公开(公告)号：WO2011029640A3

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：PCT/EP2010059093

申请日：2010-06-25

Applicant: CELLS SE Q ,  ENGELHART PETER

Inventor： ENGELHART PETER

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

Abstract: The invention relates to Solar cell with a semiconductor wafer (1) comprising a light incidence facing front side (2) with a base electrode (4), which is connected to a base layer (3) of the semiconductor wafer (1), and a front side (2) opposite to the back side (5) with an emitter electrode (7), which is connected to an emitter structure (6) of the semiconductor wafer (1), characterized by that the emitter structure (6) comprises a front side emitter layer (61) arranged on the front side (2) of the semiconductor wafer (1).

Abstract translation: 本发明涉及一种具有半导体晶片（1）的太阳能电池，该半导体晶片（1）包括面向前侧（2）的光入射与基极（4），其连接到半导体晶片（1）的基极层（3），以及 与半导体晶片（1）的发射极结构（6）连接的具有发射极（7）的与背面（5）相对的前侧（2），其特征在于，发射极结构（6）包括 布置在半导体晶片（1）的前侧（2）上的前侧发射极层（61）。

公开(公告)号：WO2010145648A1

公开(公告)日：2010-12-23

申请号：PCT/DE2010/075045

申请日：2010-05-31

Applicant: Q-CELLS SE ,  ENGELHART, Peter ,  SEGUIN, Robert ,  KESSELS, Wilhelmus, Mathijs, Marie ,  DINGEMANS, Gijs

Inventor： ENGELHART, Peter ,  SEGUIN, Robert ,  KESSELS, Wilhelmus, Mathijs, Marie ,  DINGEMANS, Gijs

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung (1) und ein Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung (1), wobei die Halbleitervorrichtung (1) eine Halbleiterschicht (2) und eine auf einer Oberfläche der Halbleiterschicht (2) angeordnete Passivierungsschicht (3) zur Passivierung der Halbleiterschichtoberfläche (20) umfasst, wobei die Passivierungsschicht (3) eine chemisch passivierende Passivierungsteilschicht (31) und eine feldef fektpassivierende Passivierungsteilschicht (33) umfasst, welche auf der Halbleiterschichtoberfläche (20) übereinander angeordnet sind. Die Halbleitervorrichtung ist bevorzugt eine Solarzelle.

Abstract translation: 本发明涉及一种半导体装置（1）和用于半导体器件（1）的制造方法，其中，半导体器件（1）包括在半导体层的一个表面上的半导体层（2）和（2）之一设置钝化层（3），以在半导体层表面的钝化（20 ），其中，所述钝化层（3）包括一个化学钝化钝化（31）和一个feldef fektpassivierende钝化（33）（半导体层表面20上）被布置在另一个之上。 的半导体装置优选为太阳能电池。

公开(公告)号：WO2006048319A3

公开(公告)日：2006-07-20

申请号：PCT/EP2005011883

申请日：2005-11-07

Applicant: INST SOLARENERGIEFORSCHUNG ,  TEPPE ANDREAS ,  MEYER RUEDIGER ,  ENGELHART PETER

Inventor： TEPPE ANDREAS ,  MEYER RUEDIGER ,  ENGELHART PETER

IPC: H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/0682 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/035281 ,  Y02E10/547

Abstract: The invention relates to a method for producing a double-sided light-sensitive solar cell (10). According to said invention, a semiconductor substance (11) whose rear face (13) is embodied in the form of web-shaped locally elevated structures (14) and line- or strip-shaped recesses (15, 16) is used. In addition, first and second contacts (22, 23) for collecting minority or majority charge carriers are disposed on one of two longitudinal sides (18, 19) of said recesses, respectively and not on the other longitudinal sides (20, 21) opposite to said recesses and/or on a plate (17).

