公开(公告)号：WO2016180448A1

公开(公告)日：2016-11-17

申请号：PCT/EP2015/060233

申请日：2015-05-08

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC. ,  SEVERIN, Daniel ,  KLÖPPEL, Andreas ,  HANIKA, Markus ,  TSAI, Pipi ,  LIN, Wan-Yu

Inventor： SEVERIN, Daniel ,  KLÖPPEL, Andreas ,  HANIKA, Markus ,  TSAI, Pipi ,  LIN, Wan-Yu

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/54 ,  C23C14/5873

Abstract: A method of manufacturing a layer for a plurality of thin film transistors for display manufacturing and an apparatus therefore is described. The method includes depositing (101) a layer stack onto a substrate by sputtering a first layer with a first set of processing parameters from an indium oxide containing target; sputtering a second set of processing parameters different from the first set of processing parameters onto the first layer from an indium oxide containing target a second layer with, and patterning (102) the layer stack by etching. The apparatus (200) includes a vacuum chamber (210); one or more indium oxide containing targets (220a, 220b) within the vacuum chamber for sputtering a transparent conductive oxide layer; a gas distribution system (230) for providing a processing gas within the vacuum chamber; and a controller (240) connected to the gas distribution system (230) and configured to execute a program code for conducting the method.

Abstract translation: 因此，制造用于显示制造的多个薄膜晶体管的层的方法和装置。 该方法包括通过用来自含氧化铟的目标物体的第一组处理参数溅射第一层而将层堆叠沉积（101）到衬底上; 将不同于第一组处理参数的第二组处理参数从含有氧化铟的靶溅射到第一层上的第二层，并通过蚀刻图案化（102）层叠层。 装置（200）包括真空室（210）; 一个或多个含氧化铟的靶（220a，220b），用于溅射透明导电氧化物层; 气体分配系统（230），用于在真空室内提供处理气体; 以及连接到气体分配系统（230）并被配置为执行用于执行该方法的程序代码的控制器（240）。

公开(公告)号：WO2015119825A1

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：PCT/US2015/013423

申请日：2015-01-29

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： RITCHIE, Alan A. ,  GE, Zhenbin ,  WANG, Jenn Yue ,  LOU, Sally

IPC: C23C14/34

CPC classification number: H01J37/3464 ,  C23C14/046 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/5873 ,  H01J37/34 ,  H01J2237/3322 ,  H01J2237/334

Abstract: Embodiments of methods for depositing material in features of a substrate have been provided herein. In some embodiments, a method for depositing material in a feature of a substrate includes depositing a material in a feature of a substrate disposed in a process chamber by sputtering a target using a plasma formed from a first gas; and etching the deposited material in the process chamber using a plasma formed from a second gas, different than the first gas, to at least partially reduce overhang of the material in the feature, wherein an atomic mass of the second gas is greater than an atomic mass of the first gas.

Abstract translation: 本文提供了在衬底的特征中沉积材料的方法的实施例。 在一些实施例中，用于在衬底的特征中沉积材料的方法包括：通过使用由第一气体形成的等离子体溅射靶，将材料沉积在设置在处理室中的衬底的特征中; 以及使用与第一气体不同的第二气体形成的等离子体来蚀刻处理室中的沉积材料，以至少部分地减小特征中材料的突出部分，其中第二气体的原子质量大于原子 质量的第一气体。

公开(公告)号：WO2014060356A1

公开(公告)日：2014-04-24

申请号：PCT/EP2013/071429

申请日：2013-10-14

Applicant: SOLMATES B.V.

