公开(公告)号：WO2011098866A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：PCT/IB2010/050676

申请日：2010-02-15

Applicant: X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG ,  TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED ,  LERNER, Ralf ,  HOWER, Phil ,  KITTLER, Gabriel ,  SCHOTTMANN, Klaus

Inventor： LERNER, Ralf ,  HOWER, Phil ,  KITTLER, Gabriel ,  SCHOTTMANN, Klaus

IPC: H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66666

Abstract: A depletion type DMOS transistor comprises a gap in electrode material allowing incorporation of a well dopant species into the underlying semiconductor material. During subsequent dopant diffusion a continuous well region is obtained having an extended lateral extension without having an increased depth. The source dopant species is implanted after masking the gap. Additional channel implantation is performed prior to forming the gate dielectric material.

Abstract translation: 耗尽型DMOS晶体管包括电极材料中的间隙，允许将阱掺杂剂物质结合到下面的半导体材料中。 在随后的掺杂剂扩散期间，获得具有延伸的横向延伸而不增加深度的连续井区。 在掩盖间隙之后植入源掺杂剂物质。 在形成栅极电介质材料之前执行附加沟道注入。

公开(公告)号：WO2011051500A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：PCT/EP2010/066656

申请日：2010-11-02

Applicant: X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG ,  KITTLER, Gabriel ,  LERNER, Ralf

Inventor： KITTLER, Gabriel ,  LERNER, Ralf

IPC: H01L21/8258 ,  H01L27/06 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/8258 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/1203

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung von Siliziumhalbleiterscheiben mit Schichtstrukturen von III-V-Halbleiterschichten zur Integration von auf III-V-Halbleiterschichten basierenden HEMTs mit Silizium-Bauelementen beschrieben. SOI-Silizium-Halbleiterscheiben werden eingesetzt, auf deren aktiven Halbleiterschicht die III-V-Halbleiterschichten (24) des HEMT-Aufbaus (2) über zwei voneinander isolierte Bereiche (24a, 24b) der aktiven Siliziumschicht reichend platziert werden. Eine entsprechende Schichtanordnung ist ebenfalls offenbart.

Abstract translation: 提供了一种用于制造具有III-V族半导体层的多层结构为一体基于III-V半导体层的HEMT的与所描述的硅成分的硅半导体晶片的方法。 SOI硅晶片中使用的，有源半导体层上，通过两个相互绝缘的区域中的HEMT结构（2）的III-V族半导体层（24）（24A，24B）被放置在有源硅层达到。 相应层排列也被公开。

公开(公告)号：WO2011051499A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：PCT/EP2010/066642

申请日：2010-11-02

Applicant: X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG ,  KITTLER, Gabriel ,  LERNER, Ralf

Inventor： KITTLER, Gabriel ,  LERNER, Ralf

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02538 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/76283

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung von Siliziumhalbleiterscheiben und Bauelementen mit Schichtstrukturen von Ill-V-Schichten zur Integration von IIl-V Halbleiterbauelementen beschrieben. Es werden SOI-Silizium-Halbleiterscheiben mit unterschiedlicher Substratorientierung eingesetzt, und die III-V-Halbleiterschichten werden in durch Ätzen erzeugten Gruben (28, 43, 70) innerhalb von bestimmten, elektrisch voneinander isolierten Bereichen (38, 39) der aktiven Halbleiterschicht (24, 42) mittels Abdeckschicht(en) (29) unter Einsatz von MOCVD-Verfahren erzeugt.

Abstract translation: 提供了一种用于制造硅晶片和具有用于集成所述的IIL-V族半导体器件的III-V层的层结构的器件的方法。 SOI硅晶片与不同的基片的取向使用，并且III-V族半导体层是通过蚀刻有源半导体层的某些电隔离区中的凹坑（28，43，70）（38,39）中产生（24 采用MOCVD法，42）（通过覆盖S的装置）中产生（29）。

公开(公告)号：WO2008152071A1

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：PCT/EP2008/057326

申请日：2008-06-11

Applicant: METTLER-TOLEDO AG ,  AMBACHER, Oliver ,  KITTLER, Gabriel ,  EHRISMANN, Philippe ,  GEITZ, Clemens ,  MÖBIUS, André ,  DEMUTH, Caspar ,  LÜBBERS, Benedikt ,  CIMALLA, Irina

Inventor： AMBACHER, Oliver ,  KITTLER, Gabriel ,  EHRISMANN, Philippe ,  GEITZ, Clemens ,  MÖBIUS, André ,  DEMUTH, Caspar ,  LÜBBERS, Benedikt ,  CIMALLA, Irina

IPC: G01N27/414

CPC classification number: G01N27/414 ,  H01L27/15

Abstract: Ein ionensensitiver Halbleitersensor zur Bestimmung von in einem fluiden Medium gelösten Analyten weist eine Halbleiterstruktur mit wenigstens einem darin integrierten Transistor auf. Der Transistor weist einen zwischen einem ersten und einem zweiten Anschluss (7, 8) liegenden Elektronenkanal (2DEG) auf, der im Grenzbereich einer ersten und einer zweiten Halbleiterschicht (4, 5) vorgesehen ist und dessen Leitfähigkeit durch das Potential von Ladungen steuerbar, die einer an die zweite Halbleiterschicht (5) angrenzenden dritten Halbleiterschicht (6) zuführbar sind. Erfindungsgemäss bestehen wenigstens die erste und zweite Halbleiterschicht (4, 5) der Halbleiterstruktur aus Material von Gruppe-Ill-Nitriden, in das zumindest partiell Atome eines Halbleiterelements der Gruppe-IV, beispielsweise Siliziumatome, eingelagert sind, wodurch die Strahlungsempfindlichkeit des Sensors reduziert wird.

Abstract translation: 用于溶解的分析物在流体介质中的确定的离子敏感的半导体传感器包括具有至少一个集成在其中的晶体管的半导体结构。 该晶体管具有一个第一和第二端子之间（7,8）位于电子通道（2DEG），该（5,4）在第一和第二半导体层，其导电性通过的电荷的电势控制的边框区域中设置 一个第二半导体层（5）上邻近所述第三半导体层（6）可以被供给。 根据本发明，由至少第一和第二半导体层的（4,5）组III族氮化物的材料的半导体结构，其中所嵌入的IV族的半导体元件的至少部分地原子如硅原子，由此，传感器的辐射灵敏度降低的。