公开(公告)号：WO2009011152A1

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：PCT/JP2008/055486

申请日：2008-03-25

Applicant: 国立大学法人東北大学 ,  三井造船株式会社 ,  Soitec Asia 株式会社 ,  大見 忠弘 ,  寺本 章伸 ,  佐野 純央 ,  吉見 信

Inventor： 大見 忠弘 ,  寺本 章伸 ,  佐野 純央 ,  吉見 信

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L27/1203

Abstract: 　半導体層を形成するシリコンよりも、機械的特性の優れたＳｉＣ等の材料によって基体を形成し、当該基体と半導体層とを絶縁物層を介して貼り合わせる。貼り合わせた後、半導体層を基体から機械的に切り離してＳＯＩ基板を作成する一方、切り離された半導体層を次のＳＯＩ基板の作成に再利用する。これによって、従来の手法では困難であった直径４００ｍｍ以上の大きさを有する大型のＳＯＩ基板を得ることができた。

Abstract translation: 基体由诸如SiC的材料形成，具有比用于形成半导体层的硅的机械特性更高的机械特性，并且基底材料和半导体层通过绝缘层接合。 在接合之后，通过将半导体层与基体机械分离来形成SOI衬底，并且分离的半导体层被再次用于形成随后的SOI衬底。 因此，可以获得通过常规方法难以获得的直径为400mm以上的大型SOI衬底。

公开(公告)号：WO2005010244A1

公开(公告)日：2005-02-03

申请号：PCT/JP2004/009990

申请日：2004-07-07

Applicant: 株式会社アドマップ ,  三井造船株式会社 ,  大見 忠弘 ,  寺本 章伸 ,  佐野 純央

Inventor： 大見 忠弘 ,  寺本 章伸 ,  佐野 純央

IPC: C30B29/36

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C30B29/36 ,  H01L21/3148 ,  H01L29/1608 ,  Y10T428/31

Abstract: A silicon carbide product is disclosed which is characterized by having a surface with a metal impurity concentration of not more than 1 x 10 (atoms/cm ). Also disclosed are a method for producing such a silicon carbide product and a method for cleaning a silicon carbide product. A silicon carbide having such a highly cleaned surface can be obtained by cleaning it with a hydrofluoric acid, a hydrochloric acid, or an aqueous solution containing a sulfuric acid and a hydrogen peroxide solution. The present invention provides a highly cleaned silicon carbide, and thus enables to produce a semiconductor device which is free from consideration on deterioration in characteristics caused by impurities. Further, when the silicon carbide is used in a unit for semiconductor production or the like, there is such an advantage that an object processed in the unit can be prevented from suffering an adverse affect of flying impurities.

Abstract translation: 公开了一种碳化硅产品，其特征在于具有不大于1×10 11（原子/ cm 2）的金属杂质浓度的表面。 还公开了制造这种碳化硅产品的方法和清洁碳化硅产品的方法。 通过用氢氟酸，盐酸或含有硫酸和过氧化氢溶液的水溶液进行清洗，可以得到具有高度清洁表面的碳化硅。 本发明提供了高度清洁的碳化硅，因此能够制造出不考虑由杂质引起的特性劣化的半导体器件。 此外，当将碳化硅用于半导体生产等的单位时，具有能够防止在该单元中加工的物体遭受飞散杂质的不利影响的优点。