整し、プラズマを発生し、あるいは発生せずして、基板上に紫外光を照射し、気相からの反応によって基板上に、電界電子放出特性に優れた表面形状が自己造形的に形成された、電界電子放出特性に優れたｓｐ 3 結合性窒化ホウ素膜体を生成させることによって解決する。

    Abstract translation: 制备sp 3结合氮化硼膜的方法表现出优异的电场电子发射特性，其包括将含有硼源和氮源的反应气体引入反应容器中，将基板的温度调节至室温 温度至1300℃，并且在产生或不产生等离子体的情况下用紫外线照射基板，由此通过自相关的气相的反应形成基板上的电场电子发射特性优异的表面结构， 形成方式。 通过上述方法制备的膜是除了上述特性之外具有高电场强度的材料，可以以大的电流密度发射电子，并且不会劣化。

    HIGH DENSITY FLASH EVAPORATOR
    10.
    发明申请
    HIGH DENSITY FLASH EVAPORATOR 审中-公开
    高密度闪蒸蒸发器

    公开(公告)号：WO1996021749A1

    公开(公告)日：1996-07-18

    申请号：PCT/US1995011787

    申请日：1995-09-18

    Applicant: ADVANCED CERAMICS CORPORATION

    Inventor： ADVANCED CERAMICS CORPORATION ,  MARINER, John, T. ,  LONGWORTH, Douglas, A.

    IPC: C23C14/24

    CPC classification number: C23C14/243 ,  C23C14/024 ,  C23C16/342

    Abstract: A flash evaporator vaporization vessel for flash evaporating metal under conditions of repeated thermal cycling having a graphite body and an outer coating layer or layers of pyrolytic boron nitride having a density above 2.15 gm/cc and preferably between 2.19 gm/cc and 2.2 gm/cc.

    Abstract translation: 闪蒸蒸发器蒸发容器，用于在具有石墨体和具有2.15gm / cc以上，优选在2.19gm / cc至2.2gm / cc之间的密度的热解氮化硼的外涂层或多层热重复循环的条件下闪蒸金属 。

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