Inventor： DEKKERS, Jan Matthijn ,  JANSSENS, Jan Arnaud

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  C23C14/02

CPC classification number: H01L51/56 ,  C23C14/024 ,  C23C14/086 ,  C23C14/28 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/3492 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5234 ,  H01L2251/308 ,  H01L2251/5369

Abstract: The invention relates to a method for depositing a target material onto an organic electrically functional material, which method comprises the steps of: - providing a substrate with an organic electrically functional material, like an emissive electroluminescent layer; - creating a vapor plume of target material by pulsed laser deposition; - depositing a first layer of target material on the organic electrically functional material, while maintaining the maximum particle velocity of the deposited particles below a preset value; and - depositing a second layer of target material on the first layer of target material, while the maximum particle velocity of the deposited particles is above the preset value. The invention also relates to an intermediate product and to an organic light emitting diode.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于将目标材料沉积到有机电功能材料上的方法，该方法包括以下步骤： - 为基底提供有机电学功能材料，如发射电致发光层; - 通过脉冲激光沉积产生目标材料的蒸气羽流; - 在所述有机电功能材料上沉积第一层靶材料，同时将所沉积的颗粒的最大颗粒速度保持在预定值以下; 以及 - 在目标材料的第一层上沉积第二层靶材料，同时沉积颗粒的最大颗粒速度高于预设值。 本发明还涉及中间产品和有机发光二极管。

公开(公告)号：WO2013056831A3

公开(公告)日：2013-08-15

申请号：PCT/EP2012004352

申请日：2012-10-18

Applicant: OERLIKON TRADING AG

Inventor： KRASSNITZER SIEGFRIED

IPC: C23C14/06 ,  B23G5/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C23C16/27 ,  C23C16/50 ,  C23C28/04 ,  C23C30/00 ,  H01J37/34

CPC classification number: C23C14/35 ,  B23B2228/105 ,  B23G5/06 ,  B23G2200/26 ,  C23C14/0635 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/352 ,  C23C14/355 ,  C23C14/54 ,  C23C14/548 ,  C23C16/276 ,  C23C16/277 ,  C23C16/278 ,  C23C16/50 ,  C23C28/044 ,  C23C28/046 ,  C23C28/048 ,  C23C30/005 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3467 ,  Y10T408/78 ,  Y10T408/89

Abstract: The invention relates to a method for coating a substrate, preferably a drill, wherein at least one first HiPIMS layer is applied by means of a HiPIMS process. Preferably, at least one second layer is applied to the first HiPIMS layer by means of a coating process that does not contain a HiPIMS process.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于涂覆基底，优选钻孔的方法，其中至少第一HIPIMS层借助于HIPIMS方法来施加。 优选地，借助于不涉及HIPIMS方法的涂覆方法将至少第二层施加到第一HIPIMS层。

公开(公告)号：WO2013018258A1

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：PCT/JP2012/003337

申请日：2012-05-22

Applicant: 新明和工業株式会社 ,  土屋 貴之 ,  丸中 正雄 ,  小泉 康浩 ,  近藤 和夫

Inventor： 土屋　貴之 ,  丸中　正雄 ,  小泉　康浩 ,  近藤　和夫

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: C23C28/02 ,  C23C14/046 ,  C23C14/14 ,  C23C14/165 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/46 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　成膜装置（１００）は、貫通孔が形成された基板（３４Ｂ）および銅放出源（３５Ｂ）を格納する真空チャンバ（３０）と、真空チャンバ（３０）内を所定の真空度に減圧する真空ポンプ（３６）と、基板（３４Ｂ）に印加する電力を発生する電源（８０）と、基板（３４Ｂ）および銅放出源（３５Ｂ）間の距離の設定に用いる駆動機構と、を備え、銅放出源（３５Ｂ）から放出された銅材料を基板（３４Ｂ）の一方の主面に堆積させ、主面における貫通孔の開口を銅材料からなる堆積膜によって閉塞させるとき、堆積膜による開口の閉塞状態が、上記距離および上記電力に基づいて調整される。

Abstract translation: 一种成膜装置（100）具有：容纳形成有通孔的基板（34B）的真空室（30B）和铜排出源（35B）; 真空泵（36），其将真空室（30）的内​​部减压到预定的真空度; 产生施加到基板（34B）的电力的电源（80）; 以及用于设定基板（34B）和铜排出源（35B）之间的距离的驱动机构。 在沉积时，在基板（34B）的一个主表面上形成从铜排出源（35B）排出的铜材料，并且利用沉积膜将主表面的通孔的开口闭合 铜材料，基于距离和功率调节具有沉积膜的开口的闭合状态。

