公开(公告)号：WO2012048905A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：PCT/EP2011/005210

申请日：2011-10-17

Applicant: CENTROTHERM SITEC GMBH ,  HUSSY, Stephan ,  PROKOPENKO, Oleksandr ,  HOESS, Christian

Inventor： HUSSY, Stephan ,  PROKOPENKO, Oleksandr ,  HOESS, Christian

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B11/002 ,  C30B11/003 ,  C30B29/06

Abstract: A crucible for silicon is disclosed, comprising a bottom and at least eight outer side wall sections, which confine a receiving space having an octagonal cross-section. Furthermore, a crucible arrangement for silicon is disclosed, which comprises the above described crucible and an inner side wall element centered with respect to the receiving space, such as to form an annular space, together with the outer side wall sections. Additionally, an optional partition unit for a crucible for silicon is also de- scribed, wherein the partition unit comprises at least one partition element fitted to the shape of the receiving space/annular space, in order to separate the receiving space/annular space into at least two compartments.

Abstract translation: 公开了一种用于硅的坩埚，其包括底部和至少八个外侧壁部分，其限制具有八边形横截面的容纳空间。 此外，公开了一种用于硅的坩埚装置，其包括上述坩埚和相对于容纳空间居中的内侧壁元件，以及与外侧壁部分一起形成环形空间。 此外，还描述了用于硅的坩埚的可选分隔单元，其中分隔单元包括装配到接收空间/环形空间的形状的至少一个分隔元件，以便将接收空间/环形空间分离成 至少两个隔间。

公开(公告)号：WO2006037311A2

公开(公告)日：2006-04-13

申请号：PCT/DE2005/001772

申请日：2005-10-04

Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. ,  FRIEDRICH, Jochen ,  MÜLLER, Georg ,  MEISSNER, Elke ,  BIRKMANN, Bernhard ,  HUSSY, Stephan

Inventor： FRIEDRICH, Jochen ,  MÜLLER, Georg ,  MEISSNER, Elke ,  BIRKMANN, Bernhard ,  HUSSY, Stephan

CPC classification number: C01B21/0632 ,  C01B21/0722 ,  C30B17/00 ,  C30B19/106 ,  C30B29/403

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erhöhung des Umsatzes von Gruppe-III -Metall zu Gruppe-III-Nitrid in einer Gruppe III haltigen Metallschmelze, unter Stickstoff eintrag in die Gruppe-III-haltige Metallschmelze, bei Temperaturen ≤ 1100 °C und bei Drücken unter 1 x 108 Pa, wobei der Gruppe III haltigen Metallschmelze ein Lösungsmittelzusatz, der zumindest ein Element der folgenden Elemente C, Si, Ge, Fe, und / oder zumindest ein Element der seltenen Erden oder eine Legierung oder eine Verbindung dieser Elemente, insbesondere ihrer Nitride zugegeben wird.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于提高III - 金属基团转化为III族氮化物基团的组中的在氮气下的熔融金属入口的含III-III含有熔化金属，在温度= 1100℃，并在压力下 小于1×108帕，其中该组金属熔融，添加溶剂，含有III-以下元素C，硅，锗，铁，中的至少一种元素和/或至少一种稀土元素或者其合金或这些元素的化合物，特别是它们 氮化物被添加。

公开(公告)号：WO2011157382A1

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：PCT/EP2011/002858

申请日：2011-06-10

Applicant: CENTROTHERM SITEC GMBH ,  HUSSY, Stephan ,  HOESS, Christian

Inventor： HUSSY, Stephan ,  HOESS, Christian

IPC: C03B11/00 ,  C30B11/04 ,  C30B29/06

CPC classification number: F27B14/04 ,  C01B33/021 ,  C30B11/002 ,  C30B11/003 ,  C30B11/04 ,  C30B29/06

