一种立式振动真空炉
    1.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2018129666A1

    公开(公告)日:2018-07-19

    申请号:PCT/CN2017/070814

    申请日:2017-01-11

    Inventor: 周庆华

    Abstract: 一种立式振动真空炉,包括炉本体、炉盖机构、立式激振装置、加热装置、结晶器和抽真空机组;炉本体固定在立式激振装置之上,炉盖机构固定在炉本体的上端,结晶器位于炉盖机构的上面,将结晶器固定使其不随炉本体的振动而振动;结晶器可拆卸的与抽真空机组相连通,加热装置用于对炉本体内的物料加热;炉本体由内到外依次包括内衬坩埚(11)、缓冲隔热垫(12)和炉壳(13),内衬坩埚(11)在顶部设有开口,炉盖机构包括随动盖板(21)、对接板(22)、导升筒(23)和柔性套(24);结晶器在底口部位可拆卸的密封连接在对接板(22)上,结晶器通过导升筒(23)与炉本体连通。该立式振动真空炉采用振动的方式来对物料进行翻滚焙烧,便于提高焙烧的传热传质效果、减少料层覆盖对挥发过程的不利影响;并对炉本体与结晶器进行分体设计,便于挥发物的转移和凝结。

    マイクロ波複合加熱炉
    2.
    发明申请
    マイクロ波複合加熱炉 审中-公开
    微波炉复合加热炉

    公开(公告)号:WO2016021173A1

    公开(公告)日:2016-02-11

    申请号:PCT/JP2015/003889

    申请日:2015-07-31

    Abstract: マイクロ波を用いた加熱によるマイクロ波効果を十分に奏するとともに、それぞれの加熱方法の特徴を生かした経済的な加熱を行うことができる加熱炉を提供することを課題とし、提供されるマイクロ波複合加熱炉1は、筺体10と、被加熱物を収納し、加熱するための加熱容器11と、加熱容器11を外部から加熱する加熱手段12と、マイクロ波照射装置13と、加熱容器11内に被加熱物を供給する被加熱物供給装置14と、加熱容器11内にガスを導入するためのガス導入手段15と、被加熱物を加熱処理したときに発 生するガスを回収するガス回収手段16と、を備えている。加熱容器11は、導電性が高くマイクロ波を反射して内部に閉じ込めるとともに、耐熱性が高く、被加熱物と反応しない材料からなり、加熱容器の外壁を介さずに内部に照射されたマイクロ波を閉じ込め、電磁界密度を向上させることができる。

    Abstract translation: 本发明解决了提供充分发挥微波加热产生的微波效应的加热炉的问题,并且可以利用各加热方法的特点进行经济的加热。 所提供的微波复合加热炉(1)配备有:壳体(10); 用于容纳和加热待加热物体的加热容器(11) 用于从外部加热加热容器(11)的加热装置(12) 微波照射装置(13); 被加热物体供给装置(14),其将被加热物供给到加热容器(11)的内部; 用于将气体引入加热容器(11)中的气体引入装置(15); 以及用于回收加热待加热物体时产生的气体的气体回收装置(16)。 加热容器(11)包括具有高导电性以反射微波并将微波限制在内部并且具有高耐热性以使其不与加热物体发生反应的材料,从而将照射到加热容器(11)中的微波 )不通过加热容器的外壁,并且允许提高电磁场密度。

    REACTION CONTAINER AND VACUUM HEAT TREATMENT APPARATUS HAVING THE SAME
    4.
    发明申请
    REACTION CONTAINER AND VACUUM HEAT TREATMENT APPARATUS HAVING THE SAME 审中-公开
    反应容器和具有相同的真空热处理装置

    公开(公告)号:WO2013032301A3

    公开(公告)日:2013-05-10

    申请号:PCT/KR2012007026

    申请日:2012-08-31

    Inventor: KIM BYUNG SOOK

    Abstract: A method of fabricating a reaction container according to the disclosure comprises putting graphite power in a molded member; and pressing the molded member, wherein the graphite powder comprises first graphite powder and second graphite powder having different particle sizes. A vacuum heat treatment apparatus comprises a chamber, a reaction container in the chamber, and a heat member heating the reaction container in the chamber, in which the reaction container comprises graphite, and the reaction container has a concentration in the range of 1.8 to 2.0.

    Abstract translation: 根据本公开的制造反应容器的方法包括:将石墨粉末放入模制部件中; 并压制所述模制部件,其中所述石墨粉末包含具有不同粒径的第一石墨粉末和第二石墨粉末。 真空热处理装置包括腔室,腔室中的反应容器以及加热腔室中的反应容器的加热部件,其中反应容器包含石墨,反应容器的浓度范围为1.8-2.0 。

    PROCESS AND APPARATUS FOR MANUFACTURING POLYCRYSTALLINE SILICON INGOTS
    6.
    发明申请
    PROCESS AND APPARATUS FOR MANUFACTURING POLYCRYSTALLINE SILICON INGOTS 审中-公开
    制造多晶硅硅素体的工艺和装置

    公开(公告)号:WO2011157381A1

    公开(公告)日:2011-12-22

    申请号:PCT/EP2011/002857

    申请日:2011-06-10

    Abstract: The present application describes a process and apparatus for producing polycrystalline silicon ingots. During the process, a crucible is arranged in a process chamber, wherein the crucible is filled with solid silicon material or is being filled with silicon material in the process chamber. The crucible is located with respect to at least one diagonal heater in such a way that the diagonal heater is located laterally offset to and generally above the silicon ingot to be produced. Thereafter, the solid silicon material in the crucible is heated above the melting temperature of the silicon material in order to form molten silicon in the crucible, and thereafter, the silicon material in the crucible is cooled down below the solidification temperature of the molten silicon, therein a temperature profile in the silicon material during the cooling phase is controlled at least partially via the at least one diagonal heater. The apparatus comprises a process chamber, a crucible holder inside the process chamber, and at least one diagonal heater in the process chamber. The diagonal heater is located laterally with respect to the crucible holder and extends generally perpendicular thereto and is spaced from the crucible holder in a vertical direction at such a distance that the diagonal heater is located generally above a polycrystalline silicon ingot to be formed in the crucible. The diagonal heater is stationary with respect to the crucible holder when the process chamber is closed.

