公开(公告)号：WO2008104702A2

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：PCT/FR2008/050220

申请日：2008-02-12

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  EFD INDUCTION SA ,  LAFON, Christophe ,  BOEN, Roger ,  BRUGUIERE, Lionel ,  GIROLD, Christophe ,  LEMORT, Florent ,  BONNETIER, Armand ,  RIVAT, Pascal ,  DEL GOBBO, Jean-Pierre ,  DELAGE, Daniel

Inventor： LAFON, Christophe ,  BOEN, Roger ,  BRUGUIERE, Lionel ,  GIROLD, Christophe ,  LEMORT, Florent ,  BONNETIER, Armand ,  RIVAT, Pascal ,  DEL GOBBO, Jean-Pierre ,  DELAGE, Daniel

IPC: C01B33/037 ,  F27B14/10 ,  F27B14/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: C03B5/225 ,  C01B33/037 ,  C03B5/021 ,  F27B14/06 ,  F27B14/10 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: L'invention concerne l'installation pour l'affinage d'une charge de silicium (s) comportant un creuset (5) comprenant au moins une sole (20) constitué d'au moins un premier matériau réfractaire bon conducteur de la chaleur; un moyen de refroidissement (26, 28) de la sole; un élément de protection (30) constitué d'au moins un deuxième matériau réfractaire mauvais conducteur de la chaleur et destiné à être interposé entre le creuset et la charge; et un moyen de chauffage par induction (23, 24) de la charge comprenant un enroulement (23) disposé dans ou sous la sole.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于精炼硅的装料的装置，该装置包括坩埚（5），该坩埚包括至少一个构成的炉膛（20） 至少一种第一耐火材料具有良好的热导体; 用于鞋底的冷却装置（26,28） 构成保护元件（30） 至少一种第二耐火材料，其是不良的热导体并且适合使用 ＆Agrave; 介入＆oacute; 在坩埚和负载之间; 和负载的感应加热装置（23,24），其包括设置在其中的绕组（23）。 在鞋底内或鞋底下。

公开(公告)号：WO2008104702A3

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：PCT/FR2008050220

申请日：2008-02-12

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  EFD INDUCTION SA ,  LAFON CHRISTOPHE ,  BOEN ROGER ,  BRUGUIERE LIONEL ,  GIROLD CHRISTOPHE ,  LEMORT FLORENT ,  BONNETIER ARMAND ,  RIVAT PASCAL ,  DEL GOBBO JEAN-PIERRE ,  DELAGE DANIEL

Inventor： LAFON CHRISTOPHE ,  BOEN ROGER ,  BRUGUIERE LIONEL ,  GIROLD CHRISTOPHE ,  LEMORT FLORENT ,  BONNETIER ARMAND ,  RIVAT PASCAL ,  DEL GOBBO JEAN-PIERRE ,  DELAGE DANIEL

IPC: C01B33/037 ,  F27B14/06 ,  F27B14/10 ,  H01L31/18

CPC classification number: C03B5/225 ,  C01B33/037 ,  C03B5/021 ,  F27B14/06 ,  F27B14/10 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: The invention relates to equipment for refining a load of silicon(s) that comprises a crucible (5) including at least one sole (20) made of a first refractory material having good heat conductivity, means (26, 28) for cooling the sole, a protection member (30) made of at least a second refractory material having low heat conductivity and to be provided between the crucible and the load, and induction heating means (23, 24) of the load including a winding (23) provided in or under the sole.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于精制硅载体的设备，其包括坩埚（5），坩埚（5）包括由具有良好导热性的第一耐火材料制成的至少一个鞋底（20），用于冷却鞋底的装置（26,28） ，由至少第二耐火材料制成的保护构件（30），所述第二耐火材料具有低导热性并且设置在所述坩埚和所述负载之间;以及所述负载的感应加热装置（23,24）包括：绕组（23） 或在鞋底下。

