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公开(公告)号：WO2006129725A1
公开(公告)日：2006-12-07
申请号：PCT/JP2006/310903
申请日：2006-05-31
IPC: H01L27/105 , H01L43/08
CPC classification number: H01L43/08 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01L27/222
Abstract: 本発明によるＭＲＡＭは、基板と、固定された磁化を有する磁化固定層と、反転可能な磁化を有する磁化自由層と、磁化固定層と磁化自由層との間に介設された非磁性のバリア層とを具備する。磁化自由層は、複数の強磁性層と、反強磁性的なＲＫＫＹ相互作用を発現するように形成された非磁性層とを含む。基板に最も近く位置する非磁性層は、ＲＫＫＹ相互作用の第α １ 次の反強磁性ピークに対応する範囲の膜厚を有し、基板から最も離れて位置する非磁性層は、ＲＫＫＹ相互作用の第α Ｎ 次の反強磁性ピークに対応する範囲の膜厚を有している。前記α １ と前記α Ｎ は、下記関係： α １ ＜α Ｎ ， を満足している。
Abstract translation: MRAM包括基板，具有固定磁化的磁化固定层，具有可逆磁化强度的磁化自由层以及介于磁化固定层和磁化自由层之间的非磁性阻挡层。 无磁化层包括多个铁磁层和非磁性层，其形成为提供反铁磁RKKY相互作用。 最靠近基板定位的非磁性层的膜厚在与RKKY相互作用的1/1反铁磁性峰值相对应的范围内，而非磁性层位于距离 该衬底的膜厚度在与RKKY相互作用的N + 1级反铁磁性峰值相对应的范围内。 一个＆lt; SUB＆gt;和＆lt; SUB＆gt; a＆lt; N＆lt; N＆lt; N＆lt; / SUB＆gt;满足以下关系：a 1＆lt; SUB＆gt;＆lt; N＆ / SUB>
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公开(公告)号：WO2006062150A1
公开(公告)日：2006-06-15
申请号：PCT/JP2005/022527
申请日：2005-12-08
IPC: H01L43/08 , H01L21/8246 , H01L27/105 , G11C11/15
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , G11C11/16 , H01F10/3254 , H01F10/3272
Abstract: トグル書込み方式の磁気ランダムアクセスメモリは、自由磁性層と、固定磁性層と、自由磁性層と固定磁性層に挟まれた非磁性層とを具備する。自由磁性層は、互いに反強磁性結合した２ｎ層（ｎは２以上の整数）の磁性膜を有する。
Abstract translation: 触发式写入系统磁性随机存取存储器具有自由磁性层，固定磁性层和夹在自由磁性层和固定磁性层之间的非磁性层。 自由磁性层设置有通过反铁磁耦合相互耦合的2n（n是2以上的整数）或更多层的磁性膜。
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公开(公告)号：WO2006054588A1
公开(公告)日：2006-05-26
申请号：PCT/JP2005/021023
申请日：2005-11-16
IPC: H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC classification number: H01L27/222 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L43/08
Abstract: 本発明は磁気メモリの磁化自由層の反転磁界のバラツキを低減するための技術を提供するためのものである。本発明による磁気メモリは，第１方向に形状磁気異方性を有し，且つ，磁歪定数が正である強磁性層を含んで構成される磁化自由層と，磁化自由層に第１方向と同一の方向に引っ張り応力を印加する応力誘起構造体とを具備する。
Abstract translation: 提供了一种用于减少磁存储器的磁化自由层的反转磁场的不规则性的技术。 磁存储器包括：由在第一方向上具有形状磁各向异性的铁磁层形成的无磁化层和正的磁应变常数; 以及用于在与第一方向相同的方向上对无磁化层施加拉伸应力的应力感应结构。
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