公开(公告)号：WO2010013508A1

公开(公告)日：2010-02-04

申请号：PCT/JP2009/055174

申请日：2009-03-17

Applicant: シャープ株式会社 ,  小川 康行 ,  ブラウン クリストファー

Inventor： 小川 康行 ,  ブラウン クリストファー

IPC: H03K3/356 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36 ,  H03K5/08

CPC classification number: G09G3/3688 ,  G09G2320/043 ,  G09G2370/14 ,  H01L29/7855 ,  H03K3/356104 ,  H03K5/2481 ,  H03K2217/0018

Abstract: 　ダブルゲートＴＦＴ１１、１２を用いてインバータ１５を構成し、ダブルゲートＴＦＴ１３、１４を用いてインバータ１６を構成する。インバータ１５を構成するＴＦＴのトップゲート端子を入力端子ＤＡＴ（＋）に接続し、ボトムゲート端子をインバータ１６の出力と出力端子ＯＵＴに接続する。インバータ１６を構成するＴＦＴのボトムゲート端子を入力端子ＤＡＴ（－）に接続し、ボトムゲート端子をインバータ１５の出力に接続する。これにより、インバータ１５、１６の閾値電圧を各インバータのスイッチング動作を促進するように制御し、比較回路１０を高速に動作させる。トランジスタの閾値電圧のばらつきと入力信号のコモンモード電圧の変動に強く、高速に動作する比較回路が得られる。

Abstract translation: 逆变器（15）由双栅极TFT（11,12）构成，逆变器（16）由双栅极TFT（13,14）构成。 构成逆变器（15）的TFT的顶栅极连接到输入端（DAT）（+），底栅极连接到逆变器（16）的输出端和输出端OUT。 构成逆变器（16）的TFT的底栅极端子连接到输入端（DAT）（ - ），底栅极端子连接到逆变器（15）的输出端。 这控制了逆变器（15,16）的阈值电压，以加速各个反相器的开关操作，从而使比较器电路（10）以高速运行。 因此，所获得的比较器电路抵抗晶体管的阈值电压的偏差和输入信号的共模电压的波动，并且以高速运行。

公开(公告)号：WO2006103825A1

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：PCT/JP2006/301490

申请日：2006-01-30

Applicant: シャープ株式会社 ,  糸賀 隆志 ,  小川 康行

Inventor： 糸賀 隆志 ,  小川 康行

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L23/544 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1266 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

Abstract: 　接合後に高温条件下に晒されても、基板からチップを剥がす力が働かず、基板とチップとの接合状態を維持することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。具体的には、半導体装置を製造するにあたって、接合時の位置決めの目安として、高歪点ガラス基板(１)表面に凹状アラインメントマーク(８)を形成し、凹状アラインメントマーク(８)を半導体デバイス(２０)の外側まで延びる形状とする。こうすることで、高歪点ガラス基板(１)と半導体デバイス(２０)との良好な接合が得られると同時に、凹状アラインメントマーク(８)が密封されないから、半導体デバイス(２０)接合した後に高歪点ガラス基板(１)を高温条件下に晒しても、接合状態を維持できる。

Abstract translation: 一种半导体器件，其中即使半导体器件从芯片剥离芯片的力也不起作用，在接合之后在高温条件下暴露，并且可以保持基板和芯片的接合状态，以及制造这种半导体的方法 设备。 具体地说，在半导体制造中，在作为接合对准的目标的高失真点玻璃基板（1）的正面上形成凹入对准标记（8），并且允许凹入对准标记（8）具有 延伸到半导体器件（20）的外侧的形状。 因此，可以提供高失真点玻璃基板（1）与半导体装置（20）之间的良好的接合，并且同时由于凹入对准标记（8）未被密封，所以可以保持接合状态甚至 当高失真点玻璃基板（1）在接合半导体器件（20）之后在高温条件下暴露时。

公开(公告)号：WO2007074622A1

公开(公告)日：2007-07-05

申请号：PCT/JP2006/324538

申请日：2006-12-08

Applicant: シャープ株式会社 ,  小川 康行

Inventor： 小川 康行

IPC: H03M1/68 ,  G02F1/133 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36

CPC classification number: H03M1/68 ,  G09G3/3688 ,  G09G3/3696 ,  G09G2310/027

Abstract: 　本発明は、入力デジタル信号に応じてアナログ電圧を出力するＤＡ変換器又はそれを備えた表示装置において入力デジタル信号のビット数の増大に伴う回路規模の増大を抑制することを目的とする。 　表示部における第１データ信号線のそれぞれに対応してＤＡＣ１とＤＡＣ２が設けられる。各水平期間の前半でＤＡＣ１は、デジタル映像信号の上位６ビットに基づき第１階調基準電圧Ｖａ０～Ｖａ６３のいずれかを、スイッチ（ＳＷ１）を介して第１データ信号線（Ｌｓａｊ）に印加し、その信号線（Ｌｓｊ）との間に容量Ｃｓｓが形成された第２データ信号線（Ｌｓｂｊ）はスイッチ（ＳＷ３）を介して接地される。各水平期間の後半でＤＡＣ２は、デジタル映像信号の下位２ビットに基づき第２階調基準電圧Ｖｂ０～Ｖｂ４のいずれかを、スイッチ（ＳＷ２）を介して第２データ信号線（Ｌｓｂｊ）に印加する。 　本発明は、表示装置で使用されるＤＡ変換器に適する。                                                                                 

Abstract translation: 在根据输入数字信号输出模拟电压的DA转换器或配备有DA转换器的显示装置中，随着输入数字信号的位数的增加，防止电路规模的增加。 在显示区域中对应于相应的第一和第二数据信号线提供DAC（1,2）。 在每个水平周期的前半部分中，DAC（1）基于数字图像信号的高6位将第一灰度参考电压（Va0至Va63）中的一个应用于第一数据信号线（Lsaj）经由 开关（SW1）。 在其与信号线（Lsj）之间形成的具有电容器（Css）的第二数据信号线（Lsbj）通过开关（SW3）接地。 在每个水平周期的最后一半中，DAC（2）基于数字图像信号的较低的两位，将第二灰度参考电压（Vb0至Vb4）中的一个经由第二数据信号线（Lsbj）经由 开关（SW2）。 本发明适用于在显示装置中使用的DA转换器。