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于制造双面光敏太阳能电池（10），以及这样的本身，它建议在背面（13）局部地凸起的脊形结构（14）和线性的或使用的半导体衬底（11） 产生带状凹槽（15,16）。 进一步提出的是在每种情况下只有这些凹槽（18，19）的两个纵向壁中的一个，但不是以这些凹部的各自的另一相对的纵向壁（20，21）和/或在高原（17）第一和第二 联系人（22,23）用于收集少数或多数承运人。

公开(公告)号：WO2006048319A2

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：PCT/EP2005/011883

申请日：2005-11-07

Applicant: INSTITUT FÜR SOLARENERGIEFORSCHUNG GMBH ,  TEPPE, Andreas ,  MEYER, Rüdiger ,  ENGELHART, Peter

Inventor： TEPPE, Andreas ,  MEYER, Rüdiger ,  ENGELHART, Peter

IPC: H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/0682 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/035281 ,  Y02E10/547

Abstract: Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer beidseitig lichtempfindlichen Solarzelle (10) sowie eine solche selbst. Es wird vorgeschlagen, ein Halbleitersubstrat (11) zu verwenden, auf dessen Rückseite (13) lokal erhabene stegförmige Strukturen (14) und linien- oder bandförmige Vertiefungen (15, 16) erzeugt werden. Es wird weiterhin vorgeschlagen, dass auf jeweils nur einer der beiden Längswände dieser Vertiefungen (18, 19), nicht aber auf den jeweils gegenüberliegenden anderen Längswänden (20, 21) dieser Vertiefungen und/oder auf den Plateaus (17) sowohl erste als auch zweite Kontakte (22, 23) zum Sammeln von Minoritäts bzw. Majoritätsladungsträgern angebracht werden.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于制造双面光敏太阳能电池（10），以及这样的本身，它建议在背面（13）局部地凸起的脊形结构（14）和线性的或使用的半导体衬底（11） 带形的凹部（15，16）被生成。 进一步提出的是在每种情况下只有这些凹槽（18，19）的两个纵向壁中的一个，但不是以这些凹部的各自的另一相对的纵向壁（20，21）和/或在高原（17）第一和第二 用于收集和少数多数电荷载流子触点（22，23）连接。

公开(公告)号：WO2011009681A1

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：PCT/EP2010/058740

申请日：2010-06-21

Applicant: Q-CELLS SE ,  SEGUIN, Robert ,  ENGELHART, Peter ,  HINTZE, Bernd ,  KESSELS, Wilhelmus Mathijs Marie ,  DINGEMANS, Gijs ,  VAN DE SANDEN, Mauritius Cornelius Maria

Inventor： SEGUIN, Robert ,  ENGELHART, Peter ,  HINTZE, Bernd ,  KESSELS, Wilhelmus Mathijs Marie ,  DINGEMANS, Gijs ,  VAN DE SANDEN, Mauritius Cornelius Maria

IPC: C23C16/455 ,  H01L31/18

CPC classification number: C23C16/403 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/515 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: The invention relates to a method for plasma enhanced deposition of a material layer (5), a semiconductor device and a deposition device. During the plasma enhanced deposition of the material layer (5), a first precursor (7) and a second precursor (8) are introduced in vapor form into a reaction chamber (1 ) and participate in a chemical deposition reaction, by which the material layer (5) is deposited onto a surface region (4) of a substrate (3) placed inside the reaction chamber (1 ), wherein the introduction (12) of the first precursor (7) and / or a movement (22) of the substrate (3) is performed such that the concentration of the first precursor (7) in a surrounding space (6) above the surface region (4) is varied in a pulse shape, and in the surrounding space (6) at least partly a chemical gas phase reaction of the first precursor (7) with a reactant takes place, and wherein the second precursor (8) is activated for a chemical reaction with the first precursor (7) by a plasma discharge.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于材料层（5），半导体器件和沉积装置的等离子体增强沉积的方法。 在材料层（5）的等离子体增强沉积期间，将第一前体（7）和第二前体（8）以蒸汽形式引入反应室（1）并参与化学沉积反应，通过该化学沉积反应 层（5）沉积在放置在反应室（1）内的衬底（3）的表面区域（4）上，其中第一前体（7）和/或第一前体（7）的引入（12）和/ 执行基板（3），使得表面区域（4）上方的周围空间（6）中的第一前体（7）的浓度以脉冲形状变化，并且在周围空间（6）中至少部分地 发生第一前体（7）与反应物的化学气相反应，并且其中第二前体（8）通过等离子体放电与第一前体（7）起激活作用。

