公开(公告)号：WO2010020897A1

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：PCT/IB2009/053401

申请日：2009-08-05

Applicant: NXP B.V. ,  INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM VZW ,  BOCCARDI, Guillaume ,  KRAMER, Mark, C., J., C., M. ,  DONKERS, Johannes, J., T., M. ,  CHOI, Li, Jen ,  DECOUTERE, Stefaan ,  SIBAJA-HERNANDEZ, Arturo ,  VAN HUYLENBROECK, Stefaan ,  VENEGAS, Rafael

Inventor： BOCCARDI, Guillaume ,  KRAMER, Mark, C., J., C., M. ,  DONKERS, Johannes, J., T., M. ,  CHOI, Li, Jen ,  DECOUTERE, Stefaan ,  SIBAJA-HERNANDEZ, Arturo ,  VAN HUYLENBROECK, Stefaan ,  VENEGAS, Rafael

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/8249

CPC classification number: H01L29/1004 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66287

Abstract: The invention relates to a semiconductor device (30) comprising a substrate (1), a semiconductor body (25) comprising a bipolar transistor that comprises a collector region (3), a base region (4), and an emitter region (15), wherein at least a portion of the collector region (3) is surrounded by a first isolation region (2, 8), the semiconductor body (25) further comprises an extrinsic base region (35) arranged in contacting manner to the base region (4). In this way, a fast semiconductor device with reduced impact of parasitic components is obtained.

Abstract translation: 本发明涉及一种包括衬底（1）的半导体器件（30），包括集电极区（3），基极区（4）和发射极区域（15））的双极晶体管的半导体本体（25） ，其中所述集电极区域（3）的至少一部分被第一隔离区域（2,8）包围，所述半导体本体（25）还包括以与所述基极区域接触的方式布置的非本征基极区域（35） 4）。 以这种方式，获得了具有减小的寄生分量影响的快速半导体器件。