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    HIGH-K PEROVSKITE MATERIAL AND METHODS OF MAKING AND USING THE SAME
    1.
    发明申请
    HIGH-K PEROVSKITE MATERIAL AND METHODS OF MAKING AND USING THE SAME 审中-公开
    高K薄膜材料及其制造方法和使用方法

    公开(公告)号：WO2012177642A2

    公开(公告)日：2012-12-27

    申请号：PCT/US2012043153

    申请日：2012-06-19

    Applicant: ADVANCED TECH MATERIALS ,  HENDRIX BRYAN C ,  BILODEAU STEVEN M ,  CHEN ING-SHIN BARRY ,  ROEDER JEFFREY F ,  STAUF GREGORY T

    Inventor： HENDRIX BRYAN C ,  BILODEAU STEVEN M ,  CHEN ING-SHIN BARRY ,  ROEDER JEFFREY F ,  STAUF GREGORY T

    IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01L28/55 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/0228 ,  H01L27/108

    Abstract: High-k materials and devices, e.g., DRAM capacitors, and methods of making and using the same. Various methods of forming perovskite films are described, including methods in which perovskite material is deposited on the substrate by a pulsed vapor deposition process involving contacting of the substrate with perovskite material-forming metal precursors. In one such method, the process is carried out with doping or alloying of the perovskite material with a higher mobility and/or higher volatility metal species than the metal species in the perovskite material- forming metal precursors. In another method, the perovskite material is exposed to elevated temperature for sufficient time to crystallize or to enhance crystallization of the perovskite material, followed by growth of the perovskite material under pulsed vapor deposition conditions. Various perovskite compositions are described, including: (Sr, Pb)TiO3; SrRuO3 or SrTiO3, doped with Zn, Cd or Hg; Sr(Sn,Ru)O3; and Sr(Sn,Ti)O3.

    Abstract translation: 高k材料和器件，例如DRAM电容器，以及制造和使用它们的方法。 描述了形成钙钛矿薄膜的各种方法，包括其中通过脉冲气相沉积工艺将钙钛矿材料沉积在基底上的方法，包括使基底与形成钙钛矿的金属前体接触。 在一种这样的方法中，该方法通过钙钛矿材料的掺杂或合金化与在形成钙钛矿材料的金属前体中的金属物质具有更高的迁移率和/或更高的挥发性金属物质进行。 在另一种方法中，将钙钛矿材料暴露于升高的温度足够的时间以结晶或增强钙钛矿材料的结晶，随后在脉冲气相沉积条件下生长钙钛矿材料。 描述了各种钙钛矿组合物，包括：（Sr，Pb）TiO 3; SrRuO3或SrTiO3，掺杂Zn，Cd或Hg; SR（锡，钌）O3; 和Sr（Sn，Ti）O 3。

    薄膜形成方法
    3.
    发明申请
    薄膜形成方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2009118901A1

    公开(公告)日：2009-10-01

    申请号：PCT/JP2008/056144

    申请日：2008-03-28

    Applicant: 矢元 久良 ,  株式会社日立国際電気 ,  堀井 貞義

    Inventor： 矢元 久良 ,  堀井 貞義

    IPC: H01L21/205 ,  C23C16/40

    CPC classification number: C23C16/4486 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45561

    Abstract: 炭素原子が基板上に堆積するのを防いで、高品質の薄膜を形成することができる薄膜形成方法を提供する。 薄膜形成方法は、所定の原子を含む原料化合物を溶媒に溶かした原料溶液を生成し、前記原料溶液を気化器４でガス化した原料ガスを反応室２に供給して、加熱した薄膜被形成物12に前記原料化合物を吸着させる吸着工程と、前記反応室２に酸化性ガスを供給し、前記薄膜被形成物12の表面に吸着した前記原料化合物を酸化して前記原子を含む酸化物層を形成する層形成工程とを備え、前記吸着工程から前記層形成程までの薄膜形成サイクルを繰り返して薄膜被形成物12上に薄膜を形成する。前記溶媒の熱分解温度が前記薄膜被形成物12の温度より高いことを特徴とする。

