公开(公告)号：WO2005020311A1

公开(公告)日：2005-03-03

申请号：PCT/JP2004/012180

申请日：2004-08-25

Applicant: 株式会社アルバック ,  西岡 浩 ,  梶沼 雅彦 ,  山田 貴一 ,  増田 健 ,  植松 正紀 ,  鄒 紅コウ

Inventor： 西岡 浩 ,  梶沼 雅彦 ,  山田 貴一 ,  増田 健 ,  植松 正紀 ,  鄒 紅コウ

IPC: H01L21/316

CPC classification number: C23C16/4482 ,  C23C16/409 ,  C23C16/452 ,  H01L21/3165

Abstract: 　酸化物薄膜の酸素欠損の低下とエピタキシャル成長との促進を図ることにより、優れた特性を有する酸化物薄膜を製造する薄膜製造方法であって、原料ガス、キャリアガス及び酸化ガスを混合して得た混合ガスを、加熱手段により原料の液化、析出、成膜が起こらない温度に維持されたガス活性化手段を通してシャワープレートから反応室内の加熱基板上に供給して反応させ、基板上に酸化物薄膜を製造する。その際、酸化ガスの割合を混合ガス基準で６０％以上とする。また、核形成による初期層を形成する場合、その成膜プロセスにおける酸化ガス流量割合を６０％未満とし、その後の成膜プロセスにおける酸化ガス流量割合を６０％以上として行う。また、酸化物薄膜製造装置において、混合器とシャワープレートとの間に加熱手段を備えてなる。　

Abstract translation: 一种制造薄膜的方法，其中通过实现氧缺陷的减少和促进氧化物薄膜中的外延生长而产生具有优异性能的氧化物薄膜。 提供了一种方法，包括通过保持在没有原料液化的温度的气体活化装置，通过加热装置沉淀和形成膜的从淋浴器供给由原料气体，载气和氧化气体组成的混合气体 在反应室中的加热基板上进行反应，从而在基板上形成氧化物薄膜。 在该方法中，氧化气体的比例相对于混合气体为60％以上。 当要通过成核形成初始层时，在成膜过程中将氧化气体流量比设定为小于60％并且在随后的成膜过程中设定氧化气体流量比的同时进行形成 为60％以上。 还提供一种氧化物薄膜制造装置，其包括混合器和喷淋板，并且插入其间，加热装置。

公开(公告)号：WO2003048413A1

公开(公告)日：2003-06-12

申请号：PCT/JP2002/012657

申请日：2002-12-03

Applicant: 株式会社アルバック ,  山田 貴一 ,  増田 健 ,  梶沼 雅彦 ,  植松 正紀 ,  鄒 紅コウ

Inventor： 山田 貴一 ,  増田 健 ,  梶沼 雅彦 ,  植松 正紀 ,  鄒 紅コウ

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45502 ,  B01F3/02 ,  B01F5/0256 ,  B01F2215/0427 ,  B01J4/001 ,  B01J10/02 ,  B01J19/247 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/67017

Abstract: A mixer (1) capable of uniformly mixing gases with different weights, a thin−film manufacturing device with the mixer (1), and a thin−film manufacturing method using film forming gas formed by mixing the gases in the mixer, the mixer (1) comprising a mixing chamber (2) having the gas inlets (5a, 6a) of two gas inlet pipes (5, 6) positioned so as to be opposed to each other and a mixing gas diffusion chamber (3), wherein a partition plate (4) is installed between the mixing chamber and the diffusion chamber so that the volume of the diffusion chamber is larger than that of the mixing chamber, and a gas outlet (7) is provided in the partition plate at a specified position on the vertical lower side of a straight line connecting two gas inlets to each other; the thin−film manufacturing device wherein a cylindrical sleeve member (61) is fitted to the side wall of a stage (53) inside a vacuum reaction chamber (2), and the height of the stage is set at a position where the volume of a second space on the lower side of the stage connected to a vacuum exhaust means is larger than that of a first space so that exhaust gas can be isotropically exhausted through a clearance between a sleeve member and the inside wall surface of the reaction chamber without causing convection in the first space between a gas head and the stage, whereby the gas flow of the mixing gas can be uniformized by suppressing the occurrence of turbulent flow, convection, and thermal convection.

Abstract translation: 能够均匀混合不同重量的气体的混合器（1），具有混合器（1）的薄膜制造装置，以及使用通过将混合器中的气体混合而形成的成膜气体的薄膜制造方法，混合器 1）包括具有彼此相对定位的两个气体入口管（5,6）的气体入口（5a，6a）和混合气体扩散室（3）的混合室（2），其中分隔件 平板（4）安装在混合室和扩散室之间，使得扩散室的体积大于混合室的体积，并且在隔板上的特定位置处设置气体出口（7） 连接两个气体入口的直线的垂直下侧; 薄膜制造装置，其中圆柱形套筒构件（61）装配到真空反应室（2）内部的台（53）的侧壁上，并且将台的高度设置在 与真空排气装置连接的台的下侧的第二空间大于第一空间的第二空间，从而排气可以通过套筒构件和反应室的内壁表面之间的间隙而各向同性地排出，而不会引起 在气体头与台架之间的第一空间中的对流，由此通过抑制湍流，对流和热对流的发生，混合气体的气流可以均匀化。

公开(公告)号：WO2007066472A1

公开(公告)日：2007-06-14

申请号：PCT/JP2006/322539

申请日：2006-11-13

Applicant: 株式会社アルバック ,  山田 貴一 ,  加藤 伸幸 ,  植松 正紀

Inventor： 山田 貴一 ,  加藤 伸幸 ,  植松 正紀

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/205 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45574 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45565

Abstract: 　低コストで、ラジカルガスの失活を抑制でき、基板上に原料ガスを均一に導入することができるガスヘッド及び薄膜製造装置を提供する。 　本発明に係るガスヘッド(１３)は、反応ガスが導入される反応ガス導入口(３０Ａ)と、原料ガスが導入される原料ガス導入口(３０Ｂ)と、原料ガス導入口(３０Ｂ)に対向配置され原料ガスを分散させる分散板(３２)とを備え、原料ガス導入口(３０Ｂ)は、反応ガス導入口(３０Ａ)の周囲を囲むように複数設けられている。反応ガス導入口(３０Ａ)に導入された反応ガスは、原料ガス導入口(３０Ｂ)に導入され分散板(３２)で分散された原料ガスと混合される。原料ガス導入口(３０Ｂ)は反応ガス導入口(３０Ａ)の周囲に複数設けられているが、シャワーホール等のような微細な孔にする必要はない。

Abstract translation: 低成本的气体头能够抑制自由基气体的失活，能够将原料气体均匀地引入到基板上; 以及相关的薄膜制造装置。 提供了包括用于引入反应气体的反应气体引入孔（30A），用于引入原料气体的原料气体导入孔（30B）和与原料气体引入相对设置的分散板（32）的气体头（13） 用于分散原料气体的孔（30B），其中设置多个原料气体导入孔（30B）以包围反应气体导入孔（30A）的周边。 导入反应气体导入孔（30A）的反应性气体被引入原料气体导入孔（30B）中，与通过分散板（32）分散的原料气体混合。 原料气体导入孔（30B）虽然设置在反应气体导入孔（30A）周围的多重性，但不一定是诸如淋浴孔的微孔。