FACILITY FOR PURIFYING A MATERIAL
    1.
    发明申请
    FACILITY FOR PURIFYING A MATERIAL 审中-公开
    用于净化材料的设施

    公开(公告)号:WO2013057450A4

    公开(公告)日:2013-06-13

    申请号:PCT/FR2012052397

    申请日:2012-10-19

    Abstract: The invention concerns a facility (10) for purifying a material comprising an assembly (30) of crucibles (32, 36, 38; 132). Each crucible comprises a chamber intended to contain the material in the molten state and a discharge conduit for discharging the material in the molten state from the chamber. The assembly comprises at least first, second and third crucibles, the first crucible being at least partly directly above the second crucible, the discharge conduit of the first crucible opening into the second crucible and the second crucible being at least partly directly above the third crucible, the discharge conduit of the second crucible opening into the third crucible. The facility further comprises a heating system (40) which surrounds at least part of each crucible and a system (58) for recovering the material in the molten state supplied by the discharge conduit of one of the crucibles of said assembly.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于净化包括坩埚(32,36,38; 132)的组件(30)的材料的设施(10)。 每个坩埚包括用于容纳处于熔融状态的材料的腔室和用于从腔室排出处于熔融状态的材料的排出导管。 该组件至少包括第一,第二和第三坩埚,第一坩埚至少部分直接位于第二坩埚之上,第一坩埚的排放导管通向第二坩埚,第二坩埚至少部分直接位于第三坩埚之上 ,第二坩埚的排放导管通向第三坩埚。 该设备还包括围绕每个坩埚的至少一部分的加热系统(40)和用于回收由所述组件的坩埚之一的排出导管供应的处于熔融状态的材料的系统(58)。

    TORCHE A PLASMA INDUCTIF
    2.
    发明申请
    TORCHE A PLASMA INDUCTIF 审中-公开
    电感等离子电极

    公开(公告)号:WO2012107699A1

    公开(公告)日:2012-08-16

    申请号:PCT/FR2012/050295

    申请日:2012-02-10

    CPC classification number: H05H1/30 H05H1/28 Y10T29/4902

    Abstract: L'invention concerne une torche à plasma inductif comprenant une cage de confinement métallique (1) cylindrique, un élément métallique solidaire de la cage de confinement (1) partant radialement de la périphérie d'une extrémité de celle-ci, et un inducteur (5) entourant la cage de confinement (1). La cage de confinement (1) et ledit élément sont divisés selon des plans axiaux en secteurs régulièrement répartis, et les secteurs sont solidarisés alternativement par une portion de la cage de confinement (1) du côté opposé à l'élément et par une portion dudit élément du côté opposé à la cage de confinement (1).

    Abstract translation: 本发明涉及感应等离子体焰炬,其包括:圆柱形金属容纳笼(1); 牢固地连接到容纳笼(1)的金属元件,从其一端的周边径向延伸; 以及围绕所述容纳笼(1)的电感器(5)。 上述容纳笼(1)和元件沿着轴向平面分成规则分布的扇区,并且扇区通过以下方式彼此刚性地相互连接:容纳笼(1)的与元件相对的一侧上的一部分,或通过 元件的与容纳笼(1)相对的一侧的部分。

    DISPOSITIF DE FIBRAGE DE MATERIAUX THERMOPLASTIQUES
    4.
    发明申请
    DISPOSITIF DE FIBRAGE DE MATERIAUX THERMOPLASTIQUES 审中-公开
    绘制热塑性材料的装置

    公开(公告)号:WO2014128376A1

    公开(公告)日:2014-08-28

    申请号:PCT/FR2014/050185

    申请日:2014-02-03

    CPC classification number: C03B37/048

    Abstract: L'invention concerne une dispositif (200) de fibrage de matériaux thermoplastiques tels que le verre, comprenant : un centrifugeur (101) comportant une bande annulaire périphérique (103) percée d'une pluralité d'orifices (105); et un ensemble inducteur annulaire refroidi (201) coaxial à ladite bande (103), adapté à développer des courants induits dans ladite bande (103), cet ensemble incorporant une couronne de soufflage (205) coaxiale à ladite bande (103), adaptée à générer un flux gazeux (207) autour de la périphérie extérieure de ladite bande (103), dans lequel toute la surface dudit ensemble (201) tournée vers ladite bande (103) est en un matériau électriquement conducteur et contribue au développement de courants induits dans ladite bande (103) lorsque l'ensemble inducteur est alimenté. Ce dispositif (200; 300; 500; 600) ne comportant pas de brûleur annulaire au-dessus de la bande annulaire périphérique (103) et ne comportant pas d'inducteur annulaire en dessous de la bande annulaire périphérique (103).

