PROCESS FOR PRODUCING LAYERS OF CUBIC BORON NITRIDE
    1.
    发明申请
    PROCESS FOR PRODUCING LAYERS OF CUBIC BORON NITRIDE 审中-公开
    用于生产LAYERS立方氮化硼

    公开(公告)号:WO1995023879A1

    公开(公告)日:1995-09-08

    申请号:PCT/DE1995000315

    申请日:1995-03-03

    CPC classification number: C23C14/0036 C23C14/0647 C23C14/3414

    Abstract: The invention relates to a process for producing wear-resistant layers of cubic boron nitride or wear-resistant layers containing it by sputtering with r.f. or d.c. voltage in the operating mode as an unbalanced magnetron, in which the plasma is generated by d.c. arc discharges or d.c.-operated magnetron cathodes. According to the invention, the initial target for the production of the layer from which the material is removed consists of electrically conductive material containing boron, preferably boron carbide, and, in the process, the reactive process is conducted with the addition of N2 and Ar in such a way that the necessary stoichiometric ratio B:N in the layer can be adjusted.

    Abstract translation: 本发明通过溅射(溅射)用高频或与作为非平衡磁控在操作模式直流电,涉及一种方法,用于生产立方氮化硼或含有这样的耐磨损层的耐磨层,其中等离子体产生由直流电弧放电或直流供电磁控管的装置。 根据本发明,用于在膜沉积,其中材料去除发生的,导电的和物质含硼,优选碳化硼,输出目标在该方法中通过添加N 2和Ar的反应过程指导是使得所需的乙:N的化学计量在 所述层可以被调整。

    METHOD FOR PRODUCING A BC(N):H LAYER
    2.
    发明申请
    METHOD FOR PRODUCING A BC(N):H LAYER 审中-公开
    用于生产BC(N):H层

    公开(公告)号:WO9928519A3

    公开(公告)日:1999-08-05

    申请号:PCT/EP9807844

    申请日:1998-12-03

    CPC classification number: C23C14/0635 C23C14/0664

    Abstract: Method for producing a layer (30) containing boron, carbon and hydrogen on a substrate by means of a vapour phase deposition process wherein the process gas contains hydrogen. The inventive layer can be used for instance on cutting tools or forming tools or as absorber material in nuclear reactors.

    Abstract translation: 一种用于通过在含氢处理气体气相沉积装置的基板(20)上产生的硼,碳,和含氢层(30)的过程。 该层的使用区域延伸,例如以金属切割或成形工具或作为核反应堆的吸收材料。

    VERFAHREN ZUR ABSCHEIDUNG VON METALLFREIEN KOHLENSTOFFSCHICHTEN
    5.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR ABSCHEIDUNG VON METALLFREIEN KOHLENSTOFFSCHICHTEN 审中-公开
    用于分离不含金属碳涂层的

    公开(公告)号:WO2003064720A1

    公开(公告)日:2003-08-07

    申请号:PCT/EP2003/000844

    申请日:2003-01-28

    CPC classification number: C23C14/0605 C23C14/025

    Abstract: Ein Verfahren zur Abscheidung von metallfreien amorphen wasserstoffhaltigen Kohlenstoffschichten arbeitet mit dem Sputtern von Targets auf Substrate. Als Target wird ein reines Kohlenstoff-Target, insbesondere ein Graphit-Target eingesetzt und mit einer negativen Gleichspannung vorgespannt. Auch das Substrat wird bevorzugt mit Gleichstrom versorgt. Es wird bevorzugt in der unbalancierten Magnetronbetriebsart gearbeitet. Dadurch ist die Herstellung von metallfreien DLC-Schichten mit hohen Verschleiss- und Härtewerten möglich.

    Abstract translation: 一种用于沉积无金属非晶态含氢碳层过程与靶溅射到基底上配合。 由于目标是一个纯粹的碳靶,特别是使用石墨靶和偏置,一个负的直流电压。 而且,基板优选与直流供给。 它优选在不平衡Magnetronbetriebsart进行。 因此,不含金属的DLC涂层具有高耐磨和硬度值的制造是可能的。

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