Abstract:
The invention concerns a facility (10) for purifying a material comprising an assembly (30) of crucibles (32, 36, 38; 132). Each crucible comprises a chamber intended to contain the material in the molten state and a discharge conduit for discharging the material in the molten state from the chamber. The assembly comprises at least first, second and third crucibles, the first crucible being at least partly directly above the second crucible, the discharge conduit of the first crucible opening into the second crucible and the second crucible being at least partly directly above the third crucible, the discharge conduit of the second crucible opening into the third crucible. The facility further comprises a heating system (40) which surrounds at least part of each crucible and a system (58) for recovering the material in the molten state supplied by the discharge conduit of one of the crucibles of said assembly.
Abstract:
L'invention concerne une torche à plasma inductif comprenant une cage de confinement métallique (1) cylindrique, un élément métallique solidaire de la cage de confinement (1) partant radialement de la périphérie d'une extrémité de celle-ci, et un inducteur (5) entourant la cage de confinement (1). La cage de confinement (1) et ledit élément sont divisés selon des plans axiaux en secteurs régulièrement répartis, et les secteurs sont solidarisés alternativement par une portion de la cage de confinement (1) du côté opposé à l'élément et par une portion dudit élément du côté opposé à la cage de confinement (1).
Abstract:
L'invention concerne l'installation pour l'affinage d'une charge de silicium (s) comportant un creuset (5) comprenant au moins une sole (20) constitué d'au moins un premier matériau réfractaire bon conducteur de la chaleur; un moyen de refroidissement (26, 28) de la sole; un élément de protection (30) constitué d'au moins un deuxième matériau réfractaire mauvais conducteur de la chaleur et destiné à être interposé entre le creuset et la charge; et un moyen de chauffage par induction (23, 24) de la charge comprenant un enroulement (23) disposé dans ou sous la sole.
Abstract:
L'invention concerne une dispositif (200) de fibrage de matériaux thermoplastiques tels que le verre, comprenant : un centrifugeur (101) comportant une bande annulaire périphérique (103) percée d'une pluralité d'orifices (105); et un ensemble inducteur annulaire refroidi (201) coaxial à ladite bande (103), adapté à développer des courants induits dans ladite bande (103), cet ensemble incorporant une couronne de soufflage (205) coaxiale à ladite bande (103), adaptée à générer un flux gazeux (207) autour de la périphérie extérieure de ladite bande (103), dans lequel toute la surface dudit ensemble (201) tournée vers ladite bande (103) est en un matériau électriquement conducteur et contribue au développement de courants induits dans ladite bande (103) lorsque l'ensemble inducteur est alimenté. Ce dispositif (200; 300; 500; 600) ne comportant pas de brûleur annulaire au-dessus de la bande annulaire périphérique (103) et ne comportant pas d'inducteur annulaire en dessous de la bande annulaire périphérique (103).
Abstract:
The invention relates to equipment for refining a load of silicon(s) that comprises a crucible (5) including at least one sole (20) made of a first refractory material having good heat conductivity, means (26, 28) for cooling the sole, a protection member (30) made of at least a second refractory material having low heat conductivity and to be provided between the crucible and the load, and induction heating means (23, 24) of the load including a winding (23) provided in or under the sole.
Abstract:
L'invention concerne une installation (10) de fabrication de blocs d'un matériau semiconducteur, comprenant au moins une enceinte (12) contenant une atmosphère de gaz neutre, l'enceinte comprenant un système de fusion (27, 32, 40) adapté à faire fondre le matériau semiconducteur dans un creuset (24); un système de purification (50) adapté à éliminer des impuretés du matériau semiconducteur fondu dans le creuset; un système de transfert thermique (32) adapté à refroidir la base du creuset et un système de chauffage (40) de la surface libre (63) du matériau semiconducteur fondu et purifié dans le creuset de façon à favoriser la solidification du matériau semiconducteur; et un système de déplacement (18) du creuset (24) contenant le matériau semiconducteur fondu et purifié jusqu'au système de chauffage et/ou un système de déplacement du système de chauffage jusqu'au creuset contenant le matériau semiconducteur fondu et purifié.
Abstract:
Un gradient thermique est établi dans un creuset (1) de cristallisation par l'intermédiaire d'une source de chaleur (3) et d'un système de refroidissement. Le système de refroidissement comporte un échangeur (17) et une source de chaleur supplémentaire réglable (18). Le système de refroidissement est, de préférence, constitué par une spire d'induction (10) refroidie par un liquide de refroidissement circulant à l'intérieur de la spire d'induction (10) et par un suscepteur d'induction (11) électriquement conducteur disposé entre le creuset (1) et la spire d'induction (10). Le procédé de fabrication comporte le chauffage du creuset (1 ) par le haut et le contrôle de l'évacuation de la chaleur du creuset (1) vers le bas par l'intermédiaire de l'échangeur (17) et par l'intermédiaire du réglage de la source de chaleur supplémentaire réglable (18).
Abstract:
L'invention concerneune installation (10) de purification d'un matériau comprenant un ensemble (30) de creusets (32, 36, 38; 132). Chaque creuset comporteune chambre destinée à contenir le matériau à l'état fondu et un conduit d'évacuation du matériau à l'état fondu hors de la chambre. L'ensemble comporteaumoins des premier, deuxième et troisième creusets, le premier creuset étant au moins en partie à l'aplomb du deuxième creuset, le conduit d'évacuation du premier creuset débouchant dans le deuxième creuset et le deuxième creuset étant au moins en partie àl'aplomb du troisième creuset, le conduit d'évacuation du deuxième creuset débouchant dans le troisième creuset. L'installation comprend, en outre, un système de chauffage (40) entoure au moins en partie chaque creuset et un système (58) de récupération du matériau à l'état fondu fourni par le conduit d'évacuation de l'un des creusets dudit ensemble.
Abstract:
L'invention concerne un four à induction de fusion et de brassage d'un matériau, entouré d'un unique enroulement inducteur (2) alimenté par un unique générateur à fréquence variable (20) associé à des moyens de commande de régulation selon un abaque déterminé au préalable fixant, pour ledit four et son environnement, des valeurs de fréquence et de puissance pour maintenir une température choisie en conservant une vitesse de brassage choisie dans le matériau.
Abstract:
The invention relates to an equipment (10) for producing blocks of a semiconducting material, comprising at least one housing (12) containing a neutral gas atmosphere, said housing including a fusion system (27, 32, 40) adapted for melting the semiconducting material in a crucible (24); a purification system (50) for removing the impurity of the molten semiconducting material in the crucible; a thermal transfer system (32) for cooling the base of the crucible and a heating system (40) for heating the free surface (63) of the molten semi-conducting material purified in the crucible in order to enhance the solidification of the semiconducting material; and a displacement system (18) for displacing the crucible (24) containing the molten and purified semiconducting material up to a heating system and/or a system for displacing the heating system up to the crucible containing the molten and purified semiconducting material.