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于拉伸诸如玻璃的热塑性材料的装置(200),包括:离心机(101),其包括用多个孔(105)穿孔的外围环形带(103); 以及与所述带(103)同轴的冷却的环形电感器组件(201),设计成在所述带(103)中产生感应电流,所述组件包括与所述带(103)同轴的吹风环(205),所述吹风环被设计成产生 所述组件(201)朝向所述带(103)转向的整个表面由所述带(103)的外周围的气流(207)由导电材料制成,并且有助于在 当电感器组件通电时,所述带(103)。 该装置(200; 300; 500; 600)不包括位于周边环形带(103)上方的环形燃烧器,并且在外围环形带(103)下方不包括环形电感器。

    PROCEDE ET INSTALLATION DE FABRICATION DE BLOCS D'UN MATERIAU SEMICONDUCTEUR
    6.
    发明申请
    PROCEDE ET INSTALLATION DE FABRICATION DE BLOCS D'UN MATERIAU SEMICONDUCTEUR 审中-公开
    制造半导体材料块的方法和安装

    公开(公告)号:WO2008078043A2

    公开(公告)日:2008-07-03

    申请号:PCT/FR2007/052490

    申请日:2007-12-12

    CPC classification number: H01L31/182 C01B33/037 Y02E10/546 Y02P70/521

    Abstract: L'invention concerne une installation (10) de fabrication de blocs d'un matériau semiconducteur, comprenant au moins une enceinte (12) contenant une atmosphère de gaz neutre, l'enceinte comprenant un système de fusion (27, 32, 40) adapté à faire fondre le matériau semiconducteur dans un creuset (24); un système de purification (50) adapté à éliminer des impuretés du matériau semiconducteur fondu dans le creuset; un système de transfert thermique (32) adapté à refroidir la base du creuset et un système de chauffage (40) de la surface libre (63) du matériau semiconducteur fondu et purifié dans le creuset de façon à favoriser la solidification du matériau semiconducteur; et un système de déplacement (18) du creuset (24) contenant le matériau semiconducteur fondu et purifié jusqu'au système de chauffage et/ou un système de déplacement du système de chauffage jusqu'au creuset contenant le matériau semiconducteur fondu et purifié.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造半导体材料块的设备(10),其包括至少一个包含中性气体气氛的外壳(12),该外壳包括 融合系统(27,32,40)适合 À 熔化坩埚(24)中的半导体材料; 一个合适的净化系统(50); À 从坩埚中熔化的半导体材料中除去杂质; 传热系统(32)适合 À 冷却坩埚基座和熔化并纯化的半导体材料的自由表面(63)的加热系统(40); 在炉坩埚中 促进半导体材料的凝固; 和坩埚(24)的容纳熔化和净化的半导体材料的位移系统(18)。 加热系统和/或用于将加热系统移动到含有熔融和纯化的半导体材料的坩埚的系统。

    DISPOSITIF ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN BLOC DE MATERIAU CRISTALLIN
    7.
    发明申请
    DISPOSITIF ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN BLOC DE MATERIAU CRISTALLIN 审中-公开
    用于生产晶体材料块的装置和方法

    公开(公告)号:WO2007077305A1

    公开(公告)日:2007-07-12

    申请号:PCT/FR2006/002661

    申请日:2006-12-06

    Abstract: Un gradient thermique est établi dans un creuset (1) de cristallisation par l'intermédiaire d'une source de chaleur (3) et d'un système de refroidissement. Le système de refroidissement comporte un échangeur (17) et une source de chaleur supplémentaire réglable (18). Le système de refroidissement est, de préférence, constitué par une spire d'induction (10) refroidie par un liquide de refroidissement circulant à l'intérieur de la spire d'induction (10) et par un suscepteur d'induction (11) électriquement conducteur disposé entre le creuset (1) et la spire d'induction (10). Le procédé de fabrication comporte le chauffage du creuset (1 ) par le haut et le contrôle de l'évacuation de la chaleur du creuset (1) vers le bas par l'intermédiaire de l'échangeur (17) et par l'intermédiaire du réglage de la source de chaleur supplémentaire réglable (18).

    Abstract translation: 通过热源(3)和冷却系统在结晶坩埚(1)中建立热梯度。 冷却系统包括交换器(17)和可调节的附加热源(18)。 优选地,冷却系统包括由在感应转弯(10)内循环的冷却剂冷却的感应转弯(10)以及放置在坩埚(1)和感应转弯(10)之间的导电感应器(11) )。 生产过程包括通过顶部加热坩埚(1),并通过交换器(17)向下调节坩埚(1)的热量并通过调节可调节的附加热源(18)来控制坩埚(1)的热量。

    INSTALLATION DE PURIFICATION D'UN MATERIAU
    8.
    发明申请
    INSTALLATION DE PURIFICATION D'UN MATERIAU 审中-公开
    净化材料的设施