Abstract: Die Anmeldung beschreibt eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen eines polykristallinen Siliziumblocks, in einem in einer Prozesskammer angeordneten Schmelztiegel, der mit Siliziummaterial befüllt ist. Das Siliziummaterial wird im Schmelztiegel aufgeschmolzen um eine Siliziumschmelze zu bilden und wird anschließend unter die Erstarrungstemperatur des Siliziums abgekühlt. Während eines Abschnitts des Prozesses kann ein in der Prozesskammer befindliches, eine Durchgangsöffnung aufweisendes Plattenelement über der Siliziumschmelze angeordnet sein/werden und im Schmelztiegel unter die Erstarrungstemperatur der Siliziumschmelze; und eine Gasströmung wenigstens teilweise über die wenigstens eine Durchgangsöffnung in dem Plattenelement auf die Oberfläche der Siliziumschmelze gerichtet werden. Alternativ sind ein Verfahren und eine Schmelztiegelanordnung bestehend aus einem Schmelztiegel und einem Haltering beschrieben. Der Haltering kann auf oder oberhalb eines mit Siliziummaterial befüllten Schmelztiegel platziert werden, sodass zusätzliches Siliziummaterial derart in dem Haltering aufgenommen werden kann, dass das zusätzliche Siliziummaterial durch den Haltering oberhalb des Schmelztiegels gehalten wird. Beim Aufheizen des Siliziummaterials im Schmelztiegel und des zusätzlichen Siliziummaterials im Haltering wird eine Siliziumschmelze im Schmelztiegel gebildet die anschließend unter die Erstarrungstemperatur des Siliziums abgekühlt werden kann.

Abstract translation: 该申请描述了一种装置和用于生产多晶硅锭，在设置于该坩埚，其填充有硅材料的处理腔室的气缸的方法。 硅材料在坩埚中熔化到硅熔体中，以形成并随后冷却至低于硅的固化温度。 在该过程的一部分可以在处理室中的玩具可以是位于硅熔体之上的通孔参展板构件/是在坩埚和下面的硅熔体的凝固温度; 和气体流至少部分地由通道开口在板构件上的至少所述硅熔体的表面被引导。 可替代地，一种方法和一种坩埚组件被描述，由坩埚和一个保持环。 保持环可以被放置在或高于填充有硅材料的坩埚，使得额外的硅材料可以在保持环内被接收，该额外的硅材料通过坩埚上方的保持环保持。 期间在所述坩埚和在所述保持环的额外的硅材料中的硅材料的加热，形成在其然后可以低于硅的固化温度冷却所述坩埚的硅熔体。

公开(公告)号：WO2009052770A1

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：PCT/DE2007/001902

申请日：2007-10-23

Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. ,  HUSSY, Stephan ,  FRIEDRICH, Jochen

Inventor： HUSSY, Stephan ,  FRIEDRICH, Jochen

IPC: C30B9/10 ,  C30B29/40 ,  C30B29/44

CPC classification number: C30B9/10 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B29/44

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Einkristallen oder einkristallinen Schichten mittels Lösungs Züchtung, bei dem Stoffe für die Bildung der Einkristalle oder einkristallinen Schichten in eine Lösung (3) einer bestimmten Dichte eingebracht und durch Übersättigung der Lösung (3) an einem Keim oder einem Substrat (4) kontrolliert abgeschieden werden. Bei einer Anordnung des Keims oder Substrats (4) bei der Lösungszüchtung in einem unteren Bereich des von der Lösung (3) eingenommenen Volumens wird die Dichte der Lösung (3) durch Zugabe zumindest eines die Dichte der Lösung (3) erhöhenden Zusatzstoffes so eingestellt, dass während der Lösungszüchtung in der Lösung (3) vorhandene oder entstehende Partikel in der Lösung (3) aufsteigen. Durch diese Maßnahme wird die Einlagerung dieser Partikel, bspw. von Kristalliten des eingesetzten Materials, in die Schicht oder den Kristall verhindert, so dass diese Partikel keine Makrodefekte in der Schicht oder dem Kristall verursachen können.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于生产单晶或通过溶液生长单晶硅层，其中，对于在溶液中单晶或单晶层的形成材料（3）引入的溶液（3）的一定的密度和过饱和上的种子或 被沉积的控制基板（4）。 在一种布置中，种子或衬底（4）通过将溶液（3）的密度的至少一个占据溶液生长在溶液（3）的体积，将溶液（3）的密度的下部被设置增强添加剂例如 在溶液（3）现有的或产生的颗粒在溶液（3）溶液生长过程中上升。 通过这一措施，这些粒子的掺入，例如，所使用的材料的晶粒的，在该层或晶体防止，使得这些颗粒不能导致层或晶体宏观缺陷。

