HALBZEUGANORDNUNG AUF EINER FOLIE UND EIN HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EINE HALBZEUGANORDNUNG AUF EINER FOLIE
    3.
    发明申请
    HALBZEUGANORDNUNG AUF EINER FOLIE UND EIN HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EINE HALBZEUGANORDNUNG AUF EINER FOLIE 审中-公开
    半箔上的半板组装和一种用于在箔上进行半包装组装的生产方法

    公开(公告)号:WO2018077448A1

    公开(公告)日:2018-05-03

    申请号:PCT/EP2017/000851

    申请日:2017-07-15

    Abstract: Halbzeuganordnung aus einer Folie (20) und einer Vielzahl von Solarzelleneinheiten (30) und Herstellungsverfahren, wobei die Folie (20) eine adhäsive, plane Oberfläche (22) aufweist, jede Solarzelleneinheiten (30) einen elektrisch isolierenden, Keramik umfassenden Träger (32) mit einer von mindestens vier Kanten (32.1, 32.2, 32.3, 32.4) umschlossenen Oberseite und einer Unterseite aufweist, die Unterseite jeder Solarzelleneinheit (30) kraftschlüssig mit der Oberfläche (22) der Folie (20) verbunden ist, auf der Oberseite jedes Trägers (32) mindestens zwei zueinander beabstandete Kontaktflächen (40, 42, 44) entlang einer ersten Kante (32.1) und mindestens ein als Solarzelle ausgebildeter Halbleiterkörper (50) zwischen den mindestens zwei Kontaktflächen (40, 42, 44) und einer der ersten Kante (32.1) gegenüberliegenden zweiten Kante (32.2) angeordnet sind, auf dem mindestens einen Halbleiterkörper (50) jedes Trägers (32) ein sekundäres optisches Element (60) angeordnet und eine plane Unterseite (62) des sekundären optischen Elements (60) mit einer Empfängerfläche (52) des Halbleiterkörper (50) kraftschlüssig verbunden ist, um Licht auf die Empfängerfläche (52) des Halbleiterkörpers (50) zu führen, die Solarzelleneinheiten (30) jeweils zueinander beabstandet auf der Oberfläche (22) der Folie (20) angeordnet sind, wobei jeweils die erste Kante (32.1) jeder Solarzelleneinheit (30) einer ersten Kante (32.1) einer anderen Solarzelleneinheit (30) gegenüberliegt.

    Abstract translation: 具有表面(22),每个太阳能电池单元(30;

    的片材(20)和多个太阳能电池单元(30)及其制造方法,其中所述膜(20)具有ADH&AUML的半成品组件;西伯,平面表面&AUML )电绝缘,陶瓷全面Tr的AUML; GER(32)一种(至少四个边缘32.1,32.2,32.3,具有32.4)封闭顶部和底部,每个太阳能电池单元(30)kraftschl导航用途SSIG与表面&AUML的底部;彻 上的顶部的膜(20)的连接(22),每个Tr的AUML;热尔(32)至少两个间隔开的Kontaktfl BEAR表面(40,42,44)沿着一个第一边缘(32.1)和至少一个构造为太阳能电池Halbleiterkö 所述至少两个Kontaktfl BEAR表面(40,42,44)和所述第一边缘(32.1)对导航用途berliegenden第二边缘(32.2)中的一个被布置在所述至少一个Halbleiterk&oUML之间体(50);的主体(50),每个Tr的AUML; 蒙古包 (32)一种二次Ä水库光学元件(60)和具有次级&AUML的平面下侧(62);具有半导体&OUML的接收机BEAR ngerfl BEAR表面(52)仁光学元件(60);主体(50)kraftschl导航用途SSIG连接 是将光引导到半导体本体(50)的接收表面(52)上,太阳能电池单元(30)在膜(20)的表面(22)上间隔布置, 其中在每种情况下,每个太阳能电池单元(30)的第一边缘(32.1)与另一个太阳能电池单元(30)的第一边缘(32.1)相对,

    METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
    4.
    发明申请
    METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:WO2018042284A1

    公开(公告)日:2018-03-08

    申请号:PCT/IB2017/055049

    申请日:2017-08-22

    Abstract: The yield of a manufacturing process of a semiconductor device is increased. The productivity of a semiconductor device is increased. A first material layer is formed over a substrate, a second material layer is formed over the first material layer, and the first material layer and the second material layer are separated from each other, so that a semiconductor device is manufactured. In addition, a stack including the first material layer and the second material layer is preferably heated before the separation. The first material layer includes one or more of hydrogen, oxygen, and water. The first material layer includes a metal oxide, for example. The second material layer includes a resin (e.g., polyimide or acrylic). The first material layer and the second material layer are separated from each other by cutting a hydrogen bond. The first material layer and the second material layer are separated from each other in such a manner that water separated out by heat treatment at an interface between the first material layer and the second material layer or in the vicinity of the interface is irradiated with light.

