公开(公告)号：WO2012086882A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：PCT/KR2011/003127

申请日：2011-04-28

Applicant: 한국세라믹기술원 ,  최순목 ,  서원선 ,  정광희 ,  박형호

Inventor： 최순목 ,  서원선 ,  정광희 ,  박형호

IPC: H01L35/14

CPC classification number: H01L35/22 ,  C04B35/01 ,  C04B35/2633 ,  C04B35/2641 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/9607

Abstract: 본 발명은 향상된 출력인자를 갖는 사마륨-코발트계 열전조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 사마륨-코발트계 열전조성물에 있어서, 상기 사마륨의 일부는 스트론튬으로 치환되는 향상된 출력인자를 갖는 사마륨-코발트계 열전조성물을 제공한다. 본 발명에 의하면 사마륨-코발트계 열전 조성물에 도판트를 투입하여 적어도 사마륨의 일부를 치환함으로써 전기전도도와 제벡계수를 조절하여 열전 조성물의 출력인자를 향상시킬 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及具有改进的输出因子的钐钴系导热组合物及其制备方法，更具体地说，提供一种具有改善的输出因子的钐钴基导热组合物，其中一部分钐被取代 与锶。 根据本发明，可以改善导热组合物的输出因子，因为通过在钐钴基导热组合物中通过掺杂剂的输入代替钐的至少一部分来控制导电率和塞贝克系数。

公开(公告)号：WO2013183819A1

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：PCT/KR2012/008516

申请日：2012-10-18

Applicant: 한국세라믹기술원 ,  최순목 ,  서원선 ,  정광희

Inventor： 최순목 ,  서원선 ,  정광희

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/64 ,  C04B41/85

CPC classification number: C01G9/02 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/453 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  H01L35/22

Abstract: 본 발명은 다결정 갈륨 도핑 산화아연에서의 갈륨 도핑량의 증대에 의하여 출력인자를 향상시킨 발명에 관한 것이다. 높은 캐리어 농도에도 불구하고, Zn 0.985 Ga 0.015 O의 제벡계수는 Zn 0.990 Ga 0.010 O의 그것보다 높았는데, 이는 상태밀도(DOS) 유효질량의 영향에 기인한다. 갈륨 치환에 따른 압축응력의 점진적 증가가 전도대(Conduction Band) DOS의 기저부에서 일어난다. 갈륨의 산화아연 기지내에서의 고용한계의 증가는 낮은 소성온도가 화학적 압축(chemical compression)을 가속시키기 때문이다. 단일상의 n타입 Zn 0.985 Ga 0.015 O는 12.5 μWcm -1 K -2 의 출력인자를 나타내었다.

Abstract translation: 本发明涉及多晶镓掺杂氧化锌，其功率因数由于镓掺杂量的增加而提高。 尽管载流子浓度高，但Zn0.985Ga0.015O的塞贝克系数高于Zn0.990Ga0.010O的塞贝克系数，这是由于状态密度（DOS）有效质量的影响而产生的。 在导电带DOS的基部部分发生镓取代后的压缩应力的稳定增加。 镓在氧化锌基质中的溶解度极限增加，因为低的焙烧温度加速了化学压缩。 单相n型Zn0.985Ga0.015O的功率因数为12.5μWcm-1K-2。

公开(公告)号：WO2012091198A1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：PCT/KR2010/009463

申请日：2010-12-29

Applicant: 한국세라믹기술원 ,  최순목 ,  서원선 ,  임창현 ,  이홍림

Inventor： 최순목 ,  서원선 ,  임창현 ,  이홍림

IPC: H01L35/14 ,  H01L35/34

CPC classification number: H01L35/22 ,  C04B35/016 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3265 ,  C04B2235/768

Abstract: 본 발명은 프라세오디뮴이 도핑된 칼슘-망간계 열전 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 칼슘-망간계 열전 조성물에 있어서, 상기 조성물에 프라세오디뮴을 도핑하여 칼슘의 일부를 프라세오디뮴으로 치환하는 프라세오디뮴이 도핑된 칼슘-망간계 열전 조성물 및 칼슘계 물질, 망간계 물질, 프라세오디뮴계 물질을 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계; 상기 혼합물을 복수횟수로 하소하되, 각 하소온도는 하소횟수가 증가함에 따라 점증하도록 하는 단계; 및 상기 복수횟수로 하소된 혼합물을 소결하는 단계;를 포함하는 프라세오디뮴이 도핑된 칼슘-망간계 열전 조성물의 제조방법을 제공한다. 이에 따르면, 비교예로서 제시된 타 희토류 원소를 도핑한 경우에 비하여 프라세오디뮴이 도핑된 경우에는 단일상의 생성이 상대적으로 유리하였으며, 따라서 페롭스카이트구조의 구조적 왜곡이 최소화되었고, 그에 따른 열전 물성이 양호한 결과, 상대적으로 가장 높은 출력인자를 구현할 수 있었다.

Abstract translation: 本发明涉及掺杂有镨的钙锰基热电组合物及其制备方法。 更具体地说，本发明提供掺杂有镨的钙锰基热电组合物，其中镨掺杂在组合物上以用镨代替一部分钙，以及掺杂有钙锰基的热电组合物的制备方法 镨，包括以下步骤：将钙基材料，锰基材料和镨基材料混合以制备混合物; 随着焙烧次数的增加逐渐增加煅烧温度，多次煅烧混合物; 并烧结已经煅烧多次的混合物。 根据本发明，在掺杂镨的情况下，与掺杂其他稀土元素的情况相比，单相的生成相对有利。 因此，钙钛矿结构的结构变形最小化，因此热电性能令人满意，从而实现相对较高的输出系数。