    Abstract translation: 本发明提供一种薄膜形成方法，其可以防止碳原子沉积在基底上以形成高质量的薄膜。 薄膜形成方法包括将预定的含原子原料化合物溶解在溶剂中以得到起始原料溶液的吸附工序，将汽化器（4）中的原料溶液气化，得到起始气体，供给起始气体 进入反应室（2），并将上述起始化合物吸附到加热的薄膜形成材料（12）上，以及向反应室（2）供给氧化气体并使吸附的起始化合物氧化的层形成工序 在薄膜形成材料（12）的表面上形成含有原子的氧化物层。 重复从吸附步骤到层形成步骤的薄膜形成循环，以在薄膜形成材料（12）上形成薄膜。 该方法的特征在于溶剂的热分解温度高于薄膜形成材料（12）的温度。

    ガス供給装置
    4.
    发明申请
    ガス供給装置 审中-公开
    气体供应装置

    公开(公告)号：WO2009104732A1

    公开(公告)日：2009-08-27

    申请号：PCT/JP2009/053022

    申请日：2009-02-20

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  津田 栄之輔

    Inventor： 津田 栄之輔

    IPC: H01L21/316 ,  C23C16/455 ,  H01L21/31

    CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45559 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45582

    Abstract: 　本発明は、処理容器内の載置台に載置される基板に対向するように配置されて、前記基板に対して処理を行うための処理ガスを供給するガス供給装置において、前記載置台上の基板と対向する位置に、ガスの拡散空間を構成するために、前記載置台に向かって末広がりの形状に形成された凹部を有する天板部材と、前記凹部の頂部から当該凹部内に突出し、当該凹部の周方向に沿う複数のガス供給孔を有するガス供給ノズルと、を備えたことを特徴とするガス供給装置である。

    Abstract translation: 设置在与安装在处理容器中的台上的基板相对设置并供应用于处理基板的处理气体的气体供给装置包括：顶板构件，其具有形成为朝向台阶逐渐扩展的凹部，以构成气体扩散空间 与台面上的基板相对的位置，以及从其顶部突出到凹部中的气体供给喷嘴，沿着凹部的周向具有多个气体供给孔。

    METHODS FOR PREPARING THIN FILMS USING SUBSTITUTED PYRROLYL-METAL PRECURSORS
    5.
    发明申请
    METHODS FOR PREPARING THIN FILMS USING SUBSTITUTED PYRROLYL-METAL PRECURSORS 审中-公开
    使用取代的吡咯金属前驱体制备薄膜的方法

    公开(公告)号：WO2009086263A1

    公开(公告)日：2009-07-09

    申请号：PCT/US2008/087938

    申请日：2008-12-22

    Applicant: SIGMA-ALDRICH CO. ,  HEYS, Peter, Nicholas ,  DAVIES, Hywel, Owen

    Inventor： HEYS, Peter, Nicholas ,  DAVIES, Hywel, Owen

    IPC: C23C16/40 ,  C07F3/00 ,  C07F3/04

    CPC classification number: C23C16/409 ,  C23C16/45553

    Abstract: Methods of preparing metal oxide thin films by atomic layer deposition are provided. One method comprises delivering at least one precursor, or an adduct thereof, to a substrate, wherein the at least one precursor corresponds in structure to Formula I:M[(R) n pyr*]2 (Formula I) wherein: M is Sr, Ba or Ca; R is independently C 1 -C 10 -alkyl or C 1 Q 10 -alkoxy; and n is 1, 2, 3 or 4.

    Abstract translation: 提供了通过原子层沉积制备金属氧化物薄膜的方法。 一种方法包括将至少一种前体或其加合物递送至底物，其中至少一种前体在结构上相应于式I：M [（R）n pyr *] 2（式I）其中：M是Sr， Ba或Ca; R独立地为C 1 -C 10 - 烷基或C 1 -C 10 - 烷氧基; n为1,2,3或4。

    容量素子の製造方法及び半導体装置の製造方法並びに半導体製造装置
    7.
    发明申请
    容量素子の製造方法及び半導体装置の製造方法並びに半導体製造装置 审中-公开
    制造电容器的方法，制造半导体器件的方法和制造半导体器件的装置

    公开(公告)号：WO2006085427A1

    公开(公告)日：2006-08-17

    申请号：PCT/JP2006/300250

    申请日：2006-01-12

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  松本 賢治

    Inventor： 松本 賢治

    IPC: H01L21/822 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/04 ,  H01L27/105