    公开(公告)号:WO2013057450A1

    公开(公告)日:2013-04-25

    申请号:PCT/FR2012/052397

    申请日:2012-10-19

    Abstract: L'invention concerneune installation (10) de purification d'un matériau comprenant un ensemble (30) de creusets (32, 36, 38; 132). Chaque creuset comporteune chambre destinée à contenir le matériau à l'état fondu et un conduit d'évacuation du matériau à l'état fondu hors de la chambre. L'ensemble comporteaumoins des premier, deuxième et troisième creusets, le premier creuset étant au moins en partie à l'aplomb du deuxième creuset, le conduit d'évacuation du premier creuset débouchant dans le deuxième creuset et le deuxième creuset étant au moins en partie àl'aplomb du troisième creuset, le conduit d'évacuation du deuxième creuset débouchant dans le troisième creuset. L'installation comprend, en outre, un système de chauffage (40) entoure au moins en partie chaque creuset et un système (58) de récupération du matériau à l'état fondu fourni par le conduit d'évacuation de l'un des creusets dudit ensemble.

    Abstract translation: 本发明涉及用于净化包括坩埚(32,36,38; 132)的组件(30)的材料的设备(10)。 每个坩埚包括用于容纳处于熔融状态的材料的室和用于将处于熔融状态的材料从室排出的排放管。 该组件包括至少第一,第二和第三坩埚,第一坩埚至少部分地直接在第二坩埚的上方,第一坩埚开口的排放管道进入第二坩埚,第二坩埚至少部分地直接在第三坩埚的上方 第二坩埚开口的排放管道进入第三坩埚。 该设备还包括围绕每个坩埚的至少一部分的加热系统(40)和用于回收由所述组件的一个坩埚的排出管道供应的处于熔融状态的材料的系统(58)。

    FOUR A INDUCTION DE FUSION/BRASSAGE
    9.
    发明申请
    FOUR A INDUCTION DE FUSION/BRASSAGE 审中-公开
    感应熔炼/搅拌炉

    公开(公告)号:WO2011073592A1

    公开(公告)日:2011-06-23

    申请号:PCT/FR2010/052790

    申请日:2010-12-17

    CPC classification number: H05B6/067 H05B2213/02

    Abstract: L'invention concerne un four à induction de fusion et de brassage d'un matériau, entouré d'un unique enroulement inducteur (2) alimenté par un unique générateur à fréquence variable (20) associé à des moyens de commande de régulation selon un abaque déterminé au préalable fixant, pour ledit four et son environnement, des valeurs de fréquence et de puissance pour maintenir une température choisie en conservant une vitesse de brassage choisie dans le matériau.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于熔化和固定材料的感应炉,该材料被由根据预定图形的与调节控制装置相关联的单个可变频率发生器(20)供电的单个励磁绕组(2)包围,设定频率和功率 所述炉及其环境的值,以便保持所选择的温度同时保持材料中选定的搅拌速度。

    METHOD AND EQUIPMENT FOR PRODUCING BLOCKS OF A SEMICONDUCTING MATERIAL
    10.
    发明申请
    METHOD AND EQUIPMENT FOR PRODUCING BLOCKS OF A SEMICONDUCTING MATERIAL 审中-公开
    用于生产半导体材料块的方法和设备

    公开(公告)号:WO2008078043A3

    公开(公告)日:2008-10-23

    申请号:PCT/FR2007052490

    申请日:2007-12-12

    CPC classification number: H01L31/182 C01B33/037 Y02E10/546 Y02P70/521

    Abstract: The invention relates to an equipment (10) for producing blocks of a semiconducting material, comprising at least one housing (12) containing a neutral gas atmosphere, said housing including a fusion system (27, 32, 40) adapted for melting the semiconducting material in a crucible (24); a purification system (50) for removing the impurity of the molten semiconducting material in the crucible; a thermal transfer system (32) for cooling the base of the crucible and a heating system (40) for heating the free surface (63) of the molten semi-conducting material purified in the crucible in order to enhance the solidification of the semiconducting material; and a displacement system (18) for displacing the crucible (24) containing the molten and purified semiconducting material up to a heating system and/or a system for displacing the heating system up to the crucible containing the molten and purified semiconducting material.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于生产半导体材料块的设备(10),其包括至少一个包含中性气体气氛的壳体(12),所述壳体包括适于熔化半导体材料的熔融系统(27,32,40) 在坩埚(24)中; 净化系统(50),用于去除坩埚中的熔融半导体材料的杂质; 用于冷却坩埚底部的热转印系统(32)和用于加热在坩埚中纯化的熔融半导体材料的自由表面(63)的加热系统(40),以增强半导体材料的固化 ; 以及用于将包含熔融和纯化的半导体材料的坩埚(24)移位到加热系统和/或用于将加热系统移动到包含熔融和纯化的半导体材料的坩埚的系统的位移系统(18)。

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