公开(公告)号：WO2006042698A1

公开(公告)日：2006-04-27

申请号：PCT/EP2005/011046

申请日：2005-10-13

Applicant: INSTITUT FÜR SOLARENERGIEFORSCHUNG GMBH ,  TEPPE, Andreas ,  ENGELHART, Peter ,  MÜLLER, Jörg

Inventor： TEPPE, Andreas ,  ENGELHART, Peter ,  MÜLLER, Jörg

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/04 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/022458 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle (1) mit einem Halbleitersubstrat (2) vorgeschlagen, dessen elektrische Kontaktierung auf der Halbleitersubstratrückseite erfolgt. Die Halbleitersubstratrückseite weist lokal dotierte Bereiche (3) auf. Die danebenliegende Bereiche (4) weisen eine vom Bereich (3) unterschiedliche Dotierung auf. Damit das leitfähige Material (5) die Solarzelle nicht kurzschliesst, sind die beiden Bereiche (3,4) zumindest an deren Bereichsgrenzen (6) mit einer dünnen, elektrisch isolierenden Schicht (7) überzogen. Die beiden Bereiche (3,4) sind zunächst ganzflächig mit einem elekrisch leitfähigen Material (5) beschichtet. Die Trennung der elektrisch leitfähigen Schicht (5) erfolgt durch ganzflächiges Aufbringen einer Ätzbarrierenschicht (8), welche anschliessend maskierungsfrei und selektiv, z.B. durch Laserablation, lokal oberhalb der isolierenden Schicht (7), entfernt wird. Durch den anschliessenden Angriff einer Ätzlösung wird die leitfähige Schicht (5) im Bereich der Öffnungen (9) der Ätzbarrierenschicht (8) lokal entfernt.

Abstract translation: 它提出了一种方法，用于制造包括一个半导体衬底（2）的太阳能电池（1），所述电接触而在所述半导体基板背面的地方。 所述半导体基板背面侧已局部掺杂区（3）。 下一海拔地区（4）具有一个从所述区域（3）不同的掺杂。 因此，导电材料（5）不短路的太阳能电池中，这两个区域（3,4）与一薄的，电绝缘层至少涂覆在所述区域边界（6）（7）。 两个区域（3,4）首先被涂覆在整个表面上通过电用导电材料（5）。 导电层（5）的通过覆盖沉积一个蚀刻阻挡层（8），然后自由地和有选择地屏蔽，例如分离 通过激光烧蚀除去，局部地，绝缘层（7）的上方。 通过蚀刻溶液的后续攻击，导电层（5）是在开口的区域（9）所述蚀刻阻挡层（8）被去除本地。

公开(公告)号：WO2013013666A2

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：PCT/DE2012100189

申请日：2012-06-26

Applicant: CELLS SE Q ,  STEKOLNIKOV ANDREY ,  SEGUIN ROBERT ,  KOENTOPP MAX ,  SCHERFF MAXIMILIAN ,  ENGELHART PETER ,  HEIMANN MATTHIAS ,  BARTEL TIL ,  TRAEGER MARKUS

Inventor： STEKOLNIKOV ANDREY ,  SEGUIN ROBERT ,  KOENTOPP MAX ,  SCHERFF MAXIMILIAN ,  ENGELHART PETER ,  HEIMANN MATTHIAS ,  BARTEL TIL ,  TRAEGER MARKUS

IPC: H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/02008 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

Abstract: The present invention relates to a solar cell (1) comprising a semiconductor wafer (3), at least one dielectric layer (5) arranged on the semiconductor wafer (3), a metal layer (7) arranged on the dielectric layer, and a contact structure arranged in the dielectric layer (5) such that the contact structure provides an electrical connection between the metal layer (7) and the semiconductor wafer (3), wherein the contact structure has at least one first structure (9a) having a minimum dimension and at least one second structure (9b) having a maximum dimension, wherein the minimum dimension and the maximum dimension are defined along a surface of the semiconductor wafer (3) and the minimum dimension of the first structure (9a) is greater than the maximum dimension of the second structure (9b). Furthermore, the present invention relates to a solar cell production method, comprising the following method steps: providing a semiconductor wafer (3) with at least one dielectric layer (5), forming a metal layer (7) on the dielectric layer (5) and a contact structure arranged in the dielectric layer (5), such that the contact structure provides an electrical connection between the metal layer (7) and the semiconductor wafer (3), wherein at least one first structure (9a) having a minimum dimension and at least one second structure (9b) having a maximum dimension are formed as contact structure, such that the minimum dimension of the first structure (9a) is greater than the maximum dimension of the second structure (9b).