公开(公告)号：WO2006037310A1

公开(公告)日：2006-04-13

申请号：PCT/DE2005/001771

申请日：2005-10-04

Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. ,  FRIEDRICH, Jochen ,  MÜLLER, Georg ,  APELT, Rainer ,  MEISSNER, Elke ,  BIRKMANN, Bernhard ,  HUSSY, Stephan

Inventor： FRIEDRICH, Jochen ,  MÜLLER, Georg ,  APELT, Rainer ,  MEISSNER, Elke ,  BIRKMANN, Bernhard ,  HUSSY, Stephan

IPC: C30B29/40 ,  C30B19/02 ,  C30B17/00 ,  C30B9/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B17/00 ,  C30B19/02

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Kristallschichten oder Volumenkristallen aus Gruppe- III-Nitrid oder aus Mischungen verschiedener Gruppe- III-Nitride durch Abscheidung aus einer Gruppe-III-haltigen Metallschmelze bei einer ersten Temperatur in einem ersten Temperaturbereich, auf einem in die Metallschmelze eingebrachten Gruppe- III-Nitrid-Kristallkeim oder auf einem Fremdsubstrat, mit einem Stickstoffeintrag in die Metallschmelze bei einem Druck P. Bei dem Verfahren wird der Metallschmelze ein Lösungsmittelzusatz, der den Umsatz von Gruppe III Metall zu Gruppe- III-Nitrid in der Metallschmelze erhöht, zugegeben. Die Metallschmelze durchläuft zumindest einen Temperaturzyklus mit einer ersten und einer zweiten Prozessphase, in dem die Metallschmelze am Ende der ersten Prozessphase von der ersten Temperatur auf eine zweite Temperatur unterhalb des ersten Temperaturbereiches gekühlt und am Ende der zweiten Prozessphase von der zweiten Temperatur wieder auf eine Temperatur innerhalb des ersten Temperaturbereiches erwärmt wird. Mit dem angegebenen Verfahren lassen sich Gruppe III-Nitrid-Kristallschichten mit Dicken > 10 µm bzw. Massivkristalle mit einem Durchmesser > 10 mm bei Versetzungsdichten von 8 cm -2 bei Temperaturen unter 1100°C und Prozessdrücken unter 5 x 10 5 Pa herstellen.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于生产液晶层或III族氮化物的或从组不同组III族氮化物通过沉积的混合物的块状晶体III含在第一温度范围内的第一温度的熔融金属，以一个在 熔融金属引入基团 - 或III族氮化物晶种异质衬底，在氮气进入金属在该方法的压力P.熔化，熔融金属是，另外的溶剂，从组金属三组销售III族氮化物中的金属熔液 增加补充说。 熔融金属通过至少一个温度循环与第一和第二过程阶段，其中所述熔融金属在从所述第一温度的所述第一处理阶段结束低于第一温度范围和在第二处理阶段的从第二温度结束回的温度冷却到第二温度 在第一温度范围内加热。 利用上述方法，用厚度> 10微米或固体晶体直径> 10毫米的<10的位错密度空白III族氮化物晶体层

公开(公告)号：WO2011157381A1

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：PCT/EP2011/002857

申请日：2011-06-10

Applicant: CENTROTHERM SITEC GMBH ,  HUSSY, Stephan ,  PROKOPENKO, Oleksandr ,  KLOOS, Ralf ,  HOESS, Christian

Inventor： HUSSY, Stephan ,  PROKOPENKO, Oleksandr ,  KLOOS, Ralf ,  HOESS, Christian

