公开(公告)号：WO2006062150A1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：PCT/JP2005/022527

申请日：2005-12-08

Applicant: 日本電気株式会社 ,  三浦 貞彦 ,  鈴木 哲広 ,  森 馨 ,  福本 能之

Inventor： 三浦 貞彦 ,  鈴木 哲広 ,  森 馨 ,  福本 能之

IPC: H01L43/08 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/16 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272

Abstract: 　トグル書込み方式の磁気ランダムアクセスメモリは、自由磁性層と、固定磁性層と、自由磁性層と固定磁性層に挟まれた非磁性層とを具備する。自由磁性層は、互いに反強磁性結合した２ｎ層（ｎは２以上の整数）の磁性膜を有する。

Abstract translation: 触发式写入系统磁性随机存取存储器具有自由磁性层，固定磁性层和夹在自由磁性层和固定磁性层之间的非磁性层。 自由磁性层设置有通过反铁磁耦合相互耦合的2n（n是2以上的整数）或更多层的磁性膜。

公开(公告)号：WO2006129725A1

公开(公告)日：2006-12-07

申请号：PCT/JP2006/310903

申请日：2006-05-31

Applicant: 日本電気株式会社 ,  福本 能之 ,  鈴木 哲広 ,  森 馨 ,  三浦 貞彦

Inventor： 福本 能之 ,  鈴木 哲広 ,  森 馨 ,  三浦 貞彦

IPC: H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/08 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01L27/222

Abstract: 　本発明によるＭＲＡＭは、基板と、固定された磁化を有する磁化固定層と、反転可能な磁化を有する磁化自由層と、磁化固定層と磁化自由層との間に介設された非磁性のバリア層とを具備する。磁化自由層は、複数の強磁性層と、反強磁性的なＲＫＫＹ相互作用を発現するように形成された非磁性層とを含む。基板に最も近く位置する非磁性層は、ＲＫＫＹ相互作用の第α １ 次の反強磁性ピークに対応する範囲の膜厚を有し、基板から最も離れて位置する非磁性層は、ＲＫＫＹ相互作用の第α Ｎ 次の反強磁性ピークに対応する範囲の膜厚を有している。前記α １ と前記α Ｎ は、下記関係： 　α １ ＜α Ｎ ， を満足している。

Abstract translation: MRAM包括基板，具有固定磁化的磁化固定层，具有可逆磁化强度的磁化自由层以及介于磁化固定层和磁化自由层之间的非磁性阻挡层。 无磁化层包括多个铁磁层和非磁性层，其形成为提供反铁磁RKKY相互作用。 最靠近基板定位的非磁性层的膜厚在与RKKY相互作用的1/1反铁磁性峰值相对应的范围内，而非磁性层位于距离 该衬底的膜厚度在与RKKY相互作用的N + 1级反铁磁性峰值相对应的范围内。 一个＆lt; SUB＆gt;和＆lt; SUB＆gt; a＆lt; N＆lt; N＆lt; N＆lt; / SUB＆gt;满足以下关系：a 1＆lt; SUB＆gt;＆lt; N＆ / SUB>