公开(公告)号：WO2012048905A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：PCT/EP2011/005210

申请日：2011-10-17

Applicant: CENTROTHERM SITEC GMBH ,  HUSSY, Stephan ,  PROKOPENKO, Oleksandr ,  HOESS, Christian

Inventor： HUSSY, Stephan ,  PROKOPENKO, Oleksandr ,  HOESS, Christian

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B11/002 ,  C30B11/003 ,  C30B29/06

Abstract: A crucible for silicon is disclosed, comprising a bottom and at least eight outer side wall sections, which confine a receiving space having an octagonal cross-section. Furthermore, a crucible arrangement for silicon is disclosed, which comprises the above described crucible and an inner side wall element centered with respect to the receiving space, such as to form an annular space, together with the outer side wall sections. Additionally, an optional partition unit for a crucible for silicon is also de- scribed, wherein the partition unit comprises at least one partition element fitted to the shape of the receiving space/annular space, in order to separate the receiving space/annular space into at least two compartments.

Abstract translation: 公开了一种用于硅的坩埚，其包括底部和至少八个外侧壁部分，其限制具有八边形横截面的容纳空间。 此外，公开了一种用于硅的坩埚装置，其包括上述坩埚和相对于容纳空间居中的内侧壁元件，以及与外侧壁部分一起形成环形空间。 此外，还描述了用于硅的坩埚的可选分隔单元，其中分隔单元包括装配到接收空间/环形空间的形状的至少一个分隔元件，以便将接收空间/环形空间分离成 至少两个隔间。

公开(公告)号：WO2011157382A1

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：PCT/EP2011/002858

申请日：2011-06-10

Applicant: CENTROTHERM SITEC GMBH ,  HUSSY, Stephan ,  HOESS, Christian

Inventor： HUSSY, Stephan ,  HOESS, Christian

IPC: C03B11/00 ,  C30B11/04 ,  C30B29/06

CPC classification number: F27B14/04 ,  C01B33/021 ,  C30B11/002 ,  C30B11/003 ,  C30B11/04 ,  C30B29/06

Abstract: Die Anmeldung beschreibt eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen eines polykristallinen Siliziumblocks, in einem in einer Prozesskammer angeordneten Schmelztiegel, der mit Siliziummaterial befüllt ist. Das Siliziummaterial wird im Schmelztiegel aufgeschmolzen um eine Siliziumschmelze zu bilden und wird anschließend unter die Erstarrungstemperatur des Siliziums abgekühlt. Während eines Abschnitts des Prozesses kann ein in der Prozesskammer befindliches, eine Durchgangsöffnung aufweisendes Plattenelement über der Siliziumschmelze angeordnet sein/werden und im Schmelztiegel unter die Erstarrungstemperatur der Siliziumschmelze; und eine Gasströmung wenigstens teilweise über die wenigstens eine Durchgangsöffnung in dem Plattenelement auf die Oberfläche der Siliziumschmelze gerichtet werden. Alternativ sind ein Verfahren und eine Schmelztiegelanordnung bestehend aus einem Schmelztiegel und einem Haltering beschrieben. Der Haltering kann auf oder oberhalb eines mit Siliziummaterial befüllten Schmelztiegel platziert werden, sodass zusätzliches Siliziummaterial derart in dem Haltering aufgenommen werden kann, dass das zusätzliche Siliziummaterial durch den Haltering oberhalb des Schmelztiegels gehalten wird. Beim Aufheizen des Siliziummaterials im Schmelztiegel und des zusätzlichen Siliziummaterials im Haltering wird eine Siliziumschmelze im Schmelztiegel gebildet die anschließend unter die Erstarrungstemperatur des Siliziums abgekühlt werden kann.

Abstract translation: 该申请描述了一种装置和用于生产多晶硅锭，在设置于该坩埚，其填充有硅材料的处理腔室的气缸的方法。 硅材料在坩埚中熔化到硅熔体中，以形成并随后冷却至低于硅的固化温度。 在该过程的一部分可以在处理室中的玩具可以是位于硅熔体之上的通孔参展板构件/是在坩埚和下面的硅熔体的凝固温度; 和气体流至少部分地由通道开口在板构件上的至少所述硅熔体的表面被引导。 可替代地，一种方法和一种坩埚组件被描述，由坩埚和一个保持环。 保持环可以被放置在或高于填充有硅材料的坩埚，使得额外的硅材料可以在保持环内被接收，该额外的硅材料通过坩埚上方的保持环保持。 期间在所述坩埚和在所述保持环的额外的硅材料中的硅材料的加热，形成在其然后可以低于硅的固化温度冷却所述坩埚的硅熔体。