    CPC classification number: H01L21/02197 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/52 ,  C23C28/322 ,  C23C28/34 ,  C23C28/345 ,  C23C28/3455 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

    Abstract: 　容量素子の製造方法は、（ａ）基板上に絶縁膜を形成し、（ｂ）前記絶縁膜の上に下部電極層を形成し、（ｃ）酸化性ガスを供給しない状態で、一種又は複数種の有機金属材料ガスおよび気化した有機溶媒のうちの少なくとも一方を前記下部電極層の上に供給する第１の工程（ｃ１）と、有機金属材料ガスおよび酸化性ガスを共に前記下部電極層の上に供給する第２の工程（ｃ２）と、を含み、前記第１の工程（ｃ１）と前記第２の工程（ｃ２）とを同じチャンバ内で連続して実施することにより前記下部電極層の上に誘電体層を形成し、（ｄ）前記誘電体層の上に上部電極層を形成する。

    Abstract translation: 公开了一种电容器的制造方法，其中（a）在基板上形成绝缘膜; （b）在绝缘膜上形成下电极层; （c）通过在相同的室中依次执行第一步骤（c1），在下电极层上形成电介质层，其中将一种或多种有机金属材料气体和蒸发的有机溶剂中的至少一种供应到 所述下电极层不供给氧化气体;以及第二工序（c2），其中所述有机金属材料气体和氧化气体都在所述下电极层上供给; 和（d）在电介质层上形成上电极层。

    SYSTEM AND METHOD FOR DEPOSITING HIGH DIELECTRIC CONSTANT MATERIALS AND COMPATIBLE CONDUCTIVE MATERIALS
    10.
    发明申请
    SYSTEM AND METHOD FOR DEPOSITING HIGH DIELECTRIC CONSTANT MATERIALS AND COMPATIBLE CONDUCTIVE MATERIALS 审中-公开
    用于沉积高介电常数材料和兼容导电材料的系统和方法

    公开(公告)号：WO0220864A3

    公开(公告)日：2002-11-28

    申请号：PCT/US0119101

    申请日：2001-06-15

    Applicant: APPLIED MATERIALS INC

    Inventor： SAJOTO TALEX ,  PAO ELAINE ,  DORNFEST CHARLES ,  ZHAO JUN

    IPC: C23C14/56 ,  C23C16/02 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  C23C14/14 ,  C23C16/06

    CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C14/568 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/18 ,  C23C16/409 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/54 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55 ,  Y10T428/12 ,  Y10T428/1266

    Abstract: The present invention provides a system and method for depositing materials onto a substrate and preferably includes physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD) processing. In one aspect, a system is provided that deposits a stack of layers on a substrate comprising one or more nucleation layers, one or more conductive layers compatible with a high-dielectric-constant (HDC) material and one or more HDC layers in various sequences. The HDC material is useful in depositing thin metal-oxide films and ferroelectric films, as well as other films requiring vaporization of precursor liquids. The system allows PVD and CVD to occur within a centralized system to avoid contamination and reduce processing time. Further, different CVD layers can be deposited within the same CVD chamber. In one embodiment, multiple sets of vaporized gas passages and other gas passages can be formed through a gas manifold to allow mixing of multiple precursors near the endpoint of the flow path for control of the mixing regimes. The layer can be annealed to promote better adhesion and surface texture between adjoining layers.

    Abstract translation: 本发明提供了用于将材料沉积到衬底上的系统和方法，并且优选地包括物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）处理。 在一个方面，提供了一种系统，其在包括一个或多个成核层，与高介电常数（HDC）材料兼容的一个或多个导电层和一个或多个HDC层以各种顺序 。 HDC材料可用于沉积薄金属氧化物膜和铁电薄膜，以及其他需要前体液体蒸发的薄膜。 该系统允许PVD和CVD在集中式系统内发生，以避免污染并缩短处理时间。 而且，不同的CVD层可以沉积在同一个CVD室内。 在一个实施例中，可以通过气体歧管形成多组汽化气体通道和其他气体通道，以允许在流动路径的终点附近混合多种前体以控制混合状态。 该层可以退火以促进邻接层之间的更好的粘合和表面结构。

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