公开(公告)号：WO2009099217A1

公开(公告)日：2009-08-13

申请号：PCT/JP2009/052109

申请日：2009-02-06

Applicant: 京セラ株式会社 ,  新楽 浩一郎 ,  西村 剛太 ,  伊藤 憲和 ,  稲葉 真一郎

Inventor： 新楽 浩一郎 ,  西村 剛太 ,  伊藤 憲和 ,  稲葉 真一郎

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/03921 ,  C23C16/4488 ,  C23C16/50 ,  H01L21/2257 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 　素子特性が従来よりも向上したスーパーストレート型のａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜太陽電池を提供する。透明基板上に形成された透明導電膜の上にリンを付着させる工程と、透明導電膜の上にプラズマＣＶＤ法にてａ－Ｓｉ：Ｈからなるｐ型層、ｉ型層、およびｎ型層を順次に形成する工程とによって、太陽電池素子を形成する。リンの付着は、例えばリン含有ガスをプラズマ化することで行う。あるいは、プラズマＣＶＤ法によるｐ型層の形成開始時に、プラズマ励起電圧が印加されるものの透明基板が載置されないマージン領域に設けられたリン供給源を水素プラズマにてエッチングさせることで行う。好ましくは、ｉ型層におけるホウ素拡散範囲内におけるホウ素とリンの濃度差の算術平均値ΔＣａｖが、１．１×１０ 17 （ｃｍ -3 ）≦ΔＣａｖ≦１．６×１０ 17 （ｃｍ -3 ）以下となるように、リンの付着を制御する。

Abstract translation: 公开了一种与常规太阳能电池元件相比具有改进的元件特性的超轻型a-Si：H薄膜太阳能电池元件。 太阳能电池元件通过包括在设置在透明基板上的透明导电膜上沉积磷的步骤的方法制造，以及连续形成p型层，i型层和n型层的步骤 a-Si：H通过等离子体CVD在透明导电膜上。 磷例如通过含磷气体的等离子体化来沉积。 或者，可以通过等离子体CVD开始形成p型层来沉积磷，但是在施加等离子体激发电压的情况下，设置在不提供透明基板的边缘区域中的磷供给源， 氢等离子体。 优选地，控制磷的沉积，使得i型层中的硼扩散范围内的硼和磷之间的浓度差的算术平均值（ΔCav）为1.1×10 17（cm -3）=π Cav = 1.6×1017（cm-3）以下。