公开(公告)号：WO2016180445A1

公开(公告)日：2016-11-17

申请号：PCT/EP2015/060230

申请日：2015-05-08

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC. ,  SEVERIN, Daniel ,  HANIKA, Markus ,  HSU, Arthur D. ,  TSAI, Pipi ,  KIM, Kyung Bong ,  LIN, Wan-Yu

Inventor： SEVERIN, Daniel ,  HANIKA, Markus ,  HSU, Arthur D. ,  TSAI, Pipi ,  KIM, Kyung Bong ,  LIN, Wan-Yu

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/54 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/54

Abstract: A method of manufacturing a layer for a plurality of thin film transistors for display manufacturing and an apparatus therefore is described. The method includes sputtering a transparent conductive oxide layer from an indium oxide containing target in a processing gas atmosphere. The processing gas atmosphere (222) comprises water vapor, H 2 , and an inert gas, wherein the content of water vapor is from 1% to 10%, wherein the content of H 2 is from 2.2% to 20.0%, and wherein the content of inert gas is from 55.0% to 96.3 %. The apparatus (200) includes a vacuum chamber (210); one or more indium oxide containing targets (220a, 220b) within the vacuum chamber for sputtering a transparent conductive oxide layer; a gas distribution system (230) for providing a processing gas within the vacuum chamber; and a controller (240) connected to the gas distribution system and configured to execute a program code for conducting the method.

Abstract translation: 因此，制造用于显示制造的多个薄膜晶体管的层的方法和装置。 该方法包括在处理气体气氛中从含氧化铟的靶溅射透明导电氧化物层。 处理气体气氛（222）包括水蒸汽，H 2和惰性气体，其中水蒸气含量为1％至10％，其中H 2的含量为2.2％至20.0％，其中， 惰性气体为55.0％〜96.3％。 装置（200）包括真空室（210）; 一个或多个含氧化铟的靶（220a，220b），用于溅射透明导电氧化物层; 气体分配系统（230），用于在真空室内提供处理气体; 以及连接到所述气体分配系统并被配置为执行用于执行所述方法的程序代码的控制器（240）。

公开(公告)号：WO2018006944A1

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：PCT/EP2016/065826

申请日：2016-07-05

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC. ,  LIN, Wan-Yu ,  GRILLMAYER, Jürgen ,  TSAI, Pipi

Inventor： LIN, Wan-Yu ,  GRILLMAYER, Jürgen ,  TSAI, Pipi

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/18 ,  C23C14/00 ,  C23C14/35 ,  H01L51/52 ,  H01L33/40

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/0042 ,  C23C14/185 ,  C23C14/35 ,  H01L33/405 ,  H01L51/5218 ,  H01L2933/0016

Abstract: A method for forming a light emitting structure (500) on a substrate (501) is described. The method includes forming a first reflective electrode portion (400), forming an emitter layer (502) over the first reflective electrode portion and forming a second electrode portion (504) over the emitter layer. Forming the first reflective electrode portion (400) includes depositing a first transparent conductive metal oxide layer (401), a reflective metal layer (402) and a second transparent conductive metal oxide layer (403) in a process atmosphere including process gases. The method further includes setting the light absorption properties of the first reflective electrode portion (400) to a light absorption of less than 6% of the incident light by controlling the ratio of O2 content and H2 content of the process gas.

Abstract translation: 描述了用于在衬底（501）上形成发光结构（500）的方法。 该方法包括形成第一反射电极部分（400），在第一反射电极部分上形成发射极层（502），并在发射极层上形成第二电极部分（504）。 形成第一反射电极部分（400）包括在包括工艺气体的工艺气氛中沉积第一透明导电金属氧化物层（401），反射金属层（402）和第二透明导电金属氧化物层（403）。 该方法还包括通过控制处理气体的O 2含量和H 2含量的比率来将第一反射电极部分（400）的光吸收特性设置为小于入射光的6％的光吸收。

公开(公告)号：WO2016180448A1

公开(公告)日：2016-11-17

申请号：PCT/EP2015/060233

申请日：2015-05-08

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC. ,  SEVERIN, Daniel ,  KLÖPPEL, Andreas ,  HANIKA, Markus ,  TSAI, Pipi ,  LIN, Wan-Yu

Inventor： SEVERIN, Daniel ,  KLÖPPEL, Andreas ,  HANIKA, Markus ,  TSAI, Pipi ,  LIN, Wan-Yu

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/54 ,  C23C14/5873

Abstract: A method of manufacturing a layer for a plurality of thin film transistors for display manufacturing and an apparatus therefore is described. The method includes depositing (101) a layer stack onto a substrate by sputtering a first layer with a first set of processing parameters from an indium oxide containing target; sputtering a second set of processing parameters different from the first set of processing parameters onto the first layer from an indium oxide containing target a second layer with, and patterning (102) the layer stack by etching. The apparatus (200) includes a vacuum chamber (210); one or more indium oxide containing targets (220a, 220b) within the vacuum chamber for sputtering a transparent conductive oxide layer; a gas distribution system (230) for providing a processing gas within the vacuum chamber; and a controller (240) connected to the gas distribution system (230) and configured to execute a program code for conducting the method.

Abstract translation: 因此，制造用于显示制造的多个薄膜晶体管的层的方法和装置。 该方法包括通过用来自含氧化铟的目标物体的第一组处理参数溅射第一层而将层堆叠沉积（101）到衬底上; 将不同于第一组处理参数的第二组处理参数从含有氧化铟的靶溅射到第一层上的第二层，并通过蚀刻图案化（102）层叠层。 装置（200）包括真空室（210）; 一个或多个含氧化铟的靶（220a，220b），用于溅射透明导电氧化物层; 气体分配系统（230），用于在真空室内提供处理气体; 以及连接到气体分配系统（230）并被配置为执行用于执行该方法的程序代码的控制器（240）。