    Abstract translation: 本申请描述了用于生产多晶硅锭的方法和装置。 在该过程中,将坩埚布置在处理室中,其中坩埚中填充有固体硅材料,或者在处理室中填充硅材料。 坩埚相对于至少一个对角加热器定位成使得对角加热器位于横向偏移并且大体上位于待生产的硅锭的上方。 此后,将坩埚中的固体硅材料加热到高于硅材料的熔融温度,以便在坩埚中形成熔融硅,此后将坩埚中的硅材料冷却至低于熔融硅的凝固温度, 其中在冷却阶段期间,硅材料中的温度分布至少部分地通过至少一个对角加热器被控制。 该设备包括处理室,处理室内的坩埚保持器和处理室中的至少一个对角加热器。 对角加热器相对于坩埚保持器横向定位并且大致垂直于其延伸并且在垂直方向上与坩埚保持器间隔开,使得对角加热器通常位于要形成在坩埚中的多晶硅锭的上方 。 当处理室关闭时,对角加热器相对于坩埚保持器是静止的。

    УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОДНОВРЕМЕННОГО ПОЛУЧЕНИЯ ТУГОПЛАВКИХ, МЕТАЛЛИЧЕСКИХ И НЕМЕТАЛЛИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ И ВОЗГОНОВ

    公开(公告)号:WO2011093741A1

    公开(公告)日:2011-08-04

    申请号:PCT/RU2010/000650

    申请日:2010-11-02

    CPC classification number: C22B9/226 C22B4/005 C22B4/08 F27B14/04

    Abstract: Изобретение относится к получению тугоплавких, металлических и неметаллических материалов и возгонов. Устройство содержит реактор-сепаратор, боковые питатели с каналами, гранулятор и теплообменные устройства первой, второй и третьей стадии. Реактор-сепаратор выполнен в виде цилиндрической камеры со стержневым полым электродом с теплообменными элементами, каналом для эвакуации отходящих газов и возгонов и электромагнитной катушкой. Теплообменное устройство первой стадии выполнено в виде барабанного смесителя для одновременной сушки и нагрева сырьевой шихты до температуры выше 100°С горячим клинкером, поступающим с гранулятора. Теплообменное устройство второй стадии имеет полый корпус, охватывающий цилиндрическую камеру реактора. Теплообменное устройство третьей стадии выполнено в виде плазмотрона-термодекарбонизатора. Технический результат заключается в исключении потерь тепла в окружающую среду, максимальном использовании энергии экзотермических реакций, минимальном потреблении энергоресурсов, необходимых для клинкерообразования, значительном повышении производительности реактора и качества цементных клинкеров.

    Abstract translation: 本发明涉及生产高熔点金属和非金属材料和升华物。 该装置包括反应器分离器,具有通道的侧浇口,造粒机和第一级,第二级和第三级的热交换装置。 反应器分离器是具有中空棒电极的圆柱形腔体的形式,其具有热交换元件,用于排出废气和升华物的通道以及电磁线圈。 第一阶段的热交换装置是鼓式混合器的形式,用于使用从造粒机进入的热熟料同时干燥和加热原料装料到大于100℃的温度。 第二级的热交换装置具有围绕反应器的圆筒室的中空壳体。 第三级的热交换装置是等离子体和热煅烧炉的形式。 技术结果是消除辐射损失,最大限度地利用放热反应中的能量,最大限度地减少熟料生成所需能源的使用,并显着提高反应器的生产率和水泥熟料的质量。

    Fe-Ga基合金単結晶の育成方法及び育成装置
    10.
    发明申请
    Fe-Ga基合金単結晶の育成方法及び育成装置 审中-公开
    用于生长Fe-Ga基合金单晶的方法和装置

    公开(公告)号:WO2016010039A1

    公开(公告)日:2016-01-21

    申请号:PCT/JP2015/070165

    申请日:2015-07-14

    Abstract:  本発明は、大型の結晶を、化学組成、結晶方位を精度よく、しかも、廉価に製造することができるFe-Ga基合金単結晶の育成方法及び単結晶を提供することを目的とする。 本発明のFe-Ga基合金単結晶の育成方法は、ルツボを、外側ルツボと、該外側ルツボ内に配置された内側ルツボとからなる二重ルツボとし、前記外側ルツボの外側に配置した加熱源により加熱を行い、前記内側ルツボ内の原料融液に種結晶を接触させた後に、前記種結晶を引き上げて単結晶を育成させることを特徴とする。

    Abstract translation: 本发明的目的是提供一种生长Fe-Ga系合金单晶的方法,由此可以以低成本制造具有高精度化学成分和高精度晶体取向的大晶体; 和单晶。 根据本发明的用于生长Fe-Ga基合金单晶的方法的特征在于,使用的坩埚是由外坩埚和布置在外坩埚中的内坩埚构成的双坩埚,通过 在外坩埚外部设置加热源的装置,通过使籽晶与内坩埚中的原料熔融物接触,然后拉起晶种,生长单晶。

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