Abstract translation: 本发明涉及（1），其包括在半导体晶片（3），布置（3）的电介质层（5），设置在所述电介质层上的一个半导体晶片上的至少一个太阳能电池的金属层（7）和所述电介质层中的接触结构 （5）被布置成使得所述接触结构提供金属层（7）与半导体晶片（3），其中，所述接触结构包括至少一个第一结构（图9a）之间的电连接具有最小尺寸，并且具有的最大尺寸的至少第二结构（图9B） ，其中，所述最小尺寸，并沿着所述半导体晶片（3）和所述第一结构（图9a）的最小尺寸的表面所限定的最大尺寸小于所述第二结构的最大尺寸大（图9b）。 此外，本发明的太阳能电池制造工艺，包括以下步骤的担忧：提供半导体晶片（3）具有至少一个电介质层（5），形成电介质层在所述电介质层（5）和一个接触结构上的金属层（7） （5）被布置成使得所述接触结构提供金属层（7）与半导体晶片（3）之间的电连接，其中，至少一个第一结构（图9a），其具有最小尺寸，并且具有的最大尺寸为接触结构中的至少一个第二结构（图9B） 被形成为使得所述第一结构（图9a）的最小尺寸小于所述第二结构（图9B）的最大尺寸。

公开(公告)号：WO2011144207A2

公开(公告)日：2011-11-24

申请号：PCT/DE2011/075107

申请日：2011-05-12

Applicant: Q-CELLS SE ,  ENGELHART, Peter ,  SEGUIN, Robert ,  KESSELS, Wilhelmus, Mathijs, Marie ,  DINGEMANS, Gijs

Inventor： ENGELHART, Peter ,  SEGUIN, Robert ,  KESSELS, Wilhelmus, Mathijs, Marie ,  DINGEMANS, Gijs

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1868 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung, umfassend die folgenden Verfahrensschritte: Bereitstellen eines Substrats (3) mit einer Halbleiteroberfläche (31); Bilden einer ersten Passivierschicht (1) aus einem ersten Dielektrikmaterial auf der Halbleiteroberfläche (31); Aufbringen einer zweiten Passivierschicht (2) aus einem zweiten Dielektrikmaterial auf die erste Passivierschicht (1) und / oder auf eine der Halbleiteroberfläche (31) gegenüberliegend angeordneten weiteren Halbleiteroberfläche auf dem Substrat (3); und Unterziehung des Substrates (3) einer Schicht opfernden Behandlung, bei der eine Schichtdicke der zweiten Passivierschicht (2) im Wesentlichen entlang der gesamten Halbleiteroberfläche (31) oder der gesamten weiteren Halbleiteroberfläche um einen überwiegenden Teil der Schichtdicke reduziert wird.

Abstract translation: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：提供衬底（3）与半导体表面（31）; 形成半导体表面（31）上的第一介电材料的第一钝化层（1）; 第一钝化层（1）和上施加第二电介质材料的第二钝化层（2）/或在半导体表面（31）在所述衬底上相对地设置的另外的半导体表面（3）; 和对所述衬底（3）牺牲治疗的层，其中沿整个半导体表面（31）或由基本上层厚度的主要部分的整个另一半导体表面的第二钝化层（2）的层厚度减小。

公开(公告)号：WO2006111304A1

公开(公告)日：2006-10-26

申请号：PCT/EP2006/003331

申请日：2006-04-11

Applicant: INSTITUT FÜR SOLARENERGIEFORSCHUNG GMBH ,  WADE, Robert ,  ENGELHART, Peter ,  TEPPE, Andreas ,  GRISCHKE, Rainer

