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公开(公告)号:WO2012086777A1
公开(公告)日:2012-06-28
申请号:PCT/JP2011/079866
申请日:2011-12-22
IPC: C01B33/033
CPC classification number: C01B33/033
Abstract: 加熱器(22)で、反応器10の一部の温度をシリコンの析出温度範囲に設定しつつ、四塩化珪素ガス供給口(16a)から四塩化珪素ガスを反応器内に供給すると共に、亜鉛ガス供給口(18a)から亜鉛ガスを反応容器内に供給して、反応器内で四塩化珪素を亜鉛で還元して、反応器内においてシリコンの析出温度範囲に設定された領域に対応した壁部にシリコンが析出するシリコン析出領域(S)を形成した後に、剥離機構(24)が、棒部材(24b)をシリコン析出領域に析出したシリコンに当てながら移動することにより、シリコン析出領域に析出したシリコンを剥離する。
Abstract translation: 当加热器(22)中的反应器(10)的一部分的温度设定在硅的沉积温度范围内时,四氯化硅气体从四氯化硅气体供应开口(16a)供应到反应器的内部, 从锌气供给口(18a)将锌气体供给到反应容器的内部,四氯化硅与反应器内的锌还原,在对应于 形成在反应器内的硅沉积温度范围内的区域。 然后,剥离机构(24)通过在沉积在硅沉积区域中的硅上移动棒状构件(24b)来剥离沉积在硅沉积区域中的硅。
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公开(公告)号:WO2012086778A1
公开(公告)日:2012-06-28
申请号:PCT/JP2011/079867
申请日:2011-12-22
IPC: F16K49/00 , C01B33/033 , F16K1/22 , F16K1/226
CPC classification number: F16K49/002 , C01B33/033 , F16K1/221 , F16K49/005
Abstract: シリコンを生成する反応器(10)の下方に配置自在な高温用バルブ装置(40、140)であって、反応器の内部空間に連通して、反応器において生成されたシリコンを導入自在な第1の管状部材(50)と、第1の管状部材内に配置されたバルブ(64)と、反応器からバルブに至る第1の管状部材の一部及びバルブを含む加熱領域を、反応器におけるシリコンの生成に関連する関連物質の沸点以上に加熱自在な加熱器(100)と、を備える。
Abstract translation: 可以设置在用于产生硅的反应器(10)下方的高温阀装置(40,140)具有连接到反应器的内部空间的第一管状构件(50),并且能够 引入在反应器中产生的硅; 定位在第一管状构件中的阀(64); 以及加热器(100),其能够将包括所述阀和所述第一管状部件的一部分的加热区域从所述反应器加热到所述阀,所述加热区域的温度大于或等于与产生所述第一管状部件的相关物质的沸点 反应器中的硅。
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公开(公告)号:WO2011016415A1
公开(公告)日:2011-02-10
申请号:PCT/JP2010/063013
申请日:2010-08-02
Applicant: 株式会社キノテック・ソーラーエナジー , 旭硝子株式会社 , 武内喜則 , 中原勝正
CPC classification number: B22D35/00 , B01J4/002 , B22D41/50 , B22F2998/00 , B22F9/08
Abstract: 液体供給装置においては、流出ノズル(14、114)の内径(D2)が、液溜め容器(10、100、200)に収容された溶融液(M)を流出ノズルの下端から溶融液の自重により流出自在な大きさに設定され、流出ノズルの管長(L)が、流出ノズルの下端から流出する金属液の流量が流出ノズルの管長が長くなるに従って非線形に減少する非線形領域に対応した長さに設定され、かつ液溜め容器の液面設定領域(S)が、液溜め容器の一部である円筒内壁面に画成されて、液面設定領域の内径(D1)が、流出ノズルの内径よりも大きく設定される。
Abstract translation: 公开了一种液体供应装置,其中流出喷嘴(14,114)的内径(D2)被设定为允许容纳在液体储存容器(10,100,200)中的熔融液体(M)流出的尺寸 在来自流出喷嘴的下端的熔融液体的重量下; 流出喷嘴的管长(L)被设定为与流出喷嘴的下端流出的金属液体的流量随着流出喷嘴的管长增加而非线性减小的非线性区域的长度设定; 储液容器的液面设定区域(S)由构成储液容器的一部分的圆筒状的内壁面形成, 并且液面设定区域的内径(D1)被设定为大于流出喷嘴的内径。
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公开(公告)号:WO2010134544A1
公开(公告)日:2010-11-25
申请号:PCT/JP2010/058446
申请日:2010-05-19
Applicant: 旭硝子株式会社 , 株式会社キノテック・ソーラーエナジー , 中原勝正 , 榊大介
IPC: C01B33/033
CPC classification number: C01B33/033 , B01J4/002 , B01J12/005 , B01J12/02 , B01J19/24 , B01J2219/00135
Abstract: 亜鉛ガス供給口(18b、180b、181b、182b、183b、184b、185b、280a)が、四塩化珪素ガス供給口(16a、160a)よりも上方にあり、加熱器(22)で、反応器(10、100)の一部の温度をシリコンの析出温度範囲に設定しつつ、四塩化珪素ガス供給口から四塩化珪素ガスを反応器内に供給し、亜鉛ガス供給口から亜鉛ガスを反応容器内に供給して、反応器内で四塩化珪素を亜鉛で還元して、反応器内においてシリコンの析出温度範囲に設定された領域に対応した壁部にシリコンが析出したシリコン析出領域(S)を形成する。
Abstract translation: 锌气供给口(18b,180b,181b,182b,183b,184b,185b,280a)位于四氯化硅气体供给口(16a,160a)的上方。 在使用加热器(22)将一些反应容器(10,100)的温度调节到发生硅沉积的范围内的温度的同时,通过四氯化硅气体进料口将四氯化硅气体供给到反应容器中,并且将锌 气体通过锌气进料口供入反应容器。 四氯化硅与反应容器内的锌一起还原,形成硅沉积区(S),反应容器的内壁部分对应于被调节为 硅沉积温度范围。
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