公开(公告)号：WO2017084187A1

公开(公告)日：2017-05-26

申请号：PCT/CN2015/100234

申请日：2015-12-31

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 徐洪远 ,  苏长义

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/105 ,  H01L27/3274 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/0017 ,  H01L51/0541 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/308

Abstract: 一种有机半导体薄膜晶体管，包括基板（110）、数据线（121）、中转区（122）、源极（131）、漏极（132）、主动层图案（141）、第一绝缘层（142）、栅极（151）、第二绝缘层（152）以及透明电极（171），数据线以及中转区设置于基板之上，源极以及漏极设置于基板、数据线以及中转区之上，主动层图案设置于数据线、中转区、基板、源极以及漏极之上。通过设置主动层图案在源极以述漏极之上，避免了源极以及漏极受到等离子体轰击。

公开(公告)号：WO2017016236A1

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：PCT/CN2016/078555

申请日：2016-04-06

Applicant: BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD.

Inventor： LIU, Ze

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/40 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/107 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0014 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/055 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/105

Abstract: A method of fabricating an organic thin film transistor, comprising providing a substrate; forming a patterned interface modification layer (1006, 1007) on the substrate; and forming an organic semiconductor layer (1005) on a side of the interface modification layer (1006, 1007) distal to the substrate, wherein the patterned interface modification layer (1006, 1007) having a pattern of micro structure.

Abstract translation: 一种制造有机薄膜晶体管的方法，包括提供基板; 在所述衬底上形成图案化界面改性层（1006,1007）; 以及在所述界面改性层（1006,1007）的与所述衬底相邻的一侧上形成有机半导体层（1005），其中所述图案化界面改性层（1006,1007）具有微结构图案。

公开(公告)号：WO2017003382A1

公开(公告)日：2017-01-05

申请号：PCT/SG2016/050310

申请日：2016-07-01

Applicant: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE

Inventor： CHUA, Lay-Lay ,  HO, Peter, Kian-Hoon ,  PNG, Rui-Qi ,  ANG, Mervin, Chun-Yi ,  CHOO, Kim-Kian ,  TANG, Cindy, Guan-Yu

IPC: C08G61/12 ,  H01B1/12 ,  H01L51/00 ,  C08L65/00

CPC classification number: H01L51/0043 ,  C08G61/02 ,  C08G61/123 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/143 ,  C08G2261/3142 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3243 ,  C08G2261/3246 ,  C08G2261/344 ,  C08G2261/411 ,  C08G2261/414 ,  C08G2261/514 ,  C08G2261/792 ,  C08G2261/95 ,  C08L65/00 ,  H01B1/127 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0562 ,  H01L51/105 ,  H01L51/5092

Abstract: There is provided a material comprising a n-doped electrically conductive polymer comprising at least one electron-deficient aromatic moiety, each electron-deficient aromatic moiety having a gas-phase electron affinity (E A ) of 1-3 eV; and at least one counter-cation covalently bonded to the polymer or to a further polymer comprised in the material, the polymer being n-doped to a charge density of 0.1-1 electron per electron-deficient aromatic moiety, the polymer being capable of forming a layer having a vacuum workfunction (WF) of 2.5-4.5 eV, and wherein all the counter-cations comprised in the material are immobilised such that any electron in the polymer cannot significantly diffuse or migrate out of the polymer. There is also provided a method of preparing the material.

Abstract translation: 提供了包含n掺杂的导电聚合物的材料，其包含至少一个电子缺乏的芳族部分，每个电子缺乏的芳族部分具有1-3eV的气相电子亲合力（EA）; 和至少一种与聚合物共价结合的抗衡阳离子或与材料中包含的另一种聚合物共聚的聚合物，该聚合物被n掺杂至电子缺乏芳族部分的电荷密度为0.1-1电子，该聚合物能够形成 具有2.5-4.5eV的真空功函数（WF）的层，并且其中包含在材料中的所有抗衡阳离子被固定，使得聚合物中的任何电子不能显着扩散或迁移出聚合物。 还提供了一种制备该材料的方法。

公开(公告)号：WO2016094580A1

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：PCT/US2015/064830

申请日：2015-12-09

Applicant: UNIVERSITY OF SOUTHERN CALIFORNIA

Inventor： ZHOU, Chongwu ,  CAO, Xuan ,  CHEN, Haitian ,  LIU, Bilu ,  CAO, Yu ,  GU, Xiaofei ,  WANG, Wenli ,  WU, Fanqi

IPC: H01L27/11

CPC classification number: H01L51/0022 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/0525 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/102 ,  H01L51/105 ,  H01L51/56

Abstract: A method of fabricating a thin film transistor, the method includes applying a first ink containing metallic particles to a first screen mask, and using the first screen mask to deposit the first ink to form a source electrode and a drain electrode on a substrate bearing a layer of carbon nanotubes (CNT). The method includes applying a second ink containing a dielectric material to a second screen mask, and using the second screen mask to deposit the second ink to form a layer of the dielectric material on the layer of CNT between the source electrode and the drain electrode. The method includes applying a third ink containing metallic particles to a third screen mask, and using the third screen mask to deposit the first ink to form a metallic gate electrode on the layer of the dielectric material to form the thin film transistor.