Inventor： ENGELHART, Peter ,  TEPPE, Andreas ,  GRISCHKE, Rainer

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022458 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: Es wird eine Solarzelle (1 ) und ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle vorgestellt. Bei der Solarzelle (1) sind sowohl der Emitterkontakt (43) als auch der Basiskontakt (45) an der Zellrückseite (3) angeordnet. Die beiden Kontakte (43, 45) sind durch Flanken (5), an denen die Metallisierung entfernt wurde, elektrisch voneinander isoliert. Die Emitterbereiche (4) der Zellrückseite sind über Kanäle (7) mit dem Emitter (9) an der Zellvorderseite (8) verbunden. Sowohl die Emitterbereiche (4) der Zellrückseite als auch die Kanäle (7) werden mit einem Laser ausgebildet. Das Entfernen der Metallisierung an den Flanken erfolgt durch selektives Ätzen, wobei die Metallisierung nur im Bereich der Flanken (5), in dem eine Ätzbarrierenschicht (11 ) unzureichend ausgebildet ist, weggeätzt wird.

Abstract translation: 本发明公开了一种太阳能电池（1）和一种用于制造太阳能电池的方法。 在太阳能电池（1），两个发射极接触（43）和在所述传感器（3）的后部的基极接触（45）被布置。 这两个触点（43，45）电由侧面（5），在其上从彼此除去金属化隔离。 发射极区域（4）电池的背面的通孔通道（7），以在电池的前侧（8）的发射极（9）连接。 两个发射极区域（4）电池的背面和所述通道（7）利用激光形成。 金属化的上侧面去除是通过选择性蚀刻完成的，其特征在于，金属化仅在侧面（5），其中刻蚀阻挡层（11）不充分形成，蚀刻掉的区域。

公开(公告)号：WO2013013666A3

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：PCT/DE2012/100189

申请日：2012-06-26

Applicant: Q-CELLS SE ,  STEKOLNIKOV, Andrey ,  SEGUIN, Robert ,  KÖNTOPP, Max ,  SCHERFF, Maximilian ,  ENGELHART, Peter ,  HEIMANN, Matthias ,  BARTEL, Til ,  TRÄGER, Markus

Inventor： STEKOLNIKOV, Andrey ,  SEGUIN, Robert ,  KÖNTOPP, Max ,  SCHERFF, Maximilian ,  ENGELHART, Peter ,  HEIMANN, Matthias ,  BARTEL, Til ,  TRÄGER, Markus

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Solarzelle (1) mit einem Halbleiterwafer (3), mindestens einer auf dem Halbleiterwafer (3) angeordneten dielektrischen Schicht (5), einer auf der dielektrischen Schicht angeordneten Metallschicht (7) und einer Kontaktstruktur, die in der dielektrischen Schicht (5) angeordnet ist, sodass die Kontaktstruktur eine elektrische Verbindung zwischen der Metallschicht (7) und dem Halbleiterwafer (3) bereitstellt, wobei die Kontaktstruktur mindestens eine erste Struktur (9a) mit einer Mindestabmessung und mindestens eine zweite Struktur (9b) mit einer Maximalabmessung aufweist, wobei die Mindestabmessung und die Maximalabmessung entlang einer Oberfläche des Halbleiterwafers (3) definiert sind und die Mindestabmessung der ersten Struktur (9a) größer ist als die Maximalabmessung der zweiten Struktur (9b). Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung Solarzellen-Herstellungsverfahren, umfassend die Verfahrensschritte: Bereitstellen eines Halbleiterwafers (3) mit mindestens einer dielektrischen Schicht (5), Ausbilden einer Metallschicht (7) auf der dielektrischen Schicht (5) und einer Kontaktstruktur, die in der dielektrischen Schicht (5) angeordnet ist, sodass die Kontaktstruktur eine elektrische Verbindung zwischen der Metallschicht (7) und dem Halbleiterwafer (3) bereitstellt, wobei mindestens eine erste Struktur (9a) mit einer Mindestabmessung und mindestens eine zweite Struktur (9b) mit einer Maximalabmessung als Kontaktstruktur ausgebildet werden, sodass die Mindestabmessung der ersten Struktur (9a) größer ist als die Maximalabmessung der zweiten Struktur (9b).