IPC: C30B11/00 ,  F27D99/00

CPC classification number: C01B33/021 ,  C30B11/003 ,  C30B29/06 ,  F27B14/04 ,  F27B14/06 ,  F27B14/20 ,  F27D99/0006

Abstract: The present application describes a process and apparatus for producing polycrystalline silicon ingots. During the process, a crucible is arranged in a process chamber, wherein the crucible is filled with solid silicon material or is being filled with silicon material in the process chamber. The crucible is located with respect to at least one diagonal heater in such a way that the diagonal heater is located laterally offset to and generally above the silicon ingot to be produced. Thereafter, the solid silicon material in the crucible is heated above the melting temperature of the silicon material in order to form molten silicon in the crucible, and thereafter, the silicon material in the crucible is cooled down below the solidification temperature of the molten silicon, therein a temperature profile in the silicon material during the cooling phase is controlled at least partially via the at least one diagonal heater. The apparatus comprises a process chamber, a crucible holder inside the process chamber, and at least one diagonal heater in the process chamber. The diagonal heater is located laterally with respect to the crucible holder and extends generally perpendicular thereto and is spaced from the crucible holder in a vertical direction at such a distance that the diagonal heater is located generally above a polycrystalline silicon ingot to be formed in the crucible. The diagonal heater is stationary with respect to the crucible holder when the process chamber is closed.

Abstract translation: 本申请描述了用于生产多晶硅锭的方法和装置。 在该过程中，将坩埚布置在处理室中，其中坩埚中填充有固体硅材料，或者在处理室中填充硅材料。 坩埚相对于至少一个对角加热器定位成使得对角加热器位于横向偏移并且大体上位于待生产的硅锭的上方。 此后，将坩埚中的固体硅材料加热到高于硅材料的熔融温度，以便在坩埚中形成熔融硅，此后将坩埚中的硅材料冷却至低于熔融硅的凝固温度， 其中在冷却阶段期间，硅材料中的温度分布至少部分地通过至少一个对角加热器被控制。 该设备包括处理室，处理室内的坩埚保持器和处理室中的至少一个对角加热器。 对角加热器相对于坩埚保持器横向定位并且大致垂直于其延伸并且在垂直方向上与坩埚保持器间隔开，使得对角加热器通常位于要形成在坩埚中的多晶硅锭的上方 。 当处理室关闭时，对角加热器相对于坩埚保持器是静止的。

公开(公告)号：WO2006037311A3

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：PCT/DE2005001772

申请日：2005-10-04

Applicant: FRAUNHOFER GES FORSCHUNG ,  FRIEDRICH JOCHEN ,  MUELLER GEORG ,  MEISSNER ELKE ,  BIRKMANN BERNHARD ,  HUSSY STEPHAN

Inventor： FRIEDRICH JOCHEN ,  MUELLER GEORG ,  MEISSNER ELKE ,  BIRKMANN BERNHARD ,  HUSSY STEPHAN

IPC: C01B21/06 ,  C01B21/072 ,  C30B29/40

CPC classification number: C01B21/0632 ,  C01B21/0722 ,  C30B17/00 ,  C30B19/106 ,  C30B29/403

Abstract: The invention relates to a method for increasing the conversion of group III metals to group III nitrides in a fused metal containing group III elements with introduction of nitrogen into the fused metal containing group III elements at temperatures = 1100 °C and pressures below 1 x 108 Pa, whereby a solvent adjunct is added to the fused metal containing group III elements, which is at least one element of the following elements C, Si, Ge, Fe, and/or at least one element of the rare earths, or an alloy or a compound of said elements in particular, the nitride thereof.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于提高III - 金属基团转化为III族氮化物基团的组中的在氮气下的熔融金属入口的含III-III含有熔化金属，在温度= 1100℃，并在压力下 小于1×108帕，其中该组金属熔融，添加溶剂，含有III-以下元素C，硅，锗，铁，中的至少一种元素和/或至少一种稀土元素或者其合金或这些元素的化合物，特别是它们 氮化物被添加。