    Abstract translation: 半导体器件制造工艺的成品率增加。 半导体器件的生产率增加。 在衬底上形成第一材料层,在第一材料层上形成第二材料层,并且将第一材料层和第二材料层彼此分离,从而制造半导体器件。 另外,包括第一材料层和第二材料层的叠层优选在分离之前被加热。 第一材料层包括氢,氧和水中的一种或多种。 例如,第一材料层包括金属氧化物。 第二材料层包括树脂(例如聚酰亚胺或丙烯酸树脂)。 通过切割氢键将第一材料层和第二材料层彼此分开。 第一材料层和第二材料层以这样的方式彼此分离,使得在第一材料层和第二材料层之间的界面处或在界面附近通过热处理分离出的水被光照射。

    EFFICIENTLY MICRO-TRANSFER PRINTING MICRO-SCALE DEVICES ONTO LARGE-FORMAT SUBSTRATES
    5.
    发明申请
    EFFICIENTLY MICRO-TRANSFER PRINTING MICRO-SCALE DEVICES ONTO LARGE-FORMAT SUBSTRATES 审中-公开
    有效微传输印刷微型设备到大型基板

    公开(公告)号:WO2017144573A1

    公开(公告)日:2017-08-31

    申请号:PCT/EP2017/054140

    申请日:2017-02-23

    Abstract: A method of making a micro-transfer printed system includes providing a source wafer (10) having a plurality of micro-transfer printable source devices (12 arranged at a source spatial density; providing an intermediate wafer (20) having a plurality of micro-transfer printable intermediate supports (24) arranged at an intermediate spatial density less than or equal to the source spatial density; providing a destination substrate (30); micro-transfer printing the source devices from the source wafer to the intermediate supports of the intermediate wafer with a source stamp having a plurality of posts at a source transfer density to make an intermediate device (22) on each intermediate support; and micro-transfer printing the intermediate devices from the intermediate wafer to the destination substrate at a destination spatial density less than the source spatial density with an intermediate stamp having a plurality of posts at an intermediate transfer density less than the source transfer density.

    Abstract translation: 制造微转移印刷系统的方法包括提供具有多个微转移可印刷源装置(12)的源晶片(10),其以源空间密度排列;提供中间晶片( 20),其具有以小于或等于所述源空间密度的中间空间密度布置的多个可微转印的中间支撑体(24);提供目标基板(30);将所述源设备从所述源晶圆 利用具有源传输密度的多个柱的源印模在中间晶圆的中间支撑体上形成中间装置(22);以及将中间装置从中间晶圆微传送到目的地 基板以小于源空间密度的目标空间密度与具有中间转印密度小于中间转印密度的多个柱的中间印章相接触 源传输密度。

    EMBEDDED METALLIC STRUCTURES IN GLASS
    7.
    发明申请
    EMBEDDED METALLIC STRUCTURES IN GLASS 审中-公开
    玻璃中的嵌入金属结构

    公开(公告)号:WO2017091432A1

    公开(公告)日:2017-06-01

    申请号:PCT/US2016/062445

    申请日:2016-11-17

    Abstract: A device having embedded metallic structures in a glass is provided. The device includes a first wafer, at least one conductive trace, a planarized insulation layer and a second wafer. The first wafer has at least one first wafer via that is filled with conductive material. The at least one conductive trace is formed on the first wafer. The at least one conductive trace is in contact with the at least one first wafer via that is filled with the conductive material. The planarized insulation layer is formed over the first wafer and at least one conductive trace. The planarized insulation layer further has at least one insulation layer via that provides a path to a portion of the at least one conductive trace. The second wafer is bonded to the planarized insulation layer.

    Abstract translation: 提供了一种在玻璃中嵌入金属结构的器件。 该器件包括第一晶片,至少一个导电迹线,平坦化的绝缘层和第二晶片。 第一晶片具有至少一个填充有导电材料的第一晶片通孔。 该至少一个导电迹线形成在第一晶片上。 所述至少一个导电迹线经由填充有导电材料的至少一个第一晶片与所述至少一个第一晶片接触。 平坦化的绝缘层形成在第一晶片和至少一个导电迹线上。 平坦化的绝缘层还具有至少一个绝缘层通孔,其提供通向至少一个导电迹线的一部分的路径。 第二个晶圆粘接到平面化的绝缘层上。

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