Abstract translation: 一种制造薄膜晶体管的方法，该方法包括将含有金属颗粒的第一油墨施加到第一筛网掩模上，并且使用第一筛网掩模沉积第一油墨以在承载有第一油墨的基板上形成源电极和漏电极 碳纳米管层（CNT）。 该方法包括将包含电介质材料的第二墨水施加到第二屏蔽掩模，并且使用第二屏蔽掩模沉积第二墨水以在源电极和漏电极之间的CNT层上形成电介质材料层。 该方法包括将第三油墨含有金属颗粒施加到第三筛网掩模，并且使用第三筛网掩模沉积第一油墨以在介电材料层上形成金属栅电极以形成薄膜晶体管。

公开(公告)号：WO2016050748A3

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：PCT/EP2015072384

申请日：2015-09-29

Applicant: NOVALED GMBH ,  UNIV RENNES

Inventor： FADHEL OMRANE ,  DELAUNAY WYLLIAM ,  HISSLER MURIEL ,  FREY JULIEN

IPC: H01L51/54 ,  H01L51/30 ,  H01L51/46

CPC classification number: H01L51/0071 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/105 ,  H01L51/42 ,  H01L51/5076 ,  H01L51/5092 ,  Y02E10/549

Abstract: The present invention relates to an organic electronic device, comprising a first electrode (11), a second electrode (14), and, between the first and the second electrode, a substantially organic layer (13) comprising a heterocyclic compound bearing at least one Iithoxy group and containing at least one heterocyclic ring comprising a phosphine oxide group directly bound to three carbon atoms; a compound for use in such an organic electronic device and to a semiconducting material comprising the respective compound.

Abstract translation: 本发明涉及一种有机电子器件，包括第一电极（11），第二电极（14），以及在第一和第二电极之间的基本上有机层（13），其包含含有至少一个 含有至少一个含有直接与三个碳原子结合的氧化膦基团的杂环; 用于这种有机电子器件的化合物和包含相应化合物的半导体材料。

公开(公告)号：WO2016034498A1

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：PCT/EP2015/069675

申请日：2015-08-27

Applicant: CAMBRIDGE DISPLAY TECHNOLOGY LIMITED

Inventor： BURROUGHES, Jeremy ,  NEWSOME, Christopher ,  TOBJÖRK, Daniel ,  DOWLING, Mark

IPC: H01L51/30

CPC classification number: H01L51/002 ,  H01L27/283 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/105

Abstract: We describe a method for reducing a parasitic resistance at an interface between a conducting electrode region and an organic semiconductor in a thin film transistor, the method comprising: providing a solution comprising a dopant for doping said semiconductor, and depositing said solution onto said semiconductor and/or said conducting electrode region to selectively dope said semiconductor adjacent said interface between said conducting electrode region and said semiconductor, wherein depositing said solution comprises inkjet-printing said solution.

Abstract translation: 我们描述了一种用于减小薄膜晶体管中的导电电极区域和有机半导体之间的界面处的寄生电阻的方法，该方法包括：提供包含用于掺杂所述半导体的掺杂剂并将所述溶液沉积到所述半导体上的溶液， /或所述导电电极区域以选择性地掺杂所述导电电极区域和所述半导体之间的邻近所述界面的所述半导体，其中沉积所述溶液包括喷墨印刷所述溶液。

公开(公告)号：WO2016011727A1

公开(公告)日：2016-01-28

申请号：PCT/CN2014/090623

申请日：2014-11-07

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 方汉铿 ,  谢应涛 ,  欧阳世宏 ,  蔡述澄 ,  石强 ,  刘则

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L51/0516 ,  H01L27/12 ,  H01L27/283 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/102 ,  H01L51/105

Abstract: 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，薄膜晶体管为栅极底接触型，包括栅极（3）和栅绝缘层（2），栅绝缘层（2）上与栅极（3）对应的位置处设置有凹槽（4）。薄膜晶体管避免了源漏极的沟道处的有源层断线的问题，提高了薄膜晶体管的性能和稳定性，降低了生产成本。

