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    有機薄膜トランジスタ
    4.
    发明申请
    有機薄膜トランジスタ 审中-公开
    有机薄膜晶体管

    公开(公告)号：WO2011036866A1

    公开(公告)日：2011-03-31

    申请号：PCT/JP2010/005706

    申请日：2010-09-21

    申请人： 出光興産株式会社 ,  中村浩昭 ,  栗原直樹 ,  近藤浩史 ,  齊藤雅俊 ,  中野裕基

    发明人： 中村浩昭 ,  栗原直樹 ,  近藤浩史 ,  齊藤雅俊 ,  中野裕基

    IPC分类号： H01L29/786 ,  C07C15/54 ,  C07C15/56 ,  C07C22/08 ,  C07D495/04 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

    CPC分类号： C07C22/08 ,  C07C25/18 ,  C07C25/22 ,  C07D495/04 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105

    摘要： 　基板上に少なくともゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３端子、絶縁体層及び有機半導体層が設けられ、ソース－ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層及びソース電極間並びに前記有機半導体層及びドレイン電極間にそれぞれ電荷注入層を有し、前記電荷注入層が下記式（１）で表される化合物を含む有機薄膜トランジスタ。　式中、Ａｒ １ は、下記式（２）で表される置換基である。Ａｒ ２ は、置換基を有してもよい炭素数６～６０の２価の芳香族炭化水素基、又は置換基を有してもよい炭素数２～６０の２価の芳香族複素環基である。Ａｒ ３ は、下記式（３）で表される置換基である。ｎは、１～２０の整数である。

    摘要翻译： 本发明提供一种有机薄膜晶体管，其至少在栅电极，源电极和漏电极中设置有基板的有机半导体层，绝缘层和三个端子。 通过向栅电极施加电压来控制源极和漏极之间的电流。 所提供的有机薄膜晶体管在有机半导体层和源电极之间具有电荷注入层，而在有机半导体层和漏电极之间具有电荷注入层。 所述电荷注入层含有由式（1）表示的化合物。 （1）式中，Ar 1表示由式（2）表示的取代基。 Ar 2是可以具有取代基的C 6〜C 6二价芳香族烃或可以具有取代基的C 2-60二价芳香族杂环基。 Ar 3为式（3）所示的取代基，n为1〜20的整数。（2）（3）

    有機薄膜トランジスタ
    5.
    发明申请
    有機薄膜トランジスタ 审中-公开
    有机薄膜晶体管

    公开(公告)号：WO2011132425A1

    公开(公告)日：2011-10-27

    申请号：PCT/JP2011/002332

    申请日：2011-04-21

    申请人： 出光興産株式会社 ,  中村浩昭 ,  齊藤雅俊 ,  近藤浩史 ,  板東徹

    发明人： 中村浩昭 ,  齊藤雅俊 ,  近藤浩史 ,  板東徹

    IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

    CPC分类号： H01L51/102 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105

    摘要： 少なくともゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、絶縁体層及び有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタにおいて、ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方が、（ａ）Ｍ（ＸＣＲ ４ （ＣＲ ５ ２ ＣＯＯＲ ６ ）ＣＯＯＲ ７ ）ｐで示される有機プロトン酸又はその塩によってプロトネーションされた置換又は未置換のポリアニリン複合体及び（ｂ）フェノール性水酸基を有する化合物を含む導電性ポリアニリン組成物からなる有機薄膜トランジスタ。

    摘要翻译： 所公开的有机薄膜晶体管至少具有栅电极，源电极，漏电极，绝缘层和有机半导体层。 源电极和/或漏电极包括导电聚苯胺组合物，其包含：（a）由M（XCR4（CR5 2COOR6）COOR7）p表示的有机质子酸质子化的取代或未取代的聚苯胺络合物或其盐; 和（b）含有酚羟基的化合物。