公开(公告)号：WO2008078043A2

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：PCT/FR2007/052490

申请日：2007-12-12

Applicant: EFD INDUCTION SA ,  DEL GOBBO, Jean-Pierre ,  RIVAT, Pascal

Inventor： DEL GOBBO, Jean-Pierre ,  RIVAT, Pascal

CPC classification number: H01L31/182 ,  C01B33/037 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: L'invention concerne une installation (10) de fabrication de blocs d'un matériau semiconducteur, comprenant au moins une enceinte (12) contenant une atmosphère de gaz neutre, l'enceinte comprenant un système de fusion (27, 32, 40) adapté à faire fondre le matériau semiconducteur dans un creuset (24); un système de purification (50) adapté à éliminer des impuretés du matériau semiconducteur fondu dans le creuset; un système de transfert thermique (32) adapté à refroidir la base du creuset et un système de chauffage (40) de la surface libre (63) du matériau semiconducteur fondu et purifié dans le creuset de façon à favoriser la solidification du matériau semiconducteur; et un système de déplacement (18) du creuset (24) contenant le matériau semiconducteur fondu et purifié jusqu'au système de chauffage et/ou un système de déplacement du système de chauffage jusqu'au creuset contenant le matériau semiconducteur fondu et purifié.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造半导体材料块的设备（10），其包括至少一个包含中性气体气氛的外壳（12），该外壳包括 融合系统（27,32,40）适合 ＆Agrave; 熔化坩埚（24）中的半导体材料; 一个合适的净化系统（50）; ＆Agrave; 从坩埚中熔化的半导体材料中除去杂质; 传热系统（32）适合 ＆Agrave; 冷却坩埚基座和熔化并纯化的半导体材料的自由表面（63）的加热系统（40）; 在炉坩埚中 促进半导体材料的凝固; 和坩埚（24）的容纳熔化和净化的半导体材料的位移系统（18）。 加热系统和/或用于将加热系统移动到含有熔融和纯化的半导体材料的坩埚的系统。

公开(公告)号：WO2007077305A1

公开(公告)日：2007-07-12

申请号：PCT/FR2006/002661

申请日：2006-12-06

Applicant: APOLLON SOLAR ,  CYBERSTAR ,  EFD INDUCTION SA ,  EINHAUS, Roland ,  LISSALDE, François ,  RIVAT, Pascal

Inventor： EINHAUS, Roland ,  LISSALDE, François ,  RIVAT, Pascal

IPC: C30B11/00

CPC classification number: C30B11/003 ,  C30B11/002 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/102 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1088

Abstract: Un gradient thermique est établi dans un creuset (1) de cristallisation par l'intermédiaire d'une source de chaleur (3) et d'un système de refroidissement. Le système de refroidissement comporte un échangeur (17) et une source de chaleur supplémentaire réglable (18). Le système de refroidissement est, de préférence, constitué par une spire d'induction (10) refroidie par un liquide de refroidissement circulant à l'intérieur de la spire d'induction (10) et par un suscepteur d'induction (11) électriquement conducteur disposé entre le creuset (1) et la spire d'induction (10). Le procédé de fabrication comporte le chauffage du creuset (1 ) par le haut et le contrôle de l'évacuation de la chaleur du creuset (1) vers le bas par l'intermédiaire de l'échangeur (17) et par l'intermédiaire du réglage de la source de chaleur supplémentaire réglable (18).

Abstract translation: 通过热源（3）和冷却系统在结晶坩埚（1）中建立热梯度。 冷却系统包括交换器（17）和可调节的附加热源（18）。 优选地，冷却系统包括由在感应转弯（10）内循环的冷却剂冷却的感应转弯（10）以及放置在坩埚（1）和感应转弯（10）之间的导电感应器（11） ）。 生产过程包括通过顶部加热坩埚（1），并通过交换器（17）向下调节坩埚（1）的热量并通过调节可调节的附加热源（18）来控制坩埚（1）的热量。