公开(公告)号：WO2012157202A1

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：PCT/JP2012/002992

申请日：2012-05-07

Applicant: シャープ株式会社 ,  太田 純史 ,  近間 義雅

Inventor： 太田　純史 ,  近間　義雅

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/363

CPC classification number: C23C14/3492 ,  C23C14/0042 ,  C23C14/08 ,  C23C14/352 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 　薄膜形成方法は、ターゲット部に沿ってマグネット部を往復移動させた状態で、複数のターゲット同士の間で放電を行い、処理チャンバに不活性ガス及び反応性ガスを供給することにより、基板に薄膜を形成する通常成膜工程と、通常成膜工程の前に、不活性ガスに対する反応性ガスの流量比を通常成膜工程における不活性ガスに対する反応性ガスの流量比よりも大きくした状態で、ターゲット部における放電を開始する放電開始工程とを有する。

Abstract translation: 这种薄膜形成方法具有：通常的成膜步骤，在其中磁体部分沿着目标部分往复运动的状态下，通过在多个靶子之间进行放电而在基板上形成薄膜，并且提供惰性 气体和反应性气体输送到处理室; 以及放电启动步骤，在正常成膜步骤之前，在反应气体与惰性气体的流量比大于反应性气体的流量比的状态下，在目标区间中开始放电 在正常的成膜步骤中气体与惰性气体接触。

公开(公告)号：WO2012070676A1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：PCT/JP2011/077319

申请日：2011-11-28

Applicant: 株式会社神戸製鋼所 ,  三木 綾 ,  森田 晋也 ,  釘宮 敏洋 ,  安野 聡

Inventor： 三木　綾 ,  森田　晋也 ,  釘宮　敏洋 ,  安野　聡

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  G01G19/00 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/548 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5873 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/78693

Abstract: 　本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、Ｚｎ、Ｓｎ、およびＩｎと；Ｓｉ、Ｈｆ、Ｇａ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｔａ、Ｗ、およびＮｂよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素（Ｘ群元素）と、を含むものである。本発明によれば、高い移動度を実現でき、且つ、ストレス耐性（ストレス印加前後の閾値電圧シフト量が少ないこと）にも優れた薄膜トランジスタ用酸化物を提供できた。

Abstract translation: 用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物含有Zn，Sn和In，以及从Si，Hf，Ga，Al，Ni，Ge，Ta的X族中选出的至少一种元素（X族元素） ，W和Nb。 本发明能够提供实现高迁移率且具有优异的应力阻力（施加应力之前和之后的阈值电压偏移可忽略）的薄膜晶体管氧化物。

公开(公告)号：WO2011156349A2

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：PCT/US2011/039414

申请日：2011-06-07

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC. ,  LEE, Joung Joo ,  TANG, Xianmin ,  GUNG, Tza-Jing

Inventor： LEE, Joung Joo ,  TANG, Xianmin ,  GUNG, Tza-Jing

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/2855 ,  C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3492 ,  H01L21/76882

Abstract: Methods for forming interconnect structures are provided herein. In some embodiments, a method for forming an interconnect on a substrate may include depositing a material atop an upper surface of the substrate and atop one or more surfaces of a feature disposed in the substrate by a first deposition process that deposits the material at a faster rate on the upper surface than on a bottom surface of the feature; depositing the material atop the upper surface of the substrate and atop one or more surfaces of the feature by a second deposition process that deposits the material at a greater rate on the bottom surface of the feature than on the upper surface of the substrate; and heating the deposited material to draw the deposited material towards the bottom surface of the feature to at least partially fill the feature with the deposited material.

Abstract translation: 本文提供形成互连结构的方法。 在一些实施例中，用于在衬底上形成互连的方法可以包括通过第一沉积工艺沉积衬底的上表面顶部的材料，以及设置在衬底中的特征的顶部的一个或多个表面上，所述第一沉积工艺以更快的速度沉积材料 在上表面上比在特征的底表面上的速率; 通过第二沉积工艺将所述材料沉积在所述基底的上表面顶部和所述特征的一个或多个表面上方，所述第二沉积工艺在所述特征的底表面上以比在所述基底的上表面上更大的速率沉积材料; 以及加热沉积的材料以将沉积的材料拉向特征的底表面，以至少部分地用沉积的材料填充该特征。