公开(公告)号：WO2015144865A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：PCT/EP2015/056674

申请日：2015-03-27

Applicant: NOVALED GMBH

Inventor： KLEEMANN, Hans ,  BLOCHWITZ-NIMOTH, Jan ,  SCHWARTZ, Gregor

IPC: H01L51/05

CPC classification number: H01L51/057 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/105

Abstract: The invention refers to a method for producing an organic transistor, the method comprising steps of providing a first electrode (2) on a substrate (1), generating a source-drain insulator (3) assigned at least partially to the substrate (1) and/or at least partially to the first electrode (2), generating a second electrode (4) assigned to the source-drain insulator (3), depositing an organic semiconducting layer (5) on the first electrode (2), the second electrode (4), and the source-drain insulator (3), generating a gate insulator (6) assigned to the organic semiconducting layer (5), and providing a gate electrode (7) assigned to the gate insulator (6). Further, the invention relates to an organic transistor.

Abstract translation: 本发明涉及一种制造有机晶体管的方法，该方法包括以下步骤：在衬底（1）上提供第一电极（2），产生至少部分地分配给衬底（1）的源极 - 漏极绝缘体（3） 和/或至少部分地耦合到第一电极（2），产生分配给源极 - 漏极绝缘体（3）的第二电极（4），在第一电极（2）上沉积有机半导体层（5） 电极（4）和源极 - 漏极绝缘体（3），产生分配给有机半导体层（5）的栅极绝缘体（6），以及提供分配给栅极绝缘体（6）的栅电极（7）。 此外，本发明涉及有机晶体管。

公开(公告)号：WO2015124285A1

公开(公告)日：2015-08-27

申请号：PCT/EP2015/000339

申请日：2015-02-16

Applicant: MERCK PATENT GMBH ,  INNOVATIONLAB GMBH ,  TECHNISCHE UNIVERSITAET BRAUNSCHWEIG ,  MAX-PLANCK-INNOVATION GMBH

Inventor： JESPER, Malte ,  HAMBURGER, Manuel ,  SCHINKE, Janusz ,  ALT, Milan ,  MUELLEN, Klaus

IPC: H01L51/30 ,  H01L51/46 ,  H01L51/54 ,  H01L51/10

CPC classification number: H01L51/0036 ,  C08G61/122 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/1412 ,  C08G2261/1646 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3241 ,  C08G2261/3328 ,  C08G2261/334 ,  C08G2261/3422 ,  C08G2261/3424 ,  C08G2261/344 ,  C08G2261/51 ,  C08G2261/92 ,  C09D165/00 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/105 ,  H01L51/441 ,  H01L51/5203 ,  Y02E10/549

Abstract: The present invention relates to a methoxyaryl surface modifier. In addition the present invention also relates to organic electronic devices comprising such methoxyaryl surface modifier.

Abstract translation: 本发明涉及一种甲氧基芳基表面改性剂。 另外本发明还涉及包含这种甲氧基芳基表面改性剂的有机电子器件。

公开(公告)号：WO2014192701A1

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：PCT/JP2014/063873

申请日：2014-05-26

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 渡邉　俊成 ,  宮川　直通 ,  伊藤　和弘 ,  渡邉　暁 ,  光井　彰

IPC: H01L21/336 ,  C23C14/08 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C14/3457 ,  C23C14/08 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105

Abstract: 　本発明は、ソース電極と半導体層の間、およびドレイン電極と半導体層の間における接触抵抗を低減することを目的とする。本発明は、ソース電極（１２０）、ドレイン電極（１２２）、ゲート電極（１２４）および半導体層（１０５）を有する半導体装置（１００）であって、前記ソース電極（１２０）および前記ドレイン電極（１２２）の片方または双方と前記半導体層（１０５）との間に、カルシウム原子およびアルミニウム原子を含む非晶質酸化物のエレクトライドの薄膜（１５０ａ、１５０ｂ）を有することを特徴とする半導体装置（１００）である。

Abstract translation: 本发明的目的是降低源电极和半导体层之间的接触电阻以及漏电极和半导体层之间的接触电阻。 本发明是一种具有源电极（120），漏电极（122），栅电极（124）和半导体层（105）的半导体器件（100）。 半导体器件（100）的特征在于，在半导体层（105）与源电极（120）和漏电极（122）中的一个或两者之间具有无定形氧化物的电极薄膜（150a，150b） 所述无定形氧化物含有钙原子和铝原子。