公开(公告)号：WO2008078043A3

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：PCT/FR2007052490

申请日：2007-12-12

Applicant: EFD INDUCTION SA ,  DEL GOBBO JEAN-PIERRE ,  RIVAT PASCAL

Inventor： DEL GOBBO JEAN-PIERRE ,  RIVAT PASCAL

IPC: B01J6/00 ,  C01B33/037 ,  C30B11/00 ,  C30B35/00

CPC classification number: H01L31/182 ,  C01B33/037 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: The invention relates to an equipment (10) for producing blocks of a semiconducting material, comprising at least one housing (12) containing a neutral gas atmosphere, said housing including a fusion system (27, 32, 40) adapted for melting the semiconducting material in a crucible (24); a purification system (50) for removing the impurity of the molten semiconducting material in the crucible; a thermal transfer system (32) for cooling the base of the crucible and a heating system (40) for heating the free surface (63) of the molten semi-conducting material purified in the crucible in order to enhance the solidification of the semiconducting material; and a displacement system (18) for displacing the crucible (24) containing the molten and purified semiconducting material up to a heating system and/or a system for displacing the heating system up to the crucible containing the molten and purified semiconducting material.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于生产半导体材料块的设备（10），其包括至少一个包含中性气体气氛的壳体（12），所述壳体包括适于熔化半导体材料的熔融系统（27,32,40） 在坩埚（24）中; 净化系统（50），用于去除坩埚中的熔融半导体材料的杂质; 用于冷却坩埚底部的热转印系统（32）和用于加热在坩埚中纯化的熔融半导体材料的自由表面（63）的加热系统（40），以增强半导体材料的固化 ; 以及用于将包含熔融和纯化的半导体材料的坩埚（24）移位到加热系统和/或用于将加热系统移动到包含熔融和纯化的半导体材料的坩埚的系统的位移系统（18）。

公开(公告)号：WO2005105670A1

公开(公告)日：2005-11-10

申请号：PCT/FR2005/050258

申请日：2005-04-19

Applicant: EFD INDUCTION SA ,  RIVAT, Pascal ,  DEL GOBBO, Jean-Pierre

Inventor： RIVAT, Pascal ,  DEL GOBBO, Jean-Pierre

IPC: C01B33/037

CPC classification number: C01B33/037 ,  C30B11/00 ,  C30B11/001 ,  C30B29/06 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: L'invention concerne une installation (10) de fabrication de blocs d'un matériau semiconducteur, comprenant au moins une première enceinte (12, 14) contenant une atmosphère d'au moins un gaz neutre et comprenant un système de fusion (42) adapté à faire fondre le matériau semiconducteur, un système de purification (46) adapté à éliminer des impuretés du matériau semiconducteur fondu, et un système de déplacement (20) d'un creuset de cristallisation (32) contenant du matériau semiconducteur fondu et purifié; et au moins une seconde enceinte (14) reliée à la première enceinte par une ouverture, une porte mobile (18) étant adaptée à fermer hermétiquement ladite ouverture, le système de déplacement étant adapté à déplacer le creuset de cristallisation dans la seconde enceinte avant que le matériau semiconducteur fondu et purifié ne commence à se solidifier, la seconde enceinte contenant un système de refroidissement adapté à favoriser la solidification du matériau semiconducteur fondu et purifié.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于生产半导体材料块的装置（10），其包括：至少一个第一室（12,14），其包含具有至少一种惰性气体的气氛并且包括融合系统（42），所述融合系统 适于熔化半导体材料，适于从熔融半导体材料中去除杂质的净化系统（46）和用于移动含有纯化的熔融半导体材料的结晶坩埚（32）的系统（20）; 和至少一个通过开口连接到第一腔室的第二腔室（14），适于密封所述开口的活动部件（18）。 上述移动系统（20）被设计成在纯化的熔融半导体材料开始凝固之前将结晶坩埚移动到第二腔室中，所述第二腔室包含促进材料凝固的冷却系统。

公开(公告)号：WO2003101152A1

公开(公告)日：2003-12-04

申请号：PCT/FR2003/001540

申请日：2003-05-21

Applicant: EFD INDUCTION SA ,  PEUGEOT CITROEN AUTOMOBILES SA ,  RIVAT, Pascal ,  GRUNEWALD, Jean

