Abstract:
L'invention concerne un procédé et dispositif de diminution irréversible de la valeur d'une résistance intégrée en silicium polycristallin, consistant à soumettre temporairement la résistance à un courant de contrainte supérieur à un courant (Im) pour lequel la valeur de la résistance présente un maximum.
Abstract:
L'invention concerne une cellule mémoire d'une valeur binaire, comportant deux branches parallèles comprenant chacune au moins une résistance de programmation (Rpl, Rp2) en silicium polycristallin connectée entre une première borne (1) d'alimentation et un point ou borne de lecture différentielle (4, 6) de l'état de la cellule, et au moins un premier interrupteur (MNP1, MNP2) reliant, lors d'une programmation, une desdites bornes de lecture à une deuxième borne (2) d'alimentation.
Abstract:
L'invention concerne une cellule mémoire à programmation unique et son procédé de programmation, comportant un transistor de programmation (MN) en série avec une résistance de programmation (Rp) en silicium polycristallin constituant l'élément de mémorisation, la programmation étant non destructrice de la résistance en silicium polycristallin.
Abstract:
L'invention concerne une cellule mémoire d'une valeur binaire, comportant deux branches parallèles comprenant chacune au moins une résistance de programmation (Rpl, Rp2) en silicium polycristallin connectée entre une première borne (1) d'alimentation et un point ou borne de lecture différentielle (4, 6) de l'état de la cellule, et au moins un premier interrupteur (MNP1, MNP2) reliant, lors d'une programmation, une desdites bornes de lecture à une deuxième borne (2) d'alimentation.
Abstract:
L'invention concerne un circuit (1) de stockage d'un code binaire (B 1 , B 2 , ..., B i-1 , B i , ..., B n-1 , B n ) dans une puce de circuit intégré, comportant une borne (2) d'entrée d'application d0un signal (E) de déclenchement d'une lecture du code, des bornes (3 1 , 3 2 , ..., 3 i-1 , 3 i , ..., 3 n-1 , 3 n ) de sortie propres à délivrer lidit code binaire, des premiers chemins électriques (P 1 , P 2 , ..., P i , ..., P n ) reliant individuellement ladite borne d'entrée à chaque borne de sortie, chaque chemin apportant un retard fixé à la fabrication du circuit intégré, et des moyens (4, 5 1 , 5 2 , ..., 5 i , ..., 5 n ) de prise en compte simultanée des états binaires présents en sortie des chemins électriques.
Abstract:
L'invention concerne une cellule mémoire à programmation unique et son procédé de programmation, comportant un transistor de programmation (MN) en série avec une résistance de programmation (Rp) en silicium polycristallin constituant l'élément de mémorisation, la programmation étant non destructrice de la résistance en silicium polycristallin.
Abstract:
L'invention concerne un procédé et un circuit (1) d'identification de type réseau de paramètres physiques contenus dans une puce de circuit intégré, comportant une unique borne (2) d'entrée d'application d'un signal (E) de déclenchement d'une identification, des bornes (3 1 , 3 2 , ..., 3 i-1 , 3 i , ..., 3 n-1 , 3 n ) de sortie propres à délivrer un code binaire (B 1 , B 2 , ..., B i-1 , B i , ..., B n-1 , B n ) d'identification, des premiers chemins électriques (P 1 , P 2 , ..., P i , ..., P n ) relaint individuellement ladite borne d'entrée à chaque borne de sortie, et des moyens (4, 5 1 , 5 2 , ..., 5 i , ..., 5 n ) de prise en compte simultanée des états binaires présents en sortie des chemins électriques, chaque chemin apportant un retard sensible aux dispertions technologiques et/ou de procédé de fabrication du circuit intégré.
Abstract:
The invention concerns an antenna generating an electromagnetic field for an electromagnetic transponder, and a terminal provided with such an antenna, comprising a first inductive element (Lp) designed to be connected to two terminals (3, 4) applying an energizing voltage (Vg), and a parallel resonant circuit (21) coupled with the first inductive element.