公开(公告)号：WO2011157381A1

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：PCT/EP2011/002857

申请日：2011-06-10

Applicant: CENTROTHERM SITEC GMBH ,  HUSSY, Stephan ,  PROKOPENKO, Oleksandr ,  KLOOS, Ralf ,  HOESS, Christian

Inventor： HUSSY, Stephan ,  PROKOPENKO, Oleksandr ,  KLOOS, Ralf ,  HOESS, Christian

IPC: C30B11/00 ,  F27D99/00

CPC classification number: C01B33/021 ,  C30B11/003 ,  C30B29/06 ,  F27B14/04 ,  F27B14/06 ,  F27B14/20 ,  F27D99/0006

Abstract: The present application describes a process and apparatus for producing polycrystalline silicon ingots. During the process, a crucible is arranged in a process chamber, wherein the crucible is filled with solid silicon material or is being filled with silicon material in the process chamber. The crucible is located with respect to at least one diagonal heater in such a way that the diagonal heater is located laterally offset to and generally above the silicon ingot to be produced. Thereafter, the solid silicon material in the crucible is heated above the melting temperature of the silicon material in order to form molten silicon in the crucible, and thereafter, the silicon material in the crucible is cooled down below the solidification temperature of the molten silicon, therein a temperature profile in the silicon material during the cooling phase is controlled at least partially via the at least one diagonal heater. The apparatus comprises a process chamber, a crucible holder inside the process chamber, and at least one diagonal heater in the process chamber. The diagonal heater is located laterally with respect to the crucible holder and extends generally perpendicular thereto and is spaced from the crucible holder in a vertical direction at such a distance that the diagonal heater is located generally above a polycrystalline silicon ingot to be formed in the crucible. The diagonal heater is stationary with respect to the crucible holder when the process chamber is closed.

Abstract translation: 本申请描述了用于生产多晶硅锭的方法和装置。 在该过程中，将坩埚布置在处理室中，其中坩埚中填充有固体硅材料，或者在处理室中填充硅材料。 坩埚相对于至少一个对角加热器定位成使得对角加热器位于横向偏移并且大体上位于待生产的硅锭的上方。 此后，将坩埚中的固体硅材料加热到高于硅材料的熔融温度，以便在坩埚中形成熔融硅，此后将坩埚中的硅材料冷却至低于熔融硅的凝固温度， 其中在冷却阶段期间，硅材料中的温度分布至少部分地通过至少一个对角加热器被控制。 该设备包括处理室，处理室内的坩埚保持器和处理室中的至少一个对角加热器。 对角加热器相对于坩埚保持器横向定位并且大致垂直于其延伸并且在垂直方向上与坩埚保持器间隔开，使得对角加热器通常位于要形成在坩埚中的多晶硅锭的上方 。 当处理室关闭时，对角加热器相对于坩埚保持器是静止的。

公开(公告)号：WO2007071413A1

公开(公告)日：2007-06-28

申请号：PCT/EP2006/012350

申请日：2006-12-20

Applicant: CARL ZEISS LASER OPTICS GMBH ,  SHKLOVER, Vitaliy ,  MUENZ, Holger ,  LE MAIRE, Michel ,  HOESS, Christian

Inventor： SHKLOVER, Vitaliy ,  MUENZ, Holger ,  LE MAIRE, Michel ,  HOESS, Christian

IPC: H01S3/00 ,  G02B27/09

CPC classification number: G02B27/0927 ,  B23K26/032 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0652 ,  G02B27/0972 ,  G02B27/0977

Abstract: An optical system for shaping an incoming beam having a divergence with an angular distribution at least in a first direction comprises at least one angle selective optical element (26,28) for clipping the angular distribution in the at least first direction. The approach according to the present invention bases on using an angle-selective device (25,32) operated by the principle of total internal reflection to reduce divergence of the incoming beam, in contrast to a spatially-selective device as for example a field-stop or slit. The method according to the present invention has the advantage that no physical sharp edges have to be exposed at high energy densities. Thus, thermal impact and demands on the optical elements to withstand a high power laser beam are significantly reduced.

Abstract translation: 用于使具有至少在第一方向上具有角度分布的发散的进入光束成形的光学系统包括用于限制至少第一方向上的角度分布的至少一个角度选择光学元件（26,28）。 根据本发明的方法基于使用由全内反射原理操作的角度选择装置（25,32），以减少入射光束的发散，与空间选择装置相反，例如场 - 停止或切开 根据本发明的方法的优点在于，不能以高的能量密度暴露出物理的锋利边缘。 因此，热冲击和对承受高功率激光束的光学元件的要求显着降低。