公开(公告)号：WO2011143331A1

公开(公告)日：2011-11-17

申请号：PCT/US2011/036100

申请日：2011-05-11

Applicant: ADVANCED ENERGY INDUSTRIES,INC ,  NAUMAN, Kenneth, E. ,  FINLEY, Kenneth ,  LARSON, Skip, B. ,  PELLEYMOUNTER, Doug

Inventor： NAUMAN, Kenneth, E. ,  FINLEY, Kenneth ,  LARSON, Skip, B. ,  PELLEYMOUNTER, Doug

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C14/54 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/542 ,  C23C14/548 ,  C23C14/564 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3438 ,  H01J37/3444 ,  H01J37/3467 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4682

Abstract: Methods and apparatus for applying pulsed DC power to a plasma processing chamber are disclosed. In some implementations, frequency of the applied power is varied to achieve desired processing effects such as deposition rate, arc rate, and film characteristics. In addition, a method and apparatus are disclosed that utilize a relatively high potential during a reverse-potential portion of a particular cycle to mitigate possible nodule formation on the target. The relative durations of the reverse- potential portion, a sputtering portion, and a recovery portion of the cycle are adjustable to effectuate desired processing effects.

Abstract translation: 公开了向等离子体处理室施加脉冲DC电力的方法和装置。 在一些实施方案中，施加的功率的频率被改变以实现期望的处理效果，例如沉积速率，电弧速率和膜特性。 另外，公开了一种方法和装置，其在特定周期的反向电位部分期间利用相对高的电位来减轻目标上可能的结节形成。 反向电位部分，溅射部分和循环的恢复部分的相对持续时间是可调节的，以实现期望的处理效果。

公开(公告)号：WO2011118328A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：PCT/JP2011/054210

申请日：2011-02-18

Applicant: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. ,  YUKAWA, Mikio ,  MORIWAKA, Tamae

Inventor： YUKAWA, Mikio ,  MORIWAKA, Tamae

IPC: H01M4/58 ,  C01B25/45 ,  H01M4/136 ,  H01M4/1397

CPC classification number: H01M4/5825 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3492 ,  H01M4/0404 ,  H01M4/0426 ,  H01M4/136 ,  H01M4/1397 ,  H01M4/366 ,  H01M10/052 ,  H01M2004/021 ,  Y10T29/49108 ,  Y10T29/49115

Abstract: A power storage device with favorable battery characteristics and a manufacturing method thereof are provided. The power storage device includes at least a positive electrode and a negative electrode provided so as to face the positive electrode with an electrolyte provided therebetween. The positive electrode includes a collector and a film containing an active material over the collector. The film containing the active material contains Li e Fe f P g O h satisfying relations of 3.5 ≤ h / g ≤ 4.5, 0.6 ≤ g / f ≤ 1.1, and 0 ≤ e / f ≤ 1.3 and Li a Fe b P c O d satisfying relations of 3.5 ≤ d / c ≤ 4.5, 0.6 ≤ c / b ≤ 1.8, and 0.7 ≤ a / b ≤ 2.8. The film containing the active material contains the Li a Fe b P c O d satisfying the relations of 3.5 ≤ d / c ≤ 4.5, 0.6 ≤ c / b ≤ 1.8, and 0.7 ≤ a / b ≤ 2.8 in a region which is in contact with the electrolyte.

Abstract translation: 提供了具有良好的电池特性的蓄电装置及其制造方法。 蓄电装置至少包括正电极和负电极，所述正电极和负电极设置成面对正电极，其间设置有电解质。 正极包括集电体和在集电体上含有活性材料的膜。 含有活性物质的膜含有满足3.5 = h / g = 4.5,0.6 = g / f = 1.1和0 = e / f = 1.3的关系的Li e Fe f P g O h，Li a Fe b P c O d满足关系3.5 = d / c = 4.5,0.6 = c / b = 1.8，0.7 = a / b = 2.8。 含有活性物质的膜含有满足3.5 = d / c = 4.5,0.6 = c / b = 1.8和0.7 = a / b = 2.8的关系的Li a Fe b P c O d 与电解液接触。