Inventor： RIVAT, Pascal ,  GRUNEWALD, Jean

IPC: H05B6/40

CPC classification number: H05B6/405 ,  C21D1/10 ,  C21D9/32 ,  H05B6/40 ,  Y02P10/253

Abstract: L'invention concerne un dispositif (10) de chauffage par induction de la denture (12) d'une roue dentée (13), la denture étant située au moins sur une paroi périphérique (14) de la roue dentée, comprenant une spire d'induction principale annulaire (18) connectée à une source d'alimentation et disposée de façon coaxiale à la roue dentée en vis-à-vis de la paroi périphérique; et des première (19) et seconde (20) spires d'induction auxiliaires annulaires, connectées électriquement à la source d'alimentation en parallèle à la spire principale, et disposée de façon coaxiale à la spire principale de part et d'autre de la spire principale de part et d'autre de la spire principale à distance de la denture.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于感应加热属于齿轮（13）的齿圈（12）的装置（10），所述齿部设置在齿轮的至少一个周向壁（14）上。 本发明的装置包括：主环形感应线圈（18），其连接到电源并且与所述齿轮相对地设置在同轴的周壁上，以及第一（19）和第二（20）辅助环形感应线圈， 与主线圈平行地电连接到电源，并且与主线圈在与其相隔一定距离的任一侧与主线圈同轴设置。

公开(公告)号：WO2009083694A1

公开(公告)日：2009-07-09

申请号：PCT/FR2008/052415

申请日：2008-12-24

Applicant: EFD INDUCTION SA ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE ,  FERROPEM ,  RIVAT, Pascal ,  FLAHAUT, Emmanuel ,  TRASSY, Christian ,  COCCO, François ,  GROSSIER, Etienne

Inventor： RIVAT, Pascal ,  FLAHAUT, Emmanuel ,  TRASSY, Christian ,  COCCO, François ,  GROSSIER, Etienne

IPC: C01B33/037 ,  C01B33/02 ,  C30B29/06 ,  C30B11/00

CPC classification number: C01B33/037

Abstract: L'invention concerne une installation (10) de purification d'un matériau semiconducteur (44) comprenant au moins une enceinte contenant une atmosphère d'au moins un gaz neutre. L'installation comprend, dans l'enceinte un creuset (30) destiné à contenir le matériau semiconducteur à l'état fondu; une torche à plasma (40) destinée à éliminer des impuretés du matériau semiconducteur fondu dans le creuset; et un système de confinement (50) destiné à délimiter un volume de confinement (69) entre le creuset et la torche à plasma, le système de confinement comprenant un système (54) d'évacuation de composés gazeux et/ou de particules issus de la purification du silicium fondu. Le système d'évacuation comprend au moins uneouverture d'aspiration (70) ayant une portion cylindrique (72) se prolongeant par une portion évasée (76) débouchant dans le volume de confinement.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于净化半导体材料（44）的装置（10），其包括至少一个含有至少一种惰性气体气氛的室。 所述装置包括：在所述腔室中的用于容纳处于熔融状态的半导体材料的坩埚（30）; 用于从坩埚中的熔融半导体材料中去除杂质的等离子体焰炬（40）; 以及限定系统（50），其旨在限定坩埚和等离子体焰炬之间的限制容积（69），所述约束系统包括用于抽空由熔融硅纯化产生的气态化合物和/或颗粒的装置（54）。 排气装置包括至少一个吸入孔（70），其具有通过开口进入限制容积的扩口部分（76）延伸的圆柱形部分（72）。

公开(公告)号：WO2004094704A3

公开(公告)日：2004-12-16

申请号：PCT/FR2004000894

申请日：2004-04-09

Applicant: APOLLON SOLAR ,  CYBERSTAR ,  EFD INDUCTION SA ,  EINHAUS ROLAND ,  LISSALDE FRANCOIS ,  RIVAT PASCAL

Inventor： EINHAUS ROLAND ,  LISSALDE FRANCOIS ,  RIVAT PASCAL

IPC: C30B11/00

CPC classification number: C30B29/605 ,  C30B11/002 ,  Y10S65/08 ,  Y10S117/90 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1052

Abstract: Disclosed is a crucible, the thermal transfer properties of the bottom (7) of which are much greater than those of the sidewalls (8) parallel to an axis extending substantially perpendicular to the bottom (7). Said bottom (7) and the sidewalls (8) are made of materials that are provided with the same main chemical components. The bottom (7) can be transparent to infrared radiation while the sidewalls (8) can be opaque to infrared radiation. The bottom (7) can be made of amorphous silica while the sidewalls (8) can be made of a ceramic material consisting of opaque quartz. The crucible can also be made of graphite. The device can comprise a graphite felt (9) that is disposed between the bottom (7) of the crucible and cooling means (4), and means (10) for compressing the graphite felt (9), allowing a thermal gradient ranging between 8 DEG C/cm and 30 DEG C/cm to be defined in the liquid phase.

Abstract translation: 公开了一种坩埚，其底部（7）的热传递特性比平行于基本上垂直于底部（7）的轴线的侧壁（8）的热传递特性大得多。 所述底部（7）和侧壁（8）由具有相同主要化学成分的材料制成。 底部（7）对于红外辐射可以是透明的，而侧壁（8）对红外辐射是不透明的。 底部（7）可以由无定形二氧化硅制成，而侧壁（8）可以由不透明石英组成的陶瓷材料制成。 坩埚也可以由石墨制成。 该装置可以包括设置在坩埚的底部（7）和冷却装置（4）之间的石墨毡（9）和用于压缩石墨毡（9）的装置（10），允许在8 在液相中定义为DEGC / cm和30℃/ cm。

公开(公告)号：WO2004094704A2

公开(公告)日：2004-11-04

申请号：PCT/FR2004/000894

申请日：2004-04-09

Applicant: APOLLON SOLAR ,  CYBERSTAR ,  EFD INDUCTION SA ,  EINHAUS, Roland ,  LISSALDE, François ,  RIVAT, Pascal

Inventor： EINHAUS, Roland ,  LISSALDE, François ,  RIVAT, Pascal

IPC: C30B

CPC classification number: C30B29/605 ,  C30B11/002 ,  Y10S65/08 ,  Y10S117/90 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1052

Abstract: Le fond (7) du creuset a, parallèlement à un axe sensiblement perpendiculaire au fond (7), des propriétés de transfert thermique très supérieures à celles des parois latérales (8). Le fond (7) et les parois latérales (8) sont constitués par des matériaux ayant les mêmes constituants chimiques principaux. Le fond (7) peut être transparent au rayonnement infrarouge et les parois latérales (8) opaques au rayonnement infrarouge. Le fond (7) peut être en silice amorphe et les parois latérales (8) en céramique de quartz opaque. Le creuset peut également être en graphite. Le dispositif peut comporter un feutre de graphite (9), disposé entre le fond (7) du creuset et des moyens de refroidissement (4), et des moyens de compression (10) du feutre de graphite (9). Il est ainsi possible de définir un gradient thermique compris entre 8°C/cm et 30°C/cm dans la phase liquide.

Abstract translation:

坩埚的底部（7）平行于它; 基本垂直于底部（7）的轴线，传热性能高于上述; 那些侧壁（8）。 底部（7）和侧壁（8）由具有相同主要化学成分的材料构成。 底部（7）对于红外辐射可以是透明的，并且侧壁（8）对于红外辐射是不透明的。 底部（7）可以是无定形二氧化硅，而侧壁（8）可以是不透明的石英陶瓷。 坩埚也可以由石墨制成。 该装置可以包括设置在其上的石墨毡（9）。 在坩埚的底部（7）和冷却装置（4）之间以及石墨毡（9）的压缩装置（10）之间。 因此可以确定液相中8℃/ cm和